FS25R12W1T7P_B11 [INFINEON]
TIM;
| 型号： | FS25R12W1T7P_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | TIM |
| 文件： | 总11页 (文件大小：701K) |
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FS25R12W1T7P_B11
EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTCꢀ/ꢀTIM
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™IGBT7ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTCꢀ/ꢀTIM
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
VCES = 1200V
IC nom = 25A / ICRM = 50A
PotentielleꢀAnwendungen
• Hilfsumrichter
PotentialꢀApplications
• Auxiliaryꢀinverters
• Airꢀconditioning
• Motorꢀdrives
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
• USV-Systeme
• Servoꢀdrives
• UPSꢀsystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiedrigesꢀVCEsat
• TrenchstopTMꢀIGBT7
ElectricalꢀFeatures
• LowꢀVCEsat
• TrenchstopTMꢀIGBT7
• Überlastbetriebꢀbisꢀzuꢀ175°C
• Overloadꢀoperationꢀupꢀtoꢀ175°C
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
• Al2O3ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance
Widerstand
• HoheꢀLeistungsdichte
• KompaktesꢀDesign
• Highꢀpowerꢀdensity
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
• Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ2.0
www.infineon.com
2020-03-25
FS25R12W1T7P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICDC
ICRM
VGES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
25
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
50
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 25 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,60 t.b.d.
1,74
1,82
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 0,525 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
5,15 5,80 6,45
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,395
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
4,77
0,017
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
0,0056 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,035
0,036
0,043
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,021
0,026
0,031
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,19
0,26
0,38
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,19
0,27
0,29
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 650 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,78
2,57
3,18
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,68
2,67
3,20
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C
tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C
80
75
A
A
ISC
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
1,48 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
°C
Datasheet
2
Vꢀ2.0
2020-03-25
FS25R12W1T7P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
35
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
50
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
150
140
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 35 A, VGE = 0 V
IF = 35 A, VGE = 0 V
IF = 35 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,72 t.b.d.
1,59
1,52
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 35 A, - diF/dt = 750 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
22,5
29,8
33,8
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 35 A, - diF/dt = 750 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2,84
5,22
6,84
µC
µC
µC
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 35 A, - diF/dt = 750 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,08
1,99
2,60
mJ
mJ
mJ
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
1,74 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
3
Vꢀ2.0
2020-03-25
FS25R12W1T7P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 200
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
Tstg
30
nH
°C
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
40
125
125
80
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
TBPmax
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
-
N
g
Gewicht
Weight
G
24
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.
Storage and shipment of modules with TIM => see AN 2012-07
Datasheet
4
Vꢀ2.0
2020-03-25
FS25R12W1T7P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ175°C
50
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
45
40
35
30
25
20
15
10
5
VGE
= 9V
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
50
11
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
10
45
40
35
30
25
20
15
10
5
Eoff, Tvj = 175°C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
VGE [V]
IC [A]
Datasheet
5
Vꢀ2.0
2020-03-25
FS25R12W1T7P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
10
10
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
tdon
tr
tdoff
tf
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
0,1
0,01
0,001
0
10
20
30
40
50
60
70
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
RG [Ω]
IC [A]
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
dv/dtꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
dv/dtꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
dv/dtꢀ=ꢀf(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
10
10
tdon
tr
tdoff
tf
dv/dt-on at 1/10×IC
dv/dt-off at IC
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
0,1
0,01
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30 40
RG [Ω]
50
60
70
RG [Ω]
Datasheet
6
Vꢀ2.0
2020-03-25
FS25R12W1T7P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
10
60
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
50
40
30
20
10
0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,099 0,299 0,949 0,133
τi[s]: 0,001 0,0143 0,143 0,703
1
2
3
4
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
VCE [V]
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
Cꢀ=ꢀf(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz
ICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
1000
15
Cies
Coes
Cres
VCE = 600 V
100
10
10
5
1
0
0,1
-5
0,01
0,001
-10
-15
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40
VCE [V]
QG [µC]
Datasheet
7
Vꢀ2.0
2020-03-25
FS25R12W1T7P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
70
3,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
VF [V]
IF [A]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJHꢀꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
3,0
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
ZthJH : Diode
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,085
τi[s]: 0,000577 0,0075 0,0439 0,166
1
2
3
4
0,227 0,591 0,837
0,01
0,001
0
10
20
30
40
50
60
70
0,01
0,1
1
10
RG [Ω]
t [s]
Datasheet
8
Vꢀ2.0
2020-03-25
FS25R12W1T7P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(TNTC
)
100000
Rtyp
10000
1000
100
10
0
25
50
75
100
125
150
175
TNTC [°C]
Datasheet
9
Vꢀ2.0
2020-03-25
FS25R12W1T7P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
10
Vꢀ2.0
2020-03-25
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2020-03-25
©ꢀ2020ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
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Publishedꢀby
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81726ꢀMünchen,ꢀGermany
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ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes
(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
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EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
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SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
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DC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, 100W, Hybrid, HEAT SINK, METAL, CASE S02, MODULE
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