FP35R12W2T7_B11 [INFINEON]
PressFIT;
| 型号： | FP35R12W2T7_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | PressFIT |
| 文件： | 总14页 (文件大小：860K) |
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FP35R12W2T7_B11
EasyPIM™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EasyPIM™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™IGBT7ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
VCES = 1200V
IC nom = 35A / ICRM = 70A
PotentielleꢀAnwendungen
• Hilfsumrichter
PotentialꢀApplications
• Auxiliaryꢀinverters
• Airꢀconditioning
• Motorꢀdrives
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiedrigesꢀVCEsat
• TrenchstopTMꢀIGBT7
ElectricalꢀFeatures
• LowꢀVCEsat
• TrenchstopTMꢀIGBT7
• Überlastbetriebꢀbisꢀzuꢀ175°C
• Overloadꢀoperationꢀupꢀtoꢀ175°C
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
• Al2O3ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance
Widerstand
• HoheꢀLeistungsdichte
• KompaktesꢀDesign
• Highꢀpowerꢀdensity
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ2.0
www.infineon.com
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICDC
ICRM
VGES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
35
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
70
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 35 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,60 t.b.d.
1,74
1,82
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 0,75 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
5,15 5,80 6,45
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,548
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
6,62
0,023
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
0,0058 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,037
0,043
0,044
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,035
0,037
0,038
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,26
0,32
0,34
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,14
0,24
0,30
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 700 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2,62
3,73
4,45
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2,39
3,73
4,56
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C
tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C
110
100
A
A
ISC
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJH
Tvj op
1,20
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
°C
Datasheet
2
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
35
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
70
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
150
140
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 35 A, VGE = 0 V
IF = 35 A, VGE = 0 V
IF = 35 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,72 t.b.d.
1,59
1,52
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 35 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
22,4
29,6
34,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 35 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2,46
4,80
6,52
µC
µC
µC
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 35 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,12
2,02
2,63
mJ
mJ
mJ
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
1,65
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1600
45
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
TH = 100°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
TH = 100°C
50
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
450
370
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
1010
685
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 35 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
0,95
VF
IR
V
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Reverseꢀcurrent
1,00
1,36
mA
K/W
°C
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
Datasheet
3
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICDC
ICRM
VGES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
35
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
70
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 35 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,60 t.b.d.
1,74
1,82
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 0,75 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
5,15 5,80 6,45
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,548
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
6,62
0,023
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
0,0039 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,035
0,041
0,043
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,037
0,038
0,041
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,25
0,31
0,33
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,11
0,21
0,27
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 700 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2,53
3,47
4,21
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2,41
3,74
4,58
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C
tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C
110
100
A
A
ISC
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJH
Tvj op
1,20
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
°C
Datasheet
4
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
10
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
20
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
27,5
24,0
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,72 t.b.d.
1,59
1,52
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
9,83
14,7
16,1
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,93
1,66
2,13
µC
µC
µC
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,26
0,51
0,73
mJ
mJ
mJ
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
2,44
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
5
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 200
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
30
nH
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
RCC'+EE'
RAA'+CC'
5,00
6,00
THꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
mΩ
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
F
-40
40
125
80
°C
N
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
Weight
G
39
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen
Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.
Datasheet
6
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ175°C
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE
= 9V
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
16
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
14
12
10
8
Eoff, Tvj = 175°C
6
4
2
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
VGE [V]
IC [A]
Datasheet
7
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
18
10
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
tdon
tr
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
tdoff
tf
16
14
1
12
10
8
0,1
6
0,01
0,001
4
2
0
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
IC [A]
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
dv/dtꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
dv/dtꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
dv/dtꢀ=ꢀf(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
10
13
tdon
tr
tdoff
tf
dv/dt-on at 1/10 × Ic
dv/dt-off at Ic
12
11
10
9
1
8
7
6
5
0,1
4
3
2
1
0,01
0
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
0
10
20
30
RG [Ohm]
40
50
60
Datasheet
8
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
10
80
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
70
60
50
40
30
20
10
0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,047
τi[s]:
1
2
3
4
0,159
0,289 0,705
0,000595 0,00866 0,0505 0,198
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
VCE [V]
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
Cꢀ=ꢀf(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz
ICꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
100
15
Cies
Coes
Cres
VCE = 600 V
10
5
10
1
0
0,1
-5
0,01
0,001
-10
-15
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0,00
0,10
0,20
0,30
QG [µC]
0,40
0,50
0,60
VCE [V]
Datasheet
9
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
70
3,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
VF [V]
IF [A]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJHꢀꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
3,0
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
ZthJH : Diode
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,1
τi[s]: 0,000685 0,0115 0,0786 0,323
1
2
3
4
0,348 0,747 0,455
0,01
0,001
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
0,01
0,1
1
10
t [s]
Datasheet
10
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀGleichrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀRectifierꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀGleichrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀRectifierꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
70
10
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
ZthJH: Diode
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,066
τi[s]: 0,00216 0,0181 0,0786 0,251
1
2
3
4
0,199 0,458 0,637
0
0,01
0,001
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
0,01
0,1
t [s]
1
10
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VF [V]
Datasheet
11
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(TNTC
)
100000
Rtyp
10000
1000
100
10
0
25
50
75
100
125
150
175
TNTC [°C]
Datasheet
12
Vꢀ2.0
2020-02-25
FP35R12W2T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
13
Vꢀ2.0
2020-02-25
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
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ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
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SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten
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Personenverletzungenꢀführen.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
IMPORTANTꢀNOTICE
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).
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Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
相关型号：
FP4-090SK-R
General Purpose Inductor, 0.09uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, ROHS COMPLIANT
COOPER
FP4-120-R
General Purpose Inductor, 0.12uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, ROHS COMPLIANT
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FP4-150-R
General Purpose Inductor, 0.15uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, ROHS COMPLIANT
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