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DT180F10KEB-A [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1000V V(RRM);
DT180F10KEB-A
型号： DT180F10KEB-A
厂家： Infineon    Infineon
描述：

Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1000V V(RRM)
文件： 总6页 (文件大小：231K)
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European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
Marketing Information  
TT 180 F  
28,5  
35  
5
6
115  
80  
9
18  
18  
M8  
92  
AK  
K
A
K1 G1  
K2 G2  
VWK Okt. 1996  
TT 180 F, TD 180 F, DT  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical properties  
Höchstzulässige Werte  
Maximum rated values  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and tvj = -40°C...tvj max  
VDRM, VRRM  
VDSM = VDRM  
VRSM = VRRM  
800 1000 1100 1200  
1300  
V
V
Spitzensperrspannung  
Vorwärts-Stoßspitzenspannung  
reverse voltages  
non-repetitive peak forward off-state tvj = -40°C...tvj max  
voltage  
Rückwärts-Stoßspitzenspannung  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
Dauergrenzstrom  
non-repetitive peak reverse voltage  
tvj = +25°C...tvj max  
+ 100  
RMS on-state current  
ITRMSM  
ITAVM  
350  
101  
A
A
average on-state current  
tc = 85°C  
tc = 73°C  
223  
A
Stoßstrom-Grenzwert  
Grenzlastintegral  
surge current  
tvj = 25°C, tp = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
tvj = 25°C, tp = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
VD£67%VDRM, f0=50Hz  
IGM=1A, diG/dt=1A/µs  
tvj = tvj max, VD = 67% VDRM  
6.Kennbuchstabe/6th letter B  
6.Kennbuchstabe/6th letter C  
6.Kennbuchstabe/6th letter L  
6.Kennbuchstabe/6th letter M  
ITSM  
6700  
A
6000  
A
òI2 t-value  
òI2 t  
224000  
180000  
A2s  
A2s  
Kritische Stromsteilheit  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of on-state current  
(diT/dt)cr  
(dvD/dt)cr  
200 A/µs  
1) 2)  
critical rate of rise of off-state voltage  
50 50  
V/µs  
V/µs  
V/µs  
V/µs  
500 500  
500 50  
1000 500  
Charakteristische Werte  
Durchlaßspannung  
Schleusenspannung  
Ersatzwiderstand  
Characteristic values  
on-state voltage  
tvj = tvj max, iT = 600 A  
tvj = tvj max  
vT  
max. 1,9  
1,3  
V
V
threshold voltage  
VT(TO)  
rT  
slope resistance  
tvj = tvj max  
0,9  
mW  
mA  
V
Zündstrom  
gate trigger current  
gate trigger voltage  
gate non-trigger current  
gate non-trigger voltage  
holding current  
tvj = 25 °C, vD = 6 V  
tvj = 25 °C, vD = 6 V  
tvj = tvj max, vD = 6 V  
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM  
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10 W  
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20 W  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max. 250  
max. 2,2  
max. 10  
max. 0,25  
max. 250  
max. 1  
Zündspannung  
Nicht zündender Steuerstrom  
Nicht zündende Steuerspannung  
Haltestrom  
mA  
V
mA  
A
Einraststrom  
latching current  
IL  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 10 µs  
tvj = tvj max  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse  
currents  
iD, iR  
max. 50  
mA  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
gate controlled delay time  
tvj = 25°C, iGM =1 A, diG/dt =1 A/µs  
siehe techn. Erl./see Techn. Inf.  
tgd  
max. 1,2  
max. 18  
µs  
µs  
Freiwerdezeit  
circuit commutated turn-off time  
tq, S:  
E:  
F:  
max. 20  
max. 25  
3
µs  
µs  
kV  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
RMS, f = 50 Hz, 1 min.  
VISOL  
Thermische Eigenschaften  
Innerer Wärmewiderstand  
Thermal properties  
thermal resistance, junction  
to case  
Q =180°el. sin: pro Modul/per module RthJC  
pro Zweig/per arm  
max. 0,065 °C/W  
max. 0,13 °C/W  
max. 0,062 °C/W  
max. 0,124 °C/W  
max. 0,02 °C/W  
DC: pro Modul/per module  
pro Zweig/per arm  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul/per module  
pro Zweig/per arm  
RthCK  
max. 0,04 °C/W  
Höchstzul.Sperrschichttemperatur  
Betriebstemperatur  
max. junction temperature  
operating temperature  
storage temperature  
tvj max  
tc op  
tstg  
125  
-40...+125  
-40...+130  
°C  
°C  
°C  
Lagertemperatur  
Mechanische Eigenschaften  
Si-Elemente mit Druckkontakt  
Innere Isolation  
Mechanical properties  
Si-pellet with pressure contact  
internal insulation  
tightening torques  
mounting torque  
AIN  
Anzugsdrehmomente  
mechanische Befestigung  
elektrische Anschlüsse  
Gewicht  
Toleranz/tolerance +/- 15%  
Toleranz/tolerance +5%/-10%  
M1  
M2  
6
Nm  
Nm  
terminal connection torque  
weight  
12  
G
typ. 800  
17  
g
Kriechstrecke  
creepage distance  
vibration resistance  
outline  
mm  
Schwingfestigkeit  
f = 50 Hz  
5 × 9,81 m/s²  
Maßbild  
8
1)  
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)  
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit. / Immediately after turn-off time.  
2)  
Daten der Dioden siehe unter DD 242 S bei V RRM £ 1000 V und DD 241 S bei VRRM ³ 1200 V  
For data of the diode refer to DD 242 S at V RRM £ 1000 V and DD 241 S at VRRM ³ 1200 V  
TT 180 F, TD 180 F, DT 180 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeiensamer Kathode geliefert werden.  
TT 180 F, TD 180 F, DT 180 F can also be supplied with common anode or common cathode.  
TT 180 F  
3
4
1 0  
1 0  
t
= 60°C  
[kHz]  
t
= 60°C  
[kHz]  
8
C
C
8
f
f
0
0
[A]  
i
4
i
£ 0,4  
TM  
4
T M  
[A]  
0,4  
1
1
2
2
3
3
3
8
6
2
10  
2
5
3
2
1
0,4  
0,25  
0,1 0 , 0  
5
5
4
2
1 0  
3
8
2
6
5
2
4
4
3
10  
10  
TT 180 F4/1  
TT 180 F13/4  
10  
t
= 80°C  
[kHz]  
t
= 80°C  
[kHz]  
8
C
C
8
f
f
0
0
[A]  
4
i
i
T M  
[A]  
TM  
4
£ 0,4  
0,05  
1
0,4  
2
3
3
2
1
2
10  
8
6
3
0 , 0,05  
1
2
1
0,4  
0,25  
5
2
3
4
2
1 0  
5
8
2
2
3
6
5
4 TT 180 F14/5  
3
10  
TT 180 F5/2  
1 0  
8
t
= 100°C  
[kHz]  
t
= 100°C  
[kHz]  
8
C
4
C
10  
f
f
0
0
[A]  
i
4
TM  
[A]  
i
TM  
4
2
3
3
£ 0,4  
0,05  
1
2
10  
8
6
0,4  
2
3
1
4
2
2
0,25  
0,1  
1
0,4  
0,05  
1 0  
3
8
5
2
5
2
2
6
4
5
3
10  
3
2
4
1
2
4
6
10  
2
4
6
8 10  
2
4
6
10  
8
5
8
2
3
6
10  
4
5
6
8
10  
TT 180 F6/3  
TT 180 F15/6  
t
[µs]  
+ di /dt [A/µs]  
p
T
Bild / Fig. 1, 2, 3  
Bild / Fig. 4, 5, 6  
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-  
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,  
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit  
für einen  
der angegebenen Gehäusetemperatur t ,  
Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen  
C
DRM  
Vorwärts-Sperrspannung V  
£ 0,67 V  
;
Gehäusetemperatur t ;  
DM  
C
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstaben,  
Vorwärts-Sperrspannung v  
£ 0,67 V ,  
DRM  
q
DM  
Spannungssteilheit dv /dt gemäß 6. Kennbuchstaben.  
D
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstabe,  
q
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.  
Ausschaltverlustleistung:  
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f = 50 Hz...0,4 kHz für dv /dt £ 500 V/µs  
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:  
_______  
0
R
und Anstieg auf v  
£ 0,67 V  
Betrieb mit antiparalleler Diode oder  
RM  
RRM;  
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f ³ 1 kHz. Diese Kurven gelten  
dv /dt £ 100 V/µs bei Anstieg auf v  
R
£ 50 V.  
= 0,67 V .  
RRM  
0
R
RM  
dv /dt £ 600 V/µs und Anstieg auf v  
RM  
_ _ _ _ _  
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /dt £ 100 V/µs und  
R
Anstieg auf V  
RM  
£ 50 V.  
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:  
trapezoidal current waveform, given case temperature t ,  
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:  
sinusoidal current waveform, given case temperature t  
C
forward off-state voltage v  
£ 0.67 V  
,
C,  
DM  
DRM  
forward off-state voltage v  
£ 0,67 V  
,
circuit commutated turn-off t according to 5th code letter,  
q
DM  
DRM  
circuit commutated turn-off time t according to 5th code letter,  
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.  
q
rate of rise of voltage dv /dt according to 6th code letter.  
D
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:  
_______  
Turn-of losses:  
Operation with inverse paralleled diod or  
- taken into account for operation at f = 50 Hz to 0.4 kHz for dv /dt £ 500V/µs  
dv /dt £ 100 V/µs rising up to v  
£ 50 V.  
= 0.67 V  
0
R
R
RM  
RM  
_ _ _ _ _  
and rise up to v  
RM  
£ 0.67 V  
;
dv /dt £ 600 V/µs rising up to v  
.
RRM  
RRM  
R
- not taken into account for operation at f ³ 1 kHz. But the curves are valid for  
0
operation with inverse paralleled diode or dv /dt £ 100 V/µs and rise up to  
R
v
RM  
£ 50 V.  
i
i
RC-Glied/RC network:  
RC-Glied/RC network:  
-di /dt  
T
.
.
v
i
i
R[W] ³ 0,02  
v
DM [V]  
R[W] ³ 0,02  
DM [V]  
TM  
TM  
R
C
R
t
t
C
£ 0,22µF  
C £ 0,33µF  
+di/dt  
_
T
t
p
C
2
_
1
f0  
_
1
f0  
T=  
T=  
Steuergenerator/Pulse generator:  
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]  
Repetition rate f0 [kHz]  
Steuergenerator/Pulse generator:  
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]  
Repetition rate f0 [kHz]  
i
= 1 A, t = 1µs  
i
= 1 A, t = 1µs  
G
a
G
a
TT 180 F  
4
4
10  
1 0  
± di /dt = 25 A/µs  
T
Parameter: Wtot [Ws]  
± di /dt = 25 A/µs  
T
Parameter: Wtot [Ws]  
8
8
10  
20  
10  
20  
6
6
4
4
i
4
4
i
TM  
[A]  
2
2
TM  
1
[A]  
1
0,6  
0,6  
2
3
2
0,4  
0,4  
0,2  
0,1  
3
8
6
10  
10  
0,2  
8
6
0 , 1  
5
4
4
0,1  
60  
80  
mWs  
mWs  
40  
2
2
2
60  
mWs  
mWs  
2
4
10  
10  
T 195 F11/7  
T 318 F11/7  
T 195 F14/10  
T 318 F14/10  
4
10  
1 0  
± di /dt = 50 A/µs  
T
Parameter: Wtot [Ws]  
± di /dt = 50 A/µs  
T
Parameter: Wtot [Ws]  
8
8
10  
20  
6
6
10  
20  
4
4
2
2
i
4
4
2
TM  
i
TM  
[A]  
1
[A]  
1
2
3
0,6  
0,4  
0,6  
0,4  
3
8
6
10  
10  
8
6
0,2  
0,2  
0 , 1  
5
4
4
0,1  
60  
0,1  
mWs  
2
2
2
40  
mWs  
80  
mWs  
2
4
10  
10  
T 195 F14/8  
T 318 F14/8  
T 195 F15/11  
T 318 F15/11  
4
10  
1 0  
± di /dt = 100 A/µs  
T
Parameter: Wtot [Ws]  
± di /dt = 100 A/µs  
T
Parameter: Wtot [Ws]  
8
8
6
20  
10  
4
10  
6
20  
4
i
i
4
4
2
TM  
TM  
[A]  
2
2
[A]  
2
3
1
1
0,6  
0,4  
3
8
6
10  
0,6  
10  
8
6
0,4  
0,3  
0,2  
4
4
0,1  
0,2  
60  
2
2
2
2
0 , 1  
5
mWs  
10  
10  
40 6 0  
100  
200  
µs  
6
1 0  
400 600  
1
2
4
t
40 60  
100  
200  
µs  
400 600  
1
2
4
t
6
10  
ms  
m s  
T 195 F13/9  
T 318 F13/9  
T 195 F16/12  
T 318 F16/12  
w
w
Bild / Fig. 7, 8, 9  
Bild / Fig. 10, 11, 12  
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen  
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen  
tot  
tot  
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:  
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:  
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,  
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,  
T
T
Vorwärts-Sperrspannung v  
£ 0,67 V  
,
Vorwärts-Sperrspannung v  
£ 0,67 V  
,
DM  
Rückwärts-Sperrspannung v  
DRM  
DM  
Rückwärts-Sperrspannung v  
DRM  
,
RRM  
£ 50V,  
£ 0,67V  
RM  
Spannungssteilheit dv /dt £ 100 V/µs.  
RM  
Spannungssteilheit dv /dt £ 600 V/µs.  
R
R
Diagram for the determination of the total energy  
trapezoidal current pulse for one arm at:  
W
for  
a
Diagram for the determination of the total energy W for a  
tot  
tot  
trapezoidal current pulse for one arm at:  
given rate of rise of on-state current di /dt,  
given rate of rise of on-state current di /dt,  
T
T
forward off-state voltage v  
£ 0,67 V  
RM  
,
forward off-state voltage v  
£ 0,67 V  
,
DM  
DRM  
DM  
RM  
DRM  
RRM  
maximum reverse voltage v  
£ 50 V,  
maximum reverse voltage v  
£ 0.67 V  
,
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 100 V/µs.  
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 600 V/µs.  
R
R
i
i
T
T
i
i
R
C
R
C
TM  
TM  
-di /dt  
di /dt  
T
-di /dt  
T
di /dt  
T
T
t
t
t
t
w
w
RC-Glied/RC network:  
RC-Glied/RC network:  
.
vDM [V]  
.
Steuergenerator/Pulse generator:  
= 1 A, t = 1µs  
Steuergenerator/Pulse generator:  
i = 1 A, t = 1µs  
G
R[W] ³ 0,02  
v
DM [V]  
R[W] ³ 0,02  
i
C
£ 0,33µF  
C
£ 0,33µF  
G
a
a
TT 180 F  
4
10k  
10  
60 kW  
40 kW  
20 kW  
P
+ P =  
T
TT  
8
10  
20 Ws  
6000  
W
tot  
6 Ws  
=
i
10 kW  
6 kW  
4 kW  
T [A]  
2000  
4
4
i
TM  
[A]  
2
2 kW  
1 kW  
1000  
2
1
600  
400  
0,6  
0,4  
600 W  
400 W  
3
8
6
10  
0,2  
200  
100  
200 W  
100 W  
0,1 Ws  
mWs  
60  
40  
4
60  
40  
60 W  
40 W  
20  
2
2
mWs  
20  
10  
20 W  
10  
4 0  
200  
µs  
60  
100  
400 600  
1
2
4
t
6
10  
1
2
4
6
10  
20  
40 60 100  
200  
400 600 1ms  
T 195 F3/13  
T 318 F3/13  
ms  
t [µs]  
T 195 F4/14  
T 318 F4/14  
p
Bild / Fig. 13  
Bild / Fig. 14  
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-  
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen sinusförmigen  
tot  
leistung (P + P ) je Zweig.  
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.  
TT  
T
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power  
loss per arm (P + P ).  
Diagram for the determination of the total energy W for a sinusoidal  
tot  
on-state current pulse for one arm.  
TT  
T
i
T
i
Lastkreis/load circuit:  
TM  
R RC-Glied/RC network:  
.
v
v
£ 0,67 V  
DM  
RM  
DRM  
50 V  
£
C R[W] ³ 0,02  
vDM [V]  
dv /dt £ 100 V/µs  
C
£ 0,22µF  
t
R
p
t
Steuergenerator/Pulse generator:  
= 1 A, t = 1µs  
i
G
a
20  
15  
100  
60  
v
[V]  
t
8
6
G
gd  
c
b
20  
10  
[µs]  
a
4
6
4
2
2
a
1
0,8  
1
0,6  
0,4  
0,6  
0,4  
b
0,2  
0,1  
0,2  
600  
10  
20  
40 60 100  
mA  
200  
400  
1
2
4
6
10  
600  
10  
20  
40 60 100  
mA  
200  
400  
1
2
4
6
10  
A
A
T 195 F17/16  
T 290 F17/16  
T 670 F21/15  
i
i
G
G
Bild / Fig. 15  
Bild / Fig. 16  
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v = 6V.  
Zündverzug/Gate controlled delay time t ,  
D
gd  
Gate characteristic and peak power dissipation at v = 6V.  
DIN 41787, t = 1 µs, t = 25°C.  
a vj  
a - außerster Verlauf/limiting characteristic  
b - typischer Verlauf/typical charcteristic  
D
Parameter:  
a
b
c
___________________________________________________________  
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t  
[ms]  
10  
1
0,5  
g
___________________________________________________________  
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/  
Maximum allowable peak gate power  
[W]  
20  
40  
60  
___________________________________________________________  
1000  
[µAs]  
i
TM = 1000 A  
500 A  
200 A  
Q
800  
r
600  
100 A  
400  
200  
50 A  
20 A  
150  
- di /dt [A/µs]  
0
50  
100  
200  
TT 180 F 08...13  
T
Bild / Fig. 17  
Sperrverzögerungsladung Q = f(di/dt)  
r
t
vj  
= t  
vj max  
, v = 0,5 V  
, v  
= 0,8 V  
R
RRM RM  
RRM  
RRM  
Parameter: Durchlaßstrom I  
/
TM  
Recovert charge Q = f(di/dt)  
r
t
vj  
= t  
vj max  
, vR = 0,5 V  
, v  
= 0,8 V  
RRM RM  
Parameter: on-state current I  
TM  
TT 180 F  
0,16  
0,14  
Z
thJC  
0,12  
[°C/W]  
0,10  
0,08  
0,06  
0,04  
0,02  
0
Q
Q
=60°  
120°  
180°  
=180°  
DC  
-3  
2
-2  
-1  
0
1
6 10  
8
6
10  
6 10  
8
2
4
10  
2
4 6 810  
2
4
6 810  
2
4
8
2
4
TT 200 F1/17  
t [s]  
Bild / Fig. 18  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z  
.
(th)JC  
,junction to case.  
Transient thermal impedance per arm Z  
(th)JC  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z  
pro Zweig für DC  
thJC  
per arm for DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z  
thJC  
Pos. n  
[°C/W]  
1
2
3
4
5
6
7
R
0,0031 0,0097 0,0257 0,0429 0,0426  
0,0009 0,008 0,11 0,61 3,06  
thn  
t
[s]  
n
Analytische Funktion / Analytical function:  
n
max  
t
-
t n  
)
Z
=
R
(1-e  
thn  
thJC  
S
n=1  

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