FF600R12KE4 [INFINEON]

我们众所周知的 62 mm 1200 V, 600 A 双 IGBT 模块, 采用第四代沟槽/场终止IGBT、发射极控制二极管，是您设计工作的不二之选. 还可提供采用共发射极的型号:FF600R12KE4_E;


型号：	FF600R12KE4
厂家：	Infineon
描述：	我们众所周知的 62 mm 1200 V, 600 A 双 IGBT 模块, 采用第四代沟槽/场终止IGBT、发射极控制二极管，是您设计工作的不二之选. 还可提供采用共发射极的型号:FF600R12KE4_E 双极性晶体管二极管
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF600R12KE4

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiode

62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiode

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 600A / I_CRM= 1200A

TypischeꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Motorꢀdrives

• USV-Systeme

• UPSꢀsystems

• Windgeneratoren

• Windꢀturbines

ElektrischeꢀEigenschaften

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• NiedrigeꢀSchaltverluste

ElectricalꢀFeatures

• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀT_vjꢀop

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• NiedrigesꢀV_CEsat

• LowꢀV_CEsat

• SehrꢀgroßeꢀRobustheit

• Unbeatableꢀrobustness

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

MechanischeꢀEigenschaften

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• HoheꢀLeistungsdichte

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• Highꢀpowerꢀdensity

• IsolierteꢀBodenplatte

• Isolatedꢀbaseꢀplate

• Standardgehäuse

• Standardꢀhousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀCE

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08

revision:ꢀV2.2

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF600R12KE4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

ꢀ

1200

600

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

T_C= 100°C, T_{vj max}= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

1200

+/-20

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 600 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,75 2,20

2,00

2,05

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 23,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,25 5,80 6,35

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

5,00

1,3

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

38,0

1,40

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

400 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 600 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,17

0,18

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 600 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,046

0,048

0,052

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 600 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,40

0,49

0,52

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 600 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,062

0,098

0,11

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 600 A, V_CE= 600 V, L_S= 35 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 11000 A/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Gon= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

16,0

29,5

35,5

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 600 A, V_CE= 600 V, L_S= 35 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

45,5

70,0

78,0

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

2600

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

0,0460 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,0226

K/W

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀCE

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08

revision:ꢀV2.2

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF600R12KE4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

600

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

1200

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

35000

33000

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 600 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,85 2,45

1,80

1,75

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 600 A, - di_F/dt = 11000 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

535

655

680

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 600 A, - di_F/dt = 11000 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

50,5

94,0

110

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 600 A, - di_F/dt = 11000 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

27,0

48,5

54,5

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

0,0929 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,0303

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀCE

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08

revision:ꢀV2.2

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF600R12KE4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolationꢀtestꢀvoltage

V_ISOL

ꢀ

4,0

ꢀ kV

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

29,0

23,0

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

23,0

11,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

> 400

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

L_sCE

mΩ

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

R_CC'+EE'

0,42

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

-40

3,00

2,5

125

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

6,00 Nm

5,0 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse

Terminalꢀconnectionꢀtorque

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

Gewicht

Weight

340

preparedꢀby:ꢀCE

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08

revision:ꢀV2.2

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF600R12KE4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

1200

1100

1000

900

T_vjꢀ=ꢀ150°C

1200

1100

1000

900

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

V_GE= 9V

800

700

600

500

400

300

200

100

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

1200

1100

1000

900

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ0.62ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.62ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

150

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

140

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

130

120

110

100

800

700

600

500

400

300

200

100

200

400

600

I_C[A]

800

1000

1200

V_GE[V]

preparedꢀby:ꢀCE

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08

revision:ꢀV2.2

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF600R12KE4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

180

0,1

E_on, T_vj= 125°C

170

Z_thJC: IGBT

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

160

150

140

130

120

110

100

0,01

r_i[K/W]: 0,00222 0,00379 0,0361 0,00388

τ_i[s]: 0,000608 0,00922 0,0552 0,812

0,001

0,01

0,1

t [s]

R_G[Ω]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.62ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

1400

1200

I_C, Modul

I_C, Chip

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

1200

1000

800

600

400

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0

V_CE[V]

V_F[V]

preparedꢀby:ꢀCE

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08

revision:ꢀV2.2

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF600R12KE4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ0.62ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

200

400

600

I_F[A]

800

1000

1200

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

0,1

Z_thJC: Diode

0,01

r_i[K/W]: 0,00594 0,0388 0,0365 0,0117

τ_i[s]: 0,00073 0,0256 0,0726 0,678

0,001

0,01

0,1

t [s]

preparedꢀby:ꢀCE

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08

revision:ꢀV2.2

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF600R12KE4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

Infineon

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InfineonꢀTechnologiesꢀAG

81726ꢀMünchen,ꢀGermany

AllꢀRightsꢀReserved.

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Nutzungsbedingungen

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WICHTIGERꢀHINWEIS

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes

(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,

dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,

einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.

DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem

DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon

ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder

EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen

ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen

benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).

WARNHINWEIS

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem

ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.

SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten

Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen

vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu

Personenverletzungenꢀführen.

ꢀ

Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

IMPORTANTꢀNOTICE

Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics

(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe

applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout

limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany

applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies

inꢀcustomer’sꢀapplications.

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical

departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin

thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.

Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon

Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).

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Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour

nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.

ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon

Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof

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FF600R12KE4 [INFINEON]

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