FF450R17ME3 [INFINEON]

EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode; EconoDUAL3模块沟/场终止IGBT3和EmCon3二极管


型号：	FF450R17ME3
厂家：	Infineon
描述：	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode EconoDUAL3模块沟/场终止IGBT3和EmCon3二极管晶体二极管晶体管双极性晶体管栅局域网
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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R17ME3

EconoDUAL™3 Modul mit Trench/Feldstop IGBT³ und EmCon3 Diode

EconoDUAL™3 module with trench/fieldstop IGBT³ and EmCon3 diode

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

1700

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T† = 80°C, TÝÎ = 150°C

T† = 25°C, TÝÎ = 150°C

I† ÒÓÑ

I†

450

605

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t« = 1 ms

I†ç¢

PÚÓÚ

900

2250

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T† = 25°C, TÝÎ = 150°C

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V•Š»

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I† = 450 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

2,00 2,45

2,40

V†Š ÙÈÚ

V•ŠÚÌ

Q•

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I† = 18,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

5,2

5,8

5,10

1,7

6,4

µC

Gateladung

gate charge

Interner Gatewiderstand

internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

40,5

1,30

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

tÁ ÓÒ

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

3,0

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

400 nA

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-on delay time (inductive load)

I† = 450 A, V†Š = 900 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 3,3 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

0,28

0,30

µs

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

I† = 450 A, V†Š = 900 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 3,3 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

0,08

0,10

µs

tØ

tÁ ÓËË

tË

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-off delay time (inductive load)

I† = 450 A, V†Š = 900 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 3,3 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

0,81

1,00

µs

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

I† = 450 A, V†Š = 900 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 3,3 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

0,18

0,30

µs

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

I† = 450 A, V†Š = 900 V, L» = 80 nH

V•Š = ±15 V, di/dt = 4500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C

R•ÓÒ = 3,3 Â

TÝÎ = 25°C

96,5

140

EÓÒ

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

I† = 450 A, V†Š = 900 V, L» = 80 nH

V•Š = ±15 V, du/dt = 3400 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C

R•ÓËË = 3,3 Â

TÝÎ = 25°C

96,0

140

EÓËË

Kurzschlussverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 1000 V

I»†

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

pro IGBT / per IGBT

t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C

1800

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,055 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

0,028

K/W

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

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revision: 2.1

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R17ME3

Vorläufige Daten

preliminary data

Diode-Wechselrichter / diode-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

TÝÎ = 25°C

Vçç¢

1700

450

Dauergleichstrom

DC forward current

IŒ

IŒç¢

I²t

Periodischer Spitzenstrom

t« = 1 ms

900

repetitive peak forward current

Grenzlastintegral

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C

I²t - value

20000

A²s

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Durchlassspannung

forward voltage

IŒ = 450 A, V•Š = 0 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

1,80 2,20

1,90

VŒ

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 4500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

525

570

Vç = 900 V

V•Š = -15 V

Iç¢

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 4500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

115

195

µC

Vç = 900 V

V•Š = -15 V

QØ

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 4500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

60,5

110

Vç = 900 V

V•Š = -15 V

EØþÊ

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Diode / per diode

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,10 K/W

K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

0,051

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Charakteristische Werte / characteristic values

Nennwiderstand

rated resistance

min. typ. max.

5,00

T† = 25°C

Rèë

ÆR/R

Pèë

kÂ

Abweichung von Ræåå

deviation of Ræåå

T† = 100°C, Ræåå = 493 Â

T† = 25°C

-5

Verlustleistung

power dissipation

20,0 mW

B-Wert

B-value

Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]

Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]

Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]

Bèëõëå

Bèëõîå

Bèëõæåå

3375

3411

3433

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

Angaben gemäß gültiger Application Note.

Specification according to the valid application note.

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

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Vorläufige Daten

preliminary data

Modul / module

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

insulation test voltage

Vš»¥¡

3,4

Material Modulgrundplatte

material of module baseplate

Material für innere Isolation

material for internal insulation

AlèOé

Kriechstrecke

creepage distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

14,5

13,0

Luftstrecke

clearance distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

12,5

10,0

Vergleichszahl der Kriechwegbildung

comparative tracking index

CTI

> 225

min. typ. max.

0,009

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

pro Modul / per module

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

RÚÌ†™

LÙ†Š

K/W

Modulinduktivität

stray inductance module

Modulleitungswiderstand,

Anschlüsse - Chip

module lead resistance,

terminals - chip

T† = 25°C, pro Schalter / per switch

R††óôŠŠó

1,10

mÂ

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper

TÝÎ ÑÈà

TÝÎ ÓÔ

TÙÚÃ

150

°C

Temperatur im Schaltbetrieb

temperature under switching conditions

-40

125

Lagertemperatur

storage temperature

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

mounting torque

Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note

screw M5 - mounting according to valid application note

3,00

3,0

6,00 Nm

6,0 Nm

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

terminal connection torque

Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note

screw M6 - mounting according to valid application note

Gewicht

weight

345

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

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Vorläufige Daten

preliminary data

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

TÝÎ = 125°C

V•Š = 15 V

900

750

600

450

300

150

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

V•Š = 20V

V•Š = 15V

V•Š = 12V

V•Š = 10V

V•Š = 9V

V•Š = 8V

750

600

450

300

150

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

V†Š [V]

2,5

3,0

3,5

4,0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Š [V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)

transfer characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V•Š)

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-inverter (typical)

EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)

V†Š = 20 V

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 3.3 Â, R•ÓËË = 3.3 Â, V†Š = 900 V

900

450

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

400

750

600

450

300

150

350

300

250

200

150

100

V•Š [V]

150

300

450

I† [A]

600

750

900

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R17ME3

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-Inverter (typical)

EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)

Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.

transient thermal impedance IGBT-inverter

ZÚÌœ† = f (t)

V•Š = ±15 V, I† = 450 A, V†Š = 900 V

800

0,1

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

ZÚÌœ† : IGBT

700

600

500

400

300

200

100

0,01

rÍ[K/W]: 0,0055 0,0165 0,022 0,011

τÍ[s]:

0,01

0,04

0,06 0,3

0,001

R• [Â]

0,01

0,1

t [s]

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)

reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)

I† = f (V†Š)

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)

forward characteristic of diode-inverter (typical)

IŒ = f (VŒ)

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 3.3 Â, TÝÎ = 125°C

1050

900

I†, Modul

I†, Chip

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

900

750

600

450

300

150

750

600

450

300

150

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800

V†Š [V]

0,0

0,5

1,0

1,5

VŒ [V]

2,0

2,5

3,0

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R17ME3

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (IŒ)

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (R•)

R•ÓÒ = 3.3 Â, V†Š = 900 V

IŒ = 450 A, V†Š = 900 V

180

130

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

120

110

100

160

140

120

100

150

300

450

IŒ [A]

600

750

900

R• [Â]

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.

transient thermal impedance diode-inverter

ZÚÌœ† = f (t)

NTC-Temperaturkennlinie (typisch)

NTC-temperature characteristic (typical)

R = f (T)

100000

ZÚÌœ† : Diode

RÚáÔ

0,1

10000

1000

100

0,01

rÍ[K/W]: 0,01 0,03 0,04 0,02

τÍ[s]:

0,01 0,04 0,06 0,3

0,001

0,01

0,1

T† [°C]

100 120 140 160

t [s]

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R17ME3

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltplan / circuit diagram

Gehäuseabmessungen / package outlines

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R17ME3

Vorläufige Daten

preliminary data

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere

eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen

Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu

den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und

gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please

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notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey,

and that we may make delivery depended on the realization

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