FF1200R12IE5 [INFINEON]
.XT Technology;
| 型号： | FF1200R12IE5 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | .XT Technology |
| 文件： | 总10页 (文件大小：572K) |
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FF1200R12IE5
PrimePACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT5,ꢀEmitterꢀControlledꢀ5ꢀDiodeꢀundꢀNTC
PrimePACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT5,ꢀEmitterꢀControlledꢀ5ꢀdiodeꢀandꢀNTC
VCES = 1200V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
PotentielleꢀAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
PotentialꢀApplications
• Highꢀpowerꢀconverters
• Motorꢀdrives
• USV-Systeme
• UPSꢀsystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop
• HoheꢀKurzschlussrobustheit
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ175°C
ElectricalꢀFeatures
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀTvjꢀop
• Highꢀshort-circuitꢀcapability
• Unbeatableꢀrobustness
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ175°C
• TrenchꢀIGBTꢀ5
• TrenchꢀIGBTꢀ5
MechanischeꢀEigenschaften
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
MechanicalꢀFeatures
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit
• HoheꢀLeistungsdichte
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances
• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability
• Highꢀpowerꢀdensity
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.1
www.infineon.com
2020-06-16
FF1200R12IE5
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICDC
ICRM
VGES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
1200
2400
+/-20
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 1200 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,70 2,15
2,00 2,45
2,15 2,60
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
5,25 5,80 6,35
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
5,75
0,75
65,5
2,60
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,20
0,23
0,25
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,48
0,52
0,55
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,08
0,11
0,13
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1200 A, VCE = 600 V, Lσ = 45 nH
di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
80,0
120
160
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1200 A, VCE = 600 V, Lσ = 45 nH
du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
130
160
180
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C
4000
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
28,7 K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
22,1
K/kW
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
1200
2400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
370
335
kA²s
kA²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,90 2,35
1,75 2,20
1,70 2,15
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
VGE = -15 V
630
860
985
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
VGE = -15 V
91,0
205
280
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
37,0
83,0
120
mJ
mJ
mJ
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
46,3 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
29,0
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
3
Vꢀ3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
33,0
33,0
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,0
19,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
LsCE
> 400
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
18
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
RCC'+EE'
RAA'+CC'
0,30
0,22
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
TBPmax
M
-40
150
150
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
°C
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
3,00
6,00 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
-
-
M
G
10
Nm
g
Gewicht
Weight
825
Datasheet
4
Vꢀ3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ175°C
2400
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
2100
1800
1500
1200
900
2100
1800
1500
1200
900
600
300
0
600
300
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
2400
600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
540
480
420
360
300
240
180
120
60
2100
1800
1500
1200
900
600
300
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
13
0
300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400
VGE [V]
IC [A]
Datasheet
5
Vꢀ3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
800
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
ZthJC : IGBT
750
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
10
i:
ri[K/kW]: 0,86
τi[s]:
1
2
3,42
3
21,4
4
2,97
0,000966 0,0127 0,0515 0,786
0
1
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
RG [Ω]
5,0
6,0
7,0
8,0
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE);
ICꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
2500
15
VCC = 600V
13
IC, Modul
IC, Chip
11
9
2000
1500
1000
500
0
7
5
3
1
-1
-3
-5
-7
-9
-11
-13
-15
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0
1
2
3
4
5
6
VCE [V]
QG [µC]
Datasheet
6
Vꢀ3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
2400
160
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
Tvj = 175°C
2100
140
120
100
80
1800
1500
1200
900
600
300
0
60
40
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0
300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400
IF [A]
VF [V]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
140
100
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
ZthJC : Diode
120
100
80
60
40
20
0
10
i:
ri[K/kW]: 2,07
τi[s]:
1
2
14,8
3
25,5
4
3,88
0,00088 0,0205 0,0685 0,893
1
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
RG [Ω]
5,0
6,0
7,0
8,0
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Datasheet
7
Vꢀ3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100000
Rtyp
10000
1000
100
10
0
25
50
75
100
125
150
175
TNTC [°C]
Datasheet
8
Vꢀ3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
screwing depth
max. 16 (4x)
36B0,2
18B0,2 (2x)
screwing depth
max. 8 (7x)
A
172B0,5
150
113
103
recommeded design height
lower side PCB to baseplate
92
76
+
-
0
5,5
0,1
58
P0,25ABC
(10x)
25,9B0,25
L
8B0,1 (7x)
0,4A
H
(7x)
1 MAX
M4
P0,6ABC
(7X)
L
45,5B0,5
25
14
M8
P0,6ABC
(4x)
L
28B0,1
5,5
17B0,1
C
37,7B0,25
B
recommeded design height
39
lower side bus bar to baseplate
64
78
117
156
Datasheet
9
Vꢀ3.1
2020-06-16
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2020-06-16
©ꢀ2020ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
AllꢀRightsꢀReserved.
Publishedꢀby
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81726ꢀMünchen,ꢀGermany
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ꢀ
ꢀ
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dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1600A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
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FF1400R12IP4
PrimePACK?3 Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC
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