FF600R12ME4_B73 [INFINEON]

PressFIT;
FF600R12ME4_B73
型号: FF600R12ME4_B73
厂家: Infineon    Infineon
描述:

PressFIT

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FF600R12ME4_B73  
EconoDUAL™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
EconoDUAL™3ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
VCES = 1200V  
IC nom = 600A / ICRM = 1200A  
PotentielleꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Motorantriebe  
PotentialꢀApplications  
• Highꢀpowerꢀconverters  
• Motorꢀdrives  
• Servoumrichter  
• Servoꢀdrives  
• USV-Systeme  
• UPSꢀsystems  
• Windgeneratoren  
• Windꢀturbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• NiedrigesꢀVCEsat  
ElectricalꢀFeatures  
• LowꢀVCEsat  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient  
MechanischeꢀEigenschaften  
• HoheꢀLeistungsdichte  
• IsolierteꢀBodenplatte  
• Standardgehäuse  
MechanicalꢀFeatures  
• Highꢀpowerꢀdensity  
• Isolatedꢀbaseꢀplate  
• Standardꢀhousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.0  
www.infineon.com  
2017-09-05  
FF600R12ME4_B73  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
IC nom  
ICRM  
1200  
600  
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 100°C, Tvj max = 175°C  
tP = 1 ms  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
1200  
+/-20  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
VGES  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 600 A, VGE = 15 V  
IC = 600 A, VGE = 15 V  
IC = 600 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,75 2,10  
2,00  
2,05  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 23,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
VGEth  
QG  
5,20 5,80 6,40  
V
µC  
Gateladung  
Gateꢀcharge  
4,40  
1,2  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
37,0  
2,05  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
3,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,16  
0,21  
0,21  
µs  
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,09  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,48  
0,61  
0,65  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,07  
0,11  
0,12  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 5100 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C  
RGon = 1,5 Ω  
Tvj = 25°C  
62,5  
83,0  
90,0  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
Tvj = 150°C  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH  
VGE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C  
RGoff = 1,5 Ω  
Tvj = 25°C  
47,0  
72,0  
79,5  
mJ  
mJ  
mJ  
Tvj = 150°C  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE 15 V, VCC = 800 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP 10 µs, Tvj = 150°C  
2400  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
0,0473 K/W  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
0,0304  
K/W  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
Datasheet  
2
Vꢀ3.0  
2017-09-05  
FF600R12ME4_B73  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
1200  
600  
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
1200  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
40000  
37500  
A²s  
A²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 600 A, VGE = 0 V  
IF = 600 A, VGE = 0 V  
IF = 600 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,65 2,10  
1,65  
1,65  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 600 A, - diF/dt = 5100 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
290  
420  
450  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 600 A, - diF/dt = 5100 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
62,0  
115  
130  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 600 A, - diF/dt = 5100 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
22,0  
44,0  
51,0  
mJ  
mJ  
mJ  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
0,0767 K/W  
K/W  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
0,0474  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
5,00  
Nennwiderstand  
Ratedꢀresistance  
TNTC = 25°C  
R25  
R/R  
P25  
kΩ  
AbweichungꢀvonꢀR100  
DeviationꢀofꢀR100  
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω  
-5  
5
%
Verlustleistung  
Powerꢀdissipation  
TNTC = 25°C  
20,0 mW  
B-Wert  
B-value  
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
B25/50  
B25/80  
B25/100  
3375  
3411  
3433  
K
K
K
B-Wert  
B-value  
B-Wert  
B-value  
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.  
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.  
Datasheet  
3
Vꢀ3.0  
2017-09-05  
FF600R12ME4_B73  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
VISOL  
3,4  
Cu  
kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Al2O3  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
14,5  
13,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
12,5  
10,0  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 200  
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
LsCE  
20  
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
RCC'+EE'  
1,00  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
3,00  
3,0  
125  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
6,00 Nm  
6,0 Nm  
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
M
-
Gewicht  
Weight  
G
345  
Datasheet  
4
Vꢀ3.0  
2017-09-05  
FF600R12ME4_B73  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
1200  
1200  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 19V  
VGE = 17V  
VGE = 15V  
VGE = 13V  
VGE = 11V  
VGE = 9V  
1000  
800  
600  
400  
200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.5ꢀ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
1200  
400  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
Eoff, Tvj = 150°C  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
5
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
200  
400  
600  
IC [A]  
800  
1000  
1200  
Vꢀ3.0  
VGE [V]  
Datasheet  
5
2017-09-05  
FF600R12ME4_B73  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
400  
0,1  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
Eoff, Tvj = 150°C  
0,01  
i:  
ri[K/W]: 0,00331 0,0323 0,00901 0,00268  
τi[s]: 0,00168 0,0399 0,278 2,55  
1
2
3
4
0
0,001  
0,001  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG []  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
1300  
1200  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1200  
IC, Modul  
IC, Chip  
1100  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000 1200 1400  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4  
VCE [V]  
VF [V]  
Datasheet  
6
Vꢀ3.0  
2017-09-05  
FF600R12ME4_B73  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ1.5ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
IFꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
80  
60  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
50  
40  
30  
20  
10  
0
0
200  
400  
600  
IF [A]  
800  
1000  
1200  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
RG []  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)  
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)  
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)  
0,1  
100000  
ZthJC : Diode  
Rtyp  
10000  
1000  
100  
0,01  
i:  
ri[K/W]: 0,00663 0,0531 0,0134 0,00357  
τi[s]: 0,00168 0,0375 0,237 2,68  
1
2
3
4
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
0
20  
40  
60  
80  
TNTC [°C]  
100 120 140 160  
t [s]  
Datasheet  
7
Vꢀ3.0  
2017-09-05  
FF600R12ME4_B73  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
Infineon  
Datasheet  
8
Vꢀ3.0  
2017-09-05  
Trademarks  
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相关型号:

INFINEON

FF600R16KF1

TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C) | M:HL124HW114
ETC

FF600R16KF4

Maximum rated values / Electrical properties
EUPEC

FF600R17KE3

IGBT-modules
EUPEC

FF600R17KE3B2NOSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 950A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
INFINEON

FF600R17KE3NOSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
INFINEON

FF600R17KE3_B2

IGBT-modules
EUPEC

FF600R17KF6CB2V

IGBT Module
ETC

FF600R17ME4

Insulated Gate Bipolar Transistor, 950A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
INFINEON

FF600R17ME4B11BOSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor,
INFINEON
INFINEON

FF60A

Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 6000V V(RRM),
SEMTECH