DT92N12KOF [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 160A I(T)RMS, 92000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5;
| 型号： | DT92N12KOF |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 160A I(T)RMS, 92000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5 |
| 文件： | 总13页 (文件大小：408K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
TT92N
TD92N
DT92N
NT92N
TT92N..K..-K
TD92N..K..-A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1200
1200
1300
1400 V
1600 V
VDRM,VRRM
1400 V
1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1500 V
1700 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
160 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
ITRMSM
ITAVM
92 A
104 A
TC = 85°C
TC = 76°C
2050 A
1800 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
21000 A²s
16200 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
i
GM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
max.
1,62 V
0,85 V
2,15 mΩ
120 mA
1,4 V
Tvj = Tvj max , iT = 300 A
Tvj = Tvj max
vT
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
V(TO)
rT
Tvj = Tvj max
max.
max.
Tvj = 25°C, vD = 6 V
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
max.
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
5,0 mA
2,5 mA
0,2 V
max.
max.
max.
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
200 mA
620 mA
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
IL
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs,
tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
25 mA
3 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6 Tvj = 25 °C,
i
GM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
C.Drilling
date of publication: 09.07.02
prepared by:
revision:
3
approved by: J. Novotny
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT92N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
150 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
kV
kV
2,5
3,0
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
max.
max.
0,185 °C/W
0,370 °C/W
0,175 °C/W
0,350 °C/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Zweig / per arm, DC
0,05
0,10
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
130
°C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
-40...+130 °C
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
4
4
Nm
Nm
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
A 2,8 x 0,8
typ. 160 g
G
Kriechstrecke
12,5 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
1
2
3
1
2
2
3
3
1
2
3
5 4
5 4
7 6
7 6
DT
TT
TD
1
2
3
1
2
3
7 6
7 6
4 5
5 4
TT-K
NT
TD-A
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,005
0,00004
0,0195
0,00223
0,0518
0,022
0,128
0,235
0,146
1,24
nmax
ꢀ
ꢀ
n
ZthJC
1 - e– t
ꢀ R
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KM14 (50W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,007
0,701
0,141
4,72
0,119
42,5
2,133
910
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KM14 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,007
0,701
0,141
4,72
0,119
42,5
0,583
249
nmax
ꢀR
n=1
1 - e – t
ꢀ
n
ꢀ
ZthCA
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
0,500
Θ =
30°
60°
90°
0,400
0,300
0,200
0,100
0,000
120
0°
180°
180°
0
t [s]
0,01
0,1
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
0,600
0,500
0,400
0,300
0,200
0,100
0,000
Θ =
30°
60°
90°
120°
180°
180°
0°
0
DC
t [s]
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
160
140
180°
120°
0°
180°
90°
120
100
80
60
40
20
0
0
60°
ꢀ = 30°
ITAV [A]
0
20
40
60
80
100
120
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
200
DC
180°
180°
0°
150
100
50
0
120°
90°
60°
ꢀ = 30°
0
I
[A]
100
0
20
40
60
80
120
140
160
180
TAV
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
140
120
100
80
0°
180°
0
60
60°
90°
180°
ꢀ = 30°
120°
40
20
0
20
40
60
80
100
120
ITAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
)
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
DC
60°
90° 120°
180°
ꢀ = 30°
20
0
20
40
60
80
100
120
TAVM [A]
140
160
180
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
600
ID
B2
0,10
0,12
RthCA [°C/W]
0,08
+
500
400
300
200
100
0
~
0,15
0,20
R-Last
R-load
L-Last
L-load
-
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
1,50
0
50
100
150
200
0
20
40
60
80
100
120
I
D [A]
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
700
600
500
400
300
200
100
0
ID
B6
R thCA [°C/W]
0,08
0,10
+
3~
0,12
0,15
-
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
1,50
0
50
100
150
200
0
20
40
60
80
100
120
ID [A]
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
300
0,20
W1C
~
R thCA [°C/W]
0,15
0,12
0,25
0,30
I
RMS
250
200
150
100
50
0,40
0,50
0,60
~
0,80
1,00
1,20
1,50
2,00
3,00
0
0
50
100
150
200
0
20
40
60
80
100
120
TA [°C]
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA
700
600
500
400
300
200
100
0
W3C
~
0,10
0,12
0,08
R thCA [°C/W]
~
~
~
~
IRMS
0,15
~
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
1,50
0
50
100
RMS [A]
150
200
0
20
40
60
80
100
120
I
T
A [°C]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
100
10
1
d
b
a
0,1
iG [mA]
1
10
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
c-100W/0,5ms d – 150W/0,1ms
a - 40 W/10ms b - 80 W/1ms
1000
100
10
1
a
b
0,1
i
GM [mA]
10
100
1000
10000
10/12
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
A8/02
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
1000
iTM = 500A
200A
100A
50A
20A
100
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
1.600
1.400
1.200
1.000
800
a
TA = 35 °C
b
TA = 45 °C
600
400
200
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, Luftselbstkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
11/12
A8/02
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT92N
Phase Control Thyristor Module
1.000
I TAV (vor)
=
0 A
5 A
10 A
15 A
20 A
25 A
800
600
400
200
0
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM14 (50W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
1.000
I TAV (vor)
0 A
20 A
30 A
40 A
50 A
60 A
=
800
600
400
200
0
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM14 (Papst 4650N)
verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
12/12
A8/02
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相关型号：
DT92N14KOF
Silicon Controlled Rectifier, 160A I(T)RMS, 92000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
INFINEON
DT92N16KOFHOSA1
Silicon Controlled Rectifier, 160A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
INFINEON
DT92N16KOFHPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 160A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
INFINEON
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