FF1800R12IE5_技术文档

FF1800R12IE5

PrimePACK™3+ꢀB-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT5,ꢀEmitterꢀControlledꢀ5ꢀDiodeꢀundꢀNTC

PrimePACK™3+ꢀB-seriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT5,ꢀEmitterꢀControlledꢀ5ꢀdiodeꢀandꢀNTC

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 1800A / I_CRM= 3600A

PotentielleꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Motorantriebe

PotentialꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Motorꢀdrives

• SolarꢀAnwendungen

• USV-Systeme

• Solarꢀapplications

• UPSꢀsystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• HoheꢀKurzschlussrobustheit

• SehrꢀgroßeꢀRobustheit

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ175°C

ElectricalꢀFeatures

• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀT_vjꢀop

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• Unbeatableꢀrobustness

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ175°C

• TrenchꢀIGBTꢀ5

MechanischeꢀEigenschaften

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

MechanicalꢀFeatures

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit

• HoheꢀLeistungsdichte

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability

• Highꢀpowerꢀdensity

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ3.1

www.infineon.com

2019-10-16

FF1800R12IE5

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_CDC

I_CRM

V_GES

ꢀ

1200

1800

3600

+/-20

ꢀ

V

A

V

Kollektor-Dauergleichstrom

T_C= 95°C, T_{vj max}= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 1800 A

V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

1,70 2,15

2,00 2,45

2,15 2,60

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 49,2 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 / 15 V, V_CE= 600 V

T_vj= 25°C

V_GEth

Q_G

5,25 5,80 6,35

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

8,65

0,5

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1000 kHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

98,5

3,90

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

400 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1800 A, V_CE= 600 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,24

0,29

0,31

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1800 A, V_CE= 600 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,19

0,20

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1800 A, V_CE= 600 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,57

0,63

0,66

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1800 A, V_CE= 600 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,10

0,12

0,14

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1800 A, V_CE= 600 V, Lσ = 30 nH

di/dt = 8150 A/µs (T_vj= 175°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Gon= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

130

195

235

mJ

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1800 A, V_CE= 600 V, Lσ = 30 nH

du/dt = 2350 V/µs (T_vj= 175°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Goff= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

210

260

290

mJ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 175°C

6800

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

17,3 K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

11,4

K/kW

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

175

°C

Datasheet

2

Vꢀ3.1

2019-10-16

FF1800R12IE5

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

1800

3600

ꢀ

V

A

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 175°C

760

720

kA²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 1800 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

1,90 2,35

1,75 2,20

1,70 2,15

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 1800 A, - di_F/dt = 8700 A/µs (T_vj=175°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

810

1150

1300

A

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 1800 A, - di_F/dt = 8700 A/µs (T_vj=175°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

175

330

435

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 1800 A, - di_F/dt = 8700 A/µs (T_vj=175°C) T_vj= 25°C

79,0

145

190

mJ

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

28,3 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

13,2

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

175

°C

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

5,00

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_NTC= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_NTC= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

-5

5

%

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_NTC= 25°C

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

3375

3411

3433

K

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

Datasheet

3

Vꢀ3.1

2019-10-16

FF1800R12IE5

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V_ISOL

ꢀ

4,0

Cu

ꢀ kV

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

36,0

28,0

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

21,0

19,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

L_sCE

> 400

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

10

nH

mΩ

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

R_CC'+EE'

R_AA'+CC'

0,10

0,09

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

T_BPmax

M

-40

150

Höchstzulässige

Bodenplattenbetriebstemperatur

Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature

°C

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

3,00

6,00 Nm

2,1 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse

Terminalꢀconnectionꢀtorque

SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

1,8

8,0

-

M

G

10

Nm

g

Gewicht

Weight

1400

Datasheet

4

Vꢀ3.1

2019-10-16

FF1800R12IE5

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ175°C

3600

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

V_GE= 20V

V_GE= 15V

V_GE= 12V

V_GE= 10V

V_GE= 9V

V_GE= 8V

3300

3000

2700

2400

2100

1800

1500

1200

900

3300

3000

2700

2400

2100

1800

1500

1200

900

600

300

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

3600

800

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 175°C

E_off, T_vj= 125°C

3300

3000

2700

2400

2100

1800

1500

1200

900

700

600

500

400

300

200

100

0

E_off, T_vj= 175°C

600

300

0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

0

600

1200

1800

I_C[A]

2400

3000

3600

Vꢀ3.1

V_GE[V]

Datasheet

5

2019-10-16

FF1800R12IE5

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ1800ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

1400

100

E_on, T_vj= 125°C

Z_thJC: IGBT

1300

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

E_on, T_vj= 175°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 175°C

10

1

i:

r_i[K/kW]: 0,681 1,4

τ_i[s]:

1

2

3

14,1

4

1,09

0,001 0,00879 0,0446 0,872

0,1

0,001

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

R_G[Ω]

5,0

6,0

7,0

8,0

0,01

0,1

t [s]

1

10

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

V_GEꢀ=ꢀf(Q_G)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀ1800ꢀA,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ175°C

4000

15

I_C, Modul

I_C, Chip

V_CC= 600V

12

9

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

6

3

0

-3

-6

-9

-12

-15

0

200

400

600

800

1000 1200 1400

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V_CE[V]

Q_G[µC]

Datasheet

6

Vꢀ3.1

2019-10-16

FF1800R12IE5

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

R_Gonꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

3600

240

T_vj= 25°C

E_rec, T_vj= 125°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

E_rec, T_vj= 175°C

3300

220

3000

200

180

160

140

120

100

80

2700

2400

2100

1800

1500

1200

900

60

600

40

300

20

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

0

600

1200

1800

I_F[A]

2400

3000

3600

V_F[V]

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

I_Fꢀ=ꢀ1800ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

220

100

E_rec, T_vj= 125°C

Z_thJC: Diode

E_rec, T_vj= 175°C

200

180

160

140

120

100

80

10

60

40

i:

r_i[K/kW]: 1,08

τ_i[s]:

1

2

9,59

3

15

4

2,58

20

0,000917 0,0207 0,0658 0,824

0

1

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

R_G[Ω]

5,0

6,0

7,0

8,0

0,001

0,01

0,1

t [s]

1

10

Datasheet

7

Vꢀ3.1

2019-10-16

FF1800R12IE5

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

100000

R_typ

10000

1000

100

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T_NTC[°C]

Datasheet

8

Vꢀ3.1

2019-10-16

FF1800R12IE5

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

C

(247)

screwing depth

max. 8mm 8x

26

0,35ADE

E

m

3c0,1

8x (M4)

8x max. (2)

recommended design height

36,5

2,5

0,5

0

1,2ADE

m

q0,35ABC

m

8x

Y

X

screwing depth

max. 16mm 8x

8x max. (3)

recommended design height

36,5

0,8ADE

m

14x q5,5c0,1

8x

q0,5ADE

m

14x

B

38,25

D

q0,35ABC

117

8x (M8)

q1,8ADE

m

8x

m

8x

M

8x q5

q0,4 CZA

A

m

250c1

~

8x

36,5

18,2

K

Y

X

H

' K

0

g 0,2AM-M

H

16,7

36,5

Dimension in mounted condition ISO 10579

Terminal heights measurement at the end of bending radius

Datasheet

9

Vꢀ3.1

2019-10-16

Trademarks

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.

ꢀ

Editionꢀ2019-10-16

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81726ꢀMünchen,ꢀGermany

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型号：	FF1800R12IE5
厂家：	Infineon
描述：	.XT Technology
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FF1800R12IE5 [INFINEON]

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