FF8MR12W2M1P_B11 [INFINEON]

PressFIT;


型号：	FF8MR12W2M1P_B11
厂家：	Infineon
描述：	PressFIT
文件：	总7页 (文件大小：459K)
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FF8MR12W2M1P_B11

EasyDUALꢀModulꢀmitꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTCꢀ/ꢀTIM

EasyDUALꢀmoduleꢀwithꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTCꢀ/ꢀTIM

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_DSS= 1200V

I_{D nom}= 150A / I_DRM= 300A

PotentielleꢀAnwendungen

• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen

• DC/DCꢀWandler

PotentialꢀApplications

• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀapplication

• DC/DCꢀconverter

• SolarꢀAnwendungen

• Solarꢀapplications

• USV-Systeme

• UPSꢀsystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• HoheꢀStromdichte

ElectricalꢀFeatures

• Highꢀcurrentꢀdensity

• Lowꢀinductiveꢀdesign

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• NiederinduktivesꢀDesign

• NiedrigeꢀSchaltverluste

MechanischeꢀEigenschaften

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• PressFITꢀVerbindungstechnik

MechanicalꢀFeatures

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• PressFITꢀcontactꢀtechnology

• Robuste Montage durch integrierte

• Rugged mounting due to integrated mounting

Befestigungsklammern

clamps

• Thermisches Interface Material bereits

• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

aufgetragen

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ2.0

www.infineon.com

2019-08-01

FF8MR12W2M1P_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

MOSFETꢀ/ꢀMOSFET

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Drain-Source-Spannung

Drain-sourceꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_H= 40°C

V_DSS

I_{D nom}

I_{D pulse}

V_GSS

ꢀ

1200

150

ꢀ

Drain-Gleichstrom

T_vj= 175°C, V_GS= 15 V

DCꢀdrainꢀcurrent

GepulsterꢀDrainstrom

Pulsedꢀdrainꢀcurrent

verifiziertꢀdurchꢀDesign,ꢀt_pꢀlimitiertꢀdurchꢀT_vjmax

verifiedꢀbyꢀdesign,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_vjmax

300

Gate-SourceꢀSpannung

Gate-sourceꢀvoltage

-10 / 20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Einschaltwiderstand

Drain-sourceꢀonꢀresistance

I_D= 150 A

V_GS= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

7,50

9,83

11,0

R_{DS on}

mΩ

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_Dꢀ=ꢀ60,0ꢀmA,ꢀV_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

(testedꢀafterꢀ1msꢀpulseꢀatꢀV_GSꢀ=ꢀ+20ꢀV)

V_GS(th)3,45 4,50 5,55

GesamtꢀGateladung

Totalꢀgateꢀcharge

V_GS= -5 V / 15 V, V_DS= 800 V

T_vj= 25°C

Q_G

R_Gint

C_iss

C_oss

C_rss

E_oss

I_DSS

I_GSS

0,372

0,7

µC

Ω

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C

V_DS= 800 V, V_GS= 0 V, V_AC= 25 mV

11,0

0,66

0,084

264

µJ

Ausgangskapazität

Outputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C

V_DS= 800 V, V_GS= 0 V, V_AC= 25 mV

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C

V_DS= 800 V, V_GS= 0 V, V_AC= 25 mV

C_OSSꢀSpeicherenergie

C_OSSꢀstoredꢀenergy

T_vj= 25°C

V_DS= 800 V, V_GS= -5 V / 15 V

Drain-Source-Reststrom

Zeroꢀgateꢀvoltageꢀdrainꢀcurrent

V_DS= 1200 V, V_GS= -5 V

T_vj= 25°C

0,60 530 µA

Gate-Source-Reststrom

Gate-sourceꢀleakageꢀcurrent

V_DS= 0 V

T_vj= 25°C

V_GS= 20 V

V_GS= -10 V

400

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turnꢀonꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_D= 150 A, V_DS= 600 V

V_GS= -5 V / 15 V

R_Gon= 2,40 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

21,5

20,0

19,5

t_{d on}

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_D= 150 A, V_DS= 600 V

V_GS= -5 V / 15 V

R_Gon= 2,40 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

16,5

16,0

t_r

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turnꢀoffꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_D= 150 A, V_DS= 600 V

V_GS= -5 V / 15 V

R_Goff= 2,40 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

57,0

61,0

t_{d off}

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_D= 150 A, V_DS= 600 V

V_GS= -5 V / 15 V

R_Goff= 2,40 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

28,0

28,5

t_f

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_D= 150 A, V_DS= 600 V, Lσ = 35 nH

di/dt = 11,0 kA/µs (T_vj= 150°C)

V_GS= -5 V / 15 V, R_Gon= 2,40 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

2,00

2,10

2,20

E_on

E_off

I_SC

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_D= 150 A, V_DS= 600 V, Lσ = 35 nH

du/dt = 25,0 kV/µs (T_vj= 150°C)

V_GS= -5 V / 15 V, R_Goff= 2,40 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,76

0,77

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GS= -5 V / 15 V, V_DD= 800 V

V_DSmax= V_DSS-L_sDS·di/dt

R_G= 10,0 Ω

t_P≤ 2 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 2 µs, T_vj= 150°C

1260

1230

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀMOSFETꢀ/ꢀperꢀMOSFET

R_thJH

T_{vj op}

0,314 K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

BodyꢀDiodeꢀ/ꢀBodyꢀdiode

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

BodyꢀDiode-Gleichstrom

DCꢀbodyꢀdiodeꢀforwardꢀcurrent

T_vj= 175°C, V_GS= -5 V

T_H= 40°C

I_SD

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

min. typ. max.

I_SD= 150 A, V_GS= -5 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

4,60 5,65

4,35

4,30

V_SD

Datasheet

Vꢀ2.0

2019-08-01

FF8MR12W2M1P_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_NTC= 25°C

R₂₅

5,00

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_NTC= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

∆R/R

P₂₅

-5

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_NTC= 25°C

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

3375

3411

3433

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V_ISOL

ꢀ

3,0

ꢀ kV

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

11,5

6,3

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

10,0

5,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

RTI

> 200

RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)

RTIꢀElec.

Gehäuse

housing

140

ꢀ °C

min. typ. max.

8,0

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

L_sCE

R_CC'+EE'

T_stg

mΩ

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Hꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

0,50

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

-40

125

Höchstzulässige

Bodenplattenbetriebstemperatur

Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature

T_BPmax

°C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder

mountig force per clamp

Gewicht

Weight

The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.

Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design

guidlines described in AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.

Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07

Datasheet

Vꢀ2.0

2019-08-01

FF8MR12W2M1P_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

ÜbertragungscharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_GS

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_DS

)

V_GSꢀ=ꢀ15ꢀV

V_DSꢀ=ꢀ20ꢀV

300

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

T_vj= 25°C

250

200

150

100

250

200

150

100

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

V_DS[V]

2,5

3,0

3,5

4,0

V_GS[V]

SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_D),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_D)

SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀVꢀ,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ2,4ꢀꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ2,4ꢀꢀΩ,ꢀV_DSꢀ=ꢀ600ꢀV

V_GSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_DSꢀ=ꢀ600ꢀV

4,0

18,0

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C; E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C; E_off, T_vj= 150°C

16,0

14,0

12,0

10,0

8,0

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

6,0

4,0

2,0

0,0

100

150

I_D[A]

200

250

300

R_G[Ω]

Datasheet

Vꢀ2.0

2019-08-01

FF8MR12W2M1P_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀMOSFETꢀ(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀMOSFETꢀ(RBSOA)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀMOSFETꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀMOSFETꢀ

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_DS

)

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ+15ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C,ꢀR_Gꢀ=ꢀ2,4ꢀΩ

350

I_D, Modul

I_D, Chip

Z_th: MOSFET

300

250

200

150

100

0,1

r_i[K/W]: 0,0233 0,0817 0,06 0,149

τ_i[s]: 0,0014 0,0166 0,14 0,14

0,01

0,001

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,01

0,1

t [s]

V_DS[V]

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T_NTC

)

100000

R_typ

10000

1000

100

T_NTC[°C]

100 120 140 160

Datasheet

Vꢀ2.0

2019-08-01

FF8MR12W2M1P_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

Datasheet

Vꢀ2.0

2019-08-01

Trademarks

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.

ꢀ

Editionꢀ2019-08-01

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InfineonꢀTechnologiesꢀAG

81726ꢀMünchen,ꢀGermany

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applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout

limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany

applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies

inꢀcustomer’sꢀapplications.

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical

departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin

thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.

Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon

Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).

WARNINGS

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour

nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.

ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon

Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof

theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.

FF8MR12W2M1P_B11 [INFINEON]

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