FF600R12ME4_B73 [INFINEON]
PressFIT;型号: | FF600R12ME4_B73 |
厂家: | Infineon |
描述: | PressFIT |
文件: | 总9页 (文件大小:630K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
FF600R12ME4_B73
EconoDUAL™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EconoDUAL™3ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VCES = 1200V
IC nom = 600A / ICRM = 1200A
PotentielleꢀAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
PotentialꢀApplications
• Highꢀpowerꢀconverters
• Motorꢀdrives
• Servoumrichter
• Servoꢀdrives
• USV-Systeme
• UPSꢀsystems
• Windgeneratoren
• Windꢀturbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiedrigesꢀVCEsat
ElectricalꢀFeatures
• LowꢀVCEsat
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
• HoheꢀLeistungsdichte
• IsolierteꢀBodenplatte
• Standardgehäuse
MechanicalꢀFeatures
• Highꢀpowerꢀdensity
• Isolatedꢀbaseꢀplate
• Standardꢀhousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.0
www.infineon.com
2017-09-05
FF600R12ME4_B73
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
IC nom
ICRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
tP = 1 ms
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
1200
+/-20
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 600 A, VGE = 15 V
IC = 600 A, VGE = 15 V
IC = 600 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,75 2,10
2,00
2,05
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 23,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
5,20 5,80 6,40
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
4,40
1,2
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
37,0
2,05
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
3,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,16
0,21
0,21
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,09
0,09
0,10
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,48
0,61
0,65
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,07
0,11
0,12
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 5100 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
62,5
83,0
90,0
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
47,0
72,0
79,5
mJ
mJ
mJ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
2400
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
0,0473 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,0304
K/W
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.0
2017-09-05
FF600R12ME4_B73
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
1200
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
40000
37500
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 600 A, VGE = 0 V
IF = 600 A, VGE = 0 V
IF = 600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,65 2,10
1,65
1,65
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 600 A, - diF/dt = 5100 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
VGE = -15 V
290
420
450
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 600 A, - diF/dt = 5100 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
VGE = -15 V
62,0
115
130
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 600 A, - diF/dt = 5100 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
22,0
44,0
51,0
mJ
mJ
mJ
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
0,0767 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,0474
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
3
Vꢀ3.0
2017-09-05
FF600R12ME4_B73
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,4
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
14,5
13,0
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
12,5
10,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
20
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
RCC'+EE'
1,00
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
3,00
3,0
125
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
6,00 Nm
6,0 Nm
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
-
Gewicht
Weight
G
345
Datasheet
4
Vꢀ3.0
2017-09-05
FF600R12ME4_B73
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
1200
1200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
1000
800
600
400
200
1000
800
600
400
200
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
1200
400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
350
300
250
200
150
100
50
Eoff, Tvj = 150°C
1000
800
600
400
200
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
13
0
200
400
600
IC [A]
800
1000
1200
Vꢀ3.0
VGE [V]
Datasheet
5
2017-09-05
FF600R12ME4_B73
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
400
0,1
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
350
300
250
200
150
100
50
Eoff, Tvj = 150°C
0,01
i:
ri[K/W]: 0,00331 0,0323 0,00901 0,00268
τi[s]: 0,00168 0,0399 0,278 2,55
1
2
3
4
0
0,001
0,001
0
2
4
6
8
10
12
14
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
1300
1200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1200
IC, Modul
IC, Chip
1100
1000
800
600
400
200
0
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V]
VF [V]
Datasheet
6
Vꢀ3.0
2017-09-05
FF600R12ME4_B73
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
IFꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
80
60
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
70
60
50
40
30
20
10
0
50
40
30
20
10
0
0
200
400
600
IF [A]
800
1000
1200
0
2
4
6
8
10
12
14
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
0,1
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
10000
1000
100
0,01
i:
ri[K/W]: 0,00663 0,0531 0,0134 0,00357
τi[s]: 0,00168 0,0375 0,237 2,68
1
2
3
4
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
0
20
40
60
80
TNTC [°C]
100 120 140 160
t [s]
Datasheet
7
Vꢀ3.0
2017-09-05
FF600R12ME4_B73
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
8
Vꢀ3.0
2017-09-05
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2017-09-05
©ꢀ2017ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
AllꢀRightsꢀReserved.
Publishedꢀby
InfineonꢀTechnologiesꢀAG
81726ꢀMünchen,ꢀGermany
Doꢀyouꢀhaveꢀaꢀquestionꢀaboutꢀthisꢀdocument?
Email:ꢀerratum@infineon.com
ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes
(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
WARNHINWEIS
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
Personenverletzungenꢀführen.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
IMPORTANTꢀNOTICE
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).
WARNINGS
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
相关型号:
FF600R17KE3B2NOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 950A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
INFINEON
FF600R17KE3NOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
INFINEON
FF600R17ME4
Insulated Gate Bipolar Transistor, 950A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明