FD1600R17KF6C_B2 [INFINEON]
1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode; 1700V IGBT模块与第二代低损耗IGBT和软EMCON二极管
| 型号： | FD1600R17KF6C_B2 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode |
| 文件： | 总10页 (文件大小：308K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2.ten Generation und softer EmCon Diode
1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Vorläufige Daten / preliminary data
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1700
1700
V†Š»
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
1600
2600
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
3200
12,5
A
kW
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/- 20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 1600 A, V•Š = 15 V
I† = 1600 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,60 3,10
3,10 3,60
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 130 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
4,5
5,5
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
V•Š = -15 V ... +15 V
19,0
0,66
105
5,30
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
I†Š»
I•Š»
tÁ ÓÒ
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 1600 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,30
0,30
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 1600 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,19
0,19
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 1600 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,20
1,20
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 1600 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,15
0,16
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 1600 A, V†Š = 900 V, L» = 50 nH
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
430
670
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 1600 A, V†Š = 900 V, L» = 50 nH
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
mJ
mJ
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 1000 V
IȠ
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C
6400
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RÚÌœ†
RÚ̆™
10,0 K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
13,0
K/kW
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Seidelmann Thomas
approved by: Thomas Schütze
date of publication: 2008-07-15
revision: 2.0
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1700
1700
Vçç¢
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
1600
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t« = 1 ms
3200
660
A
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
kA²s
µs
Mindesteinschaltdauer
minimum turn-on time
tŒÓÒ ÑÍÒ
10,0
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 1600 A, V•Š = 0 V
IŒ = 1600 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,10 2,50
2,10 2,50
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 1600 A, - diŒ/dt = 9600 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1400
1700
A
A
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 1600 A, - diŒ/dt = 9600 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
300
560
µC
µC
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 1600 A, - diŒ/dt = 9600 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
210
380
mJ
mJ
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
17,0 K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
22,0
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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revision: 2.0
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1700
1700
Vçç¢
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
1200
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tÔ = 1 ms
2400
380
A
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
kA²s
µs
Mindesteinschaltdauer
minimum turn-on time
TŒÓÒ ÑÍÒ
10,0
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,10 2,50
2,10 2,50
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 7200 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
970
1150
A
A
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 7200 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
200
380
µC
µC
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 7200 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
110
210
mJ
mJ
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
25,0 K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
16,0
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revision: 2.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
4,0
kV
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
32,2
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
19,1
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
6,00
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/kW
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
12
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
R††óôŠŠó
Rƒƒóô††ó
0,19
0,37
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note
M
M
G
4,25
-
5,75 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note
1,8
8,0
-
-
terminal connection torque
screw M4 - mounting according to valid application note
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M8 - mounting according to valid application note
10
Nm
g
Gewicht
weight
1500
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revision: 2.0
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
3200
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š = 8V
V•Š = 10V
V•Š = 15V
V•Š = 20V
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
400
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0.9 Â, R•ÓËË = 0.9 Â, V†Š = 900 V
3200
1800
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
1600
2800
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
2400
2000
1600
1200
800
400
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200
I† [A]
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revision: 2.0
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 1600 A, V†Š = 900 V
2500
100
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
2000
1500
1000
500
0
10
1
i:
1
2
3
rÍ[K/kW]: 0,94 4,72 1,42 2,92
4
τÍ[s]:
0,027 0,052 0,09 0,838
0,1
0,001
0
1
2
3
4
R• [Â]
5
6
7
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.9 Â, TÝÎ = 125°C
3500
3200
I†, Chip
I†, Modul
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2800
3000
2500
2000
1500
1000
500
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
V†Š [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
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revision: 2.0
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 0.9 Â, V†Š = 900 V
IŒ = 1600 A, V†Š = 900 V
500
500
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
400
300
200
100
0
400
300
200
100
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
IΠ[A]
0
1
2
3
4
R• [Â]
5
6
7
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper
forward characteristic of Diode-brake-chopper
IŒ = f (VŒ)
100
2400
ZÚÌœ† : Diode
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2000
1600
1200
800
400
0
10
1
i:
rÍ[K/kW]: 7,85
τÍ[s]:
1
2
3,53
0,0287 0,0705 0,153 0,988
3
1,12 4,52
4
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
t [s]
prepared by: Seidelmann Thomas
approved by: Thomas Schütze
date of publication: 2008-07-15
revision: 2.0
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Brems-Chopper
switching losses Diode-brake-chopper
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Brems-Chopper
switching losses Diode-brake-chopper
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = Â, V†Š = 900 V
IŒ = 1200 A, V†Š = 900 V
250
250
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
200
150
100
50
200
150
100
50
0
0
0
400
800
1200
IΠ[A]
1600
2000
2400
0
1
2
3
4
R• [Â]
5
6
7
Transienter Wärmewiderstand Diode-Brems-Chopper
transient thermal impedance Diode-brake-chopper
ZÚÌœ† = f (t)
100
ZÚÌœ† : Diode
10
1
i:
rÍ[K/kW]: 11,5
1
2
5,2
3
1,65 6,65
4
τÍ[s]:
0,0287 0,0705 0,153 0,988
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
prepared by: Seidelmann Thomas
approved by: Thomas Schütze
date of publication: 2008-07-15
revision: 2.0
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
prepared by: Seidelmann Thomas
approved by: Thomas Schütze
date of publication: 2008-07-15
revision: 2.0
9
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FD1600/1200R17KF6C_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro
in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
data with respect to such application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the
product and its characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).
For those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
prepared by: Seidelmann Thomas
approved by: Thomas Schütze
date of publication: 2008-07-15
revision: 2.0
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