FS150R17N3E4_技术文档

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17N3E4

EconoPACK™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀNTC

EconoPACK™3ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀandꢀNTC

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1700V

I_{C nom}= 150A / I_CRM= 300A

TypischeꢀAnwendungen

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• MotorꢀDrives

• USV-Systeme

• UPSꢀSystems

ElektrischeꢀEigenschaften

ElectricalꢀFeatures

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• NiedrigesꢀV_CEsat

• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT_vjꢀop

• LowꢀV_CEsat

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• IsolierteꢀBodenplatte

MechanicalꢀFeatures

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• IsolatedꢀBaseꢀPlate

• Lötverbindungstechnik

• SolderꢀContactꢀTechnology

• StandardꢀHousing

• Standardgehäuse

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17N3E4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

P_tot

ꢀ

1700

150

ꢀ

V

A

Kollektor-Dauergleichstrom

T_C= 100°C, T_{vj max}= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

300

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gesamt-Verlustleistung

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

Totalꢀpowerꢀdissipation

835

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

V

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,95 2,30

2,35

2,45

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 6,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,2

5,8

1,70

5,0

13,5

0,44

ꢀ

6,4

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

100 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,20

0,22

0,23

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,03

0,04

0,05

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,51

0,61

0,64

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,29

0,52

0,60

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 4900 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

18,0

29,0

32,0

mJ

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 0,62 Ω

T_vj= 25°C

26,5

43,5

49,0

mJ

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

700

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,18 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,083

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

°C

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.0

2

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17N3E4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1700

150

ꢀ

V

A

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

300

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

3800

3700

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 150 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,80 2,20

1,90

1,95

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 150 A, - di_F/dt = 4900 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 900 V

V_GE= -15 V

320

A

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

ꢀ

340

350

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 150 A, - di_F/dt = 4900 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 900 V

V_GE= -15 V

26,0

53,0

61,0

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 150 A, - di_F/dt = 4900 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 900 V

V_GE= -15 V

22,0

35,0

39,0

mJ

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,34 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,155

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

°C

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_C= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

ꢀ

-5

ꢀ

5,00

ꢀ

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_C= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

5

%

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_C= 25°C

ꢀ

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

ꢀ

3375

3411

3433

ꢀ

K

B-Wert

B-value

ꢀ

B-Wert

B-value

ꢀ

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.0

3

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17N3E4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolationꢀtestꢀvoltage

V_ISOL

ꢀ

3,4

Cu

ꢀ kV

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

ꢀ

Al₂O₃

10,0

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

ꢀ

ꢀ mm

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

7,5

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

ꢀ

CTI

> 200

ꢀ

min. typ. max.

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule

R_thCH

L_sCE

ꢀ

0,009

28

K/W

nH

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

ꢀ

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

ꢀ

R_CC'+EE'

ꢀ

1,80

mΩ

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

M

-40

3,00

ꢀ

-

125 °C

6,00 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

Gewicht

Weight

ꢀ

G

300

ꢀ

g

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.0

4

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17N3E4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

300

275

250

225

200

175

150

125

100

75

T_vjꢀ=ꢀ150°C

300

275

250

225

200

175

150

125

100

75

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GE= 20V

V_GE= 15V

V_GE= 12V

V_GE= 10V

V_GE= 9V

V_GE= 8V

50

25

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

V_CE[V]

2,5

3,0

3,5

4,0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

300

275

250

225

200

175

150

125

100

75

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ0.62ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.62ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ900ꢀV

90

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

80

E_off, T_vj= 150°C

70

60

50

40

30

20

10

0

50

25

0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

0

50

100

150

I_C[A]

200

250

300

V_GE[V]

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.0

5

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17N3E4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ900ꢀV

80

1

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 150°C

Z_thJC: IGBT

70

60

50

40

30

20

10

0

0,1

0,01

i:

1

2

3

4

r_i[K/W]: 0,0108 0,0594 0,0576 0,0522

τ_i[s]:

0,01

0,02

0,05

0,1

0,001

0

1

2

3

4

5

6

0,001

0,01

0,1

1

R_G[Ω]

t [s]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.62ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

350

300

I_C, Modul

I_C, Chip

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

275

250

225

200

175

150

125

100

75

300

250

200

150

100

50

25

0

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800

0,0

0,5

1,0

1,5

V_F[V]

2,0

2,5

3,0

V_CE[V]

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.0

6

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17N3E4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ0.62ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ900ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ900ꢀV

60

50

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

55

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

50

100

150

I_F[A]

200

250

300

0

1

2

3

4

5

6

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

1

100000

Z_thJC: Diode

R_typ

10000

1000

100

0,1

i:

1

2

3

4

r_i[K/W]: 0,0204 0,1122 0,1088 0,0986

τ_i[s]:

0,01

0,02

0,05

0,1

0,01

0,001

0,01

0,1

1

0

20

40

60

80

T_C[°C]

100 120 140 160

t [s]

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.0

7

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17N3E4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline

J

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines

Infineon

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.0

8

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17N3E4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Nutzungsbedingungen

ꢀ

DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung

derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese

AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.

InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine

solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien

jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund

MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine

spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin

Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin

diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.

SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden

Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;

-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund

ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.

Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.

InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.

Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill

haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch

application.

Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted

exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits

characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.

Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof

ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically

interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe

salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease

note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend

-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;

-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;

-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon

ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.

Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.

Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.0

9


型号：	FS150R17N3E4
厂家：	Infineon
描述：	EconoPACK™ 3 1700 V，150 A 六单元 IGBT 模块，采用第四代快速TRENCHSTOP™ IGBT、第四代发射极控制二极管和NTC 温度检测。还可提供采用压接技术的型号：FS150R17N3E4_B11. 双极性晶体管二极管
文件：	总9页 (文件大小：687K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

FS150R17N3E4 [INFINEON]

相关型号：

FS150R17N3E4B11BOSA1

FS150R17N3E4BOSA1

FS150R17N3E4_B11

FS150R17PE4

FS150R17PE4BOSA1

FS156-C

FS1575

FS15FL

FS15PL

FS15R06KF

FS15R06KF2

FS15R06KFS