FS100R12W2T7B11BOMA1

FS100R12W2T7_B11

EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™IGBT7ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

J

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 100A / I_CRM= 200A

PotentielleꢀAnwendungen

• Hilfsumrichter

PotentialꢀApplications

• Auxiliaryꢀinverters

• Airꢀconditioning

• Motorꢀdrives

• Klimaanlagen

• Motorantriebe

• Servoumrichter

• USV-Systeme

• Servoꢀdrives

• UPSꢀsystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• NiedrigesꢀV_CEsat

• Trenchstop^TMꢀIGBT7

ElectricalꢀFeatures

• LowꢀV_CEsat

• Trenchstop^TMꢀIGBT7

• Überlastbetriebꢀbisꢀzuꢀ175°C

• Overloadꢀoperationꢀupꢀtoꢀ175°C

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• Al₂O₃Substrat mit kleinem thermischen

• Al₂O₃ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance

Widerstand

• HoheꢀLeistungsdichte

• KompaktesꢀDesign

• Highꢀpowerꢀdensity

• Compactꢀdesign

• PressFITꢀVerbindungstechnik

• PressFITꢀcontactꢀtechnology

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ2.1

www.infineon.com

2018-12-03

FS100R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_CN

ꢀ

1200

100

70

ꢀ

V

A

V

ImplementierterꢀKollektor-Strom

Implementedꢀcollectorꢀcurrent

Kollektor-Dauergleichstrom

T_H= 65°C, T_{vj max}= 175°C

I_CDC

I_CRM

V_GES

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

200

+/-20

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 100 A

V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

1,50 t.b.d.

1,64

1,72

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 4,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 / 15 V, V_CE= 600 V

T_vj= 25°C

V_GEth

Q_G

5,15 5,80 6,45

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

1,80

1,5

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 100 kHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

21,7

0,075

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

0,009 mA

100 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,15

0,168

0,175

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,04

0,044

0,046

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,29

0,37

0,405

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,10

0,19

0,25

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, Lσ = 35 nH

di/dt = 2200 A/µs (T_vj= 175°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

5,00

6,60

7,80

mJ

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, Lσ = 35 nH

du/dt = 2800 V/µs (T_vj= 175°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

6,20

9,90

12,6

mJ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 150°C

t_P≤ 7 µs, T_vj= 175°C

370

350

A

I_SC

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJH

T_{vj op}

0,750

K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

175

°C

Datasheet

2

Vꢀ2.1

2018-12-03

FS100R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

100

ꢀ

V

A

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

200

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 175°C

970

860

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 100 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

1,72 t.b.d.

1,59

1,52

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 100 A, - di_F/dt = 2200 A/µs (T_vj=175°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

99,0

134

154

A

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 100 A, - di_F/dt = 2200 A/µs (T_vj=175°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

8,50

14,4

19,5

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 100 A, - di_F/dt = 2200 A/µs (T_vj=175°C) T_vj= 25°C

2,30

5,60

7,60

mJ

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJH

T_{vj op}

1,20

K/W

°C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

175

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

5,00

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_NTC= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_NTC= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

-5

5

%

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_NTC= 25°C

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

3375

3411

3433

K

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

Datasheet

3

Vꢀ2.1

2018-12-03

FS100R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V_ISOL

ꢀ

2,5

ꢀ kV

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

11,5

6,3

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

10,0

5,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

RTI

> 200

RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)

RTIꢀElec.

Gehäuse

housing

140

ꢀ °C

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

L_sCE

40

nH

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

T_Hꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

R_CC'+EE'

4,00

mΩ

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

F

-40

40

125

80

°C

N

Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder

mountig force per clamp

-

Gewicht

Weight

G

39

g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.

The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.

T_{vj op}> 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen.

T_{vj op}> 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.

Datasheet

4

Vꢀ2.1

2018-12-03

FS100R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ175°C

200

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

175

150

125

100

75

175

150

125

100

75

V_GE

= 9V

50

25

0

0,0

0,5

1,0

1,5

V_CE[V]

2,0

2,5

3,0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

200

22

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 175°C

E_off, T_vj= 125°C

20

175

150

125

100

75

E_off, T_vj= 175°C

18

16

14

12

10

8

6

50

4

25

2

0

5

0

6

7

8

9

10

11

12

13

0

25

50

75

100 125 150 175 200

I_C[A]

V_GE[V]

Datasheet

5

Vꢀ2.1

2018-12-03

FS100R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ175°C

40

10

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 175°C

E_off, T_vj= 125°C

t_don

t_r

t_doff

t_f

35

30

25

20

15

10

5

E_off, T_vj= 175°C

1

0,1

0,01

0,001

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

R_G[Ω]

0

50

100

I_C[A]

150

200

SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ175°C

dv/dtꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

dv/dtꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

dv/dtꢀ=ꢀf(R_G)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

10

7

t_don

t_r

dv/dt-on at 1/10 I_nom

dv/dt-off at I_nom

t_doff

t_f

6

5

4

3

2

1

0

1

0,1

0,01

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

R_G[Ω]

0

2

4

6

8 10 12 14 16 18 20

R_G[Ohm]

Datasheet

6

Vꢀ2.1

2018-12-03

FS100R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ175°C

1

250

Z_thJH: IGBT

I_C, Modul

I_C, Chip

200

150

100

50

0,1

i:

r_i[K/W]: 0,026

τ_i[s]: 0,000974 0,247 0,266 1,6

1

2

3

4

0,548 0,108 0,068

0,01

0,001

0

0,01

0,1

t [s]

1

10

0

200

400

600

800

1000 1200 1400

V_CE[V]

KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

V_GEꢀ=ꢀf(Q_G)

Cꢀ=ꢀf(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz

I_Cꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

1000

15

C_ies

C_oes

C_res

V_CE= 600 V

100

10

5

1

0

0,1

-5

0,01

0,001

-10

-15

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8

V_CE[V]

Q_G[µC]

Datasheet

7

Vꢀ2.1

2018-12-03

FS100R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

R_Gonꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

200

12

T_vj= 25°C

E_rec, T_vj= 125°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

E_rec, T_vj= 175°C

11

175

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

150

125

100

75

50

25

0

0,00

0,50

1,00

1,50

2,00

2,50

0

25

50

75

100 125 150 175 200

I_F[A]

V_F[V]

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJHꢀꢀ=ꢀfꢀ(t)

I_Fꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

10

E_rec, T_vj= 125°C

Z_thJH: Diode

E_rec, T_vj= 175°C

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

0,1

i:

r_i[K/W]: 0,055

τ_i[s]: 0,00106 0,0253 0,205 1,7

1

2

3

4

0,259 0,648 0,238

0,01

0,001

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

R_G[Ω]

0,01

0,1

1

10

t [s]

Datasheet

8

Vꢀ2.1

2018-12-03

FS100R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

100000

R_typ

10000

1000

100

0

20

40

60

80

T_NTC[°C]

100 120 140 160

Datasheet

9

Vꢀ2.1

2018-12-03

FS100R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

J

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

Infineon

Datasheet

10

Vꢀ2.1

2018-12-03

Trademarks

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.

ꢀ

Editionꢀ2018-12-03

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InfineonꢀTechnologiesꢀAG

81726ꢀMünchen,ꢀGermany

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型号：	FS100R12W2T7B11BOMA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 栅
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FS100R12W2T7B11BOMA1 [INFINEON]

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