FF150R12MT4BOMA1 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10;
| 型号： | FF150R12MT4BOMA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 局域网 栅 功率控制 晶体管 |
| 文件： | 总9页 (文件大小：1195K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MT4
EconoDUAL™2 Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und
NTC
EconoDUAL™2 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorläufige Daten / preliminary data
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 150A / I†ç¢ = 300A
Typische Anwendungen
Typical Applications
Motor Drives
Motorantriebe
••
••
USV-Systeme
UPS Systems
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ
Niedrige Schaltverluste
Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ
Low Switching Losses
••
••
••
••
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
niedriges V†ŠÙÈÚ
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
Low V†ŠÙÈÚ
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
Package with CTI > 200
Isolated Base Plate
Standard Housing
Gehäuse mit CTI > 200
••
Isolierte Bodenplatte
••
Standardgehäuse
••
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 2.3
material no: 29406
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MT4
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
150
200
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
300
680
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 150 A, V•Š = 15 V
I† = 150 A, V•Š = 15 V
I† = 150 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,85 2,15
2,15
2,25
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 5,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,2
5,8
1,25
5,0
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
9,35
0,35
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,1 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,14
0,15
0,15
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,1 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,03
0,035
0,04
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,1 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,32
0,40
0,42
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,1 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,09
0,16
0,18
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 4400 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
7,80
14,0
15,5
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
R•ÓÒ = 1,1 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 5000 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
8,20
12,5
14,0
mJ
mJ
mJ
R•ÓËË = 1,1 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
540
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,22 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,063
K/W
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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revision: 2.3
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
150
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
300
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
5400
4500
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 150 A, V•Š = 0 V
IŒ = 150 A, V•Š = 0 V
IŒ = 150 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,70 2,20
1,65
1,65
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 4400 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
180
195
200
A
A
A
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 4400 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
14,0
25,0
29,0
µC
µC
µC
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 4400 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
6,10
11,0
12,0
mJ
mJ
mJ
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,375 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,11
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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revision: 2.3
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
12,0
20,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,4
20,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 200
min. typ. max.
0,02
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
30
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
2,20
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
150
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M5 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
3,0
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
terminal connection torque
Gewicht
weight
200
Power Cyling Zuverlässigkeit bei Tvjop=125°C:
- entspricht gültiger Spezifikation für Standard Module bei Tvjmax=125°C; 300.000 Zyklen @ dTj=50K
Power Cyling Capability at Tvjop=125°C:
- according to valid specification for standard modules at Tvjmax=125°C; 300.000 cycles @ dTj=50K
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revision: 2.3
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
300
300
270
240
210
180
150
120
90
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
270
240
210
180
150
120
90
60
60
30
30
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.1 Â, R•ÓËË = 1.1 Â, V†Š = 600 V
300
50
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
270
45
240
40
210
180
150
120
90
35
30
25
20
15
10
5
60
30
0
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
30 60 90 120 150 180 210 240 270 300
I† [A]
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 150 A, V†Š = 600 V
40
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
36
32
28
24
20
16
12
8
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0132 0,0726 0,0704 0,0638
4
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0
0,01
0
1
2
3
4
5
R• [Â]
6
7
8
9
10
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1.1 Â, TÝÎ = 150°C
350
300
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
270
300
250
200
150
100
50
240
210
180
150
120
90
60
30
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VΠ[V]
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 1.1 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 150 A, V†Š = 600 V
20
15
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
18
16
14
12
10
8
12
9
6
6
4
3
2
0
0
0
50
100
150
IΠ[A]
200
250
300
0
1
2
3
4
5
R• [Â]
6
7
8
9
10
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
1
ZÚÌœ† : Diode
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0225 0,1238 0,12 0,1087
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
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revision: 2.3
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
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revision: 2.3
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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date of publication: 2009-08-12
revision: 2.3
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