F4-75R12MS4 [INFINEON]
EconoDUAL?2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC; EconoDUAL ™ 2 MODUL MIT schnellem IGBT2献给hochfrequentes Schalten UND NTC
| 型号： | F4-75R12MS4 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | EconoDUAL?2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC |
| 文件： | 总9页 (文件大小：1209K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R12MS4
EconoDUAL™2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC
EconoDUAL™2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 75A / I†ç¢ = 150A
Typische Anwendungen
Hochfrequenz-Anwendungen
Typical Applications
High Frequency Switching Application
••
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
••
Kurzschlussstrom
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
Circuit Current
Niedrige Schaltverluste
••
Low Switching Losses
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
••
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
Package with CTI > 200
High Power Density
Isolated Base Plate
Standard Housing
Gehäuse mit CTI > 200
••
Hohe Leistungsdichte
••
Isolierte Bodenplatte
••
Standardgehäuse
••
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
material no: 29011
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R12MS4
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 65°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
75
100
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
150
500
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 75 A, V•Š = 15 V
I† = 75 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
3,20 3,75
3,85
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 3,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
4,5
5,5
0,80
5,0
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
5,10
0,30
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
I†Š»
I•Š»
tÁ ÓÒ
1,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,12
0,13
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,05
0,06
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,31
0,36
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,02
0,03
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 75 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH
V•Š = ±15 V, di/dt = 2100 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓÒ = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
5,00
9,00
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 75 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH
V•Š = ±15 V, du/dt = 2100 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓËË = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
2,60
3,80
mJ
mJ
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V
IȠ
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C
450
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,25 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,115
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R12MS4
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒ
1200
75
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
150
2450
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 75 A, V•Š = 0 V
IŒ = 75 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,00 2,55
1,70
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 2100 A/µs (TÝÎ=125°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
43,0
62,0
A
A
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 2100 A/µs (TÝÎ=125°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
4,50
13,0
µC
µC
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 2100 A/µs (TÝÎ=125°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,70
4,70
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,55 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,255
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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revision: 3.1
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R12MS4
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
Alè0é
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
12,0
14,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,4
14,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 200
min. typ. max.
0,02
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
30
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
2,20
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M5 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
3,0
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
terminal connection torque
Gewicht
weight
200
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R12MS4
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
150
150
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š = 8V
V•Š = 9V
V•Š = 10V
V•Š = 12V
V•Š = 15V
135
135
120
105
90
120
V•Š = 20V
105
90
75
60
45
30
15
75
60
45
30
15
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 7.5 Â, R•ÓËË = 7.5 Â, V†Š = 600 V
150
27
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
135
24
120
105
90
75
60
45
30
15
0
21
18
15
12
9
6
3
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
25
50
75
I† [A]
100
125
150
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date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R12MS4
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 75 A, V†Š = 600 V
35
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
30
25
20
15
10
5
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,015 0,0825 0,08 0,0725
4
τÍ[s]:
0,01 0,02
0,05 0,1
0
0,01
0,001
0
10
20
30
R• [Â]
40
50
60
70
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 7.5 Â, TÝÎ = 125°C
175
150
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
135
150
125
100
75
120
105
90
75
60
45
30
15
0
50
25
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
VΠ[V]
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revision: 3.1
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R12MS4
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 75 A, V†Š = 600 V
R•ÓÒ = 7.5 Â, V†Š = 600 V
6,0
6,0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
5,5
5,5
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
25
50
75
IΠ[A]
100
125
150
0
10
20
30
R• [Â]
40
50
60
70
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
1
100000
ZÚÌœ† : Diode
RÚáÔ
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,033 0,1815 0,176 0,1595
4
τÍ[s]:
0,01 0,02
0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
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revision: 3.1
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R12MS4
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
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revision: 3.1
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R12MS4
Nutzungsbedingungen
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