FS35R12W1T7_B11 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor,;
| 型号： | FS35R12W1T7_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor, 栅 |
| 文件： | 总11页 (文件大小：806K) |
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FS35R12W1T7_B11
EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™IGBT7ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
VCES = 1200V
IC nom = 35A / ICRM = 70A
PotentielleꢀAnwendungen
• Hilfsumrichter
PotentialꢀApplications
• Auxiliaryꢀinverters
• Airꢀconditioning
• Motorꢀdrives
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
• USV-Systeme
• Servoꢀdrives
• UPSꢀsystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiedrigesꢀVCEsat
• TrenchstopTMꢀIGBT7
ElectricalꢀFeatures
• LowꢀVCEsat
• TrenchstopTMꢀIGBT7
• Überlastbetriebꢀbisꢀzuꢀ175°C
• Overloadꢀoperationꢀupꢀtoꢀ175°C
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
• Al2O3ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance
Widerstand
• HoheꢀLeistungsdichte
• KompaktesꢀDesign
• Highꢀpowerꢀdensity
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ2.0
www.infineon.com
2019-10-30
FS35R12W1T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICDC
ICRM
VGES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
35
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
70
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 35 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,60 t.b.d.
1,74
1,82
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 0,75 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
5,15 5,80 6,45
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,548
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
6,62
0,023
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
0,0073 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,037
0,043
0,044
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,035
0,037
0,038
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,26
0,32
0,34
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,14
0,24
0,30
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 700 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2,62
3,74
4,45
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2,39
3,73
4,56
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C
tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C
110
100
A
A
ISC
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJH
Tvj op
1,27
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
°C
Datasheet
2
Vꢀ2.0
2019-10-30
FS35R12W1T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
35
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
70
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
150
140
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 35 A, VGE = 0 V
IF = 35 A, VGE = 0 V
IF = 35 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,72 t.b.d.
1,59
1,52
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 35 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
22,4
29,6
34,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 35 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2,46
4,80
6,52
µC
µC
µC
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 35 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,12
2,03
2,64
mJ
mJ
mJ
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
1,81
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
3
Vꢀ2.0
2019-10-30
FS35R12W1T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 200
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
Tstg
F
30
nH
°C
N
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
40
125
80
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
Weight
G
24
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen.
Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.
Datasheet
4
Vꢀ2.0
2019-10-30
FS35R12W1T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ175°C
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE
= 9V
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
16
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
14
12
10
8
Eoff, Tvj = 175°C
6
4
2
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
VGE [V]
IC [A]
Datasheet
5
Vꢀ2.0
2019-10-30
FS35R12W1T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
18
10
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
tdon
tr
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
tdoff
tf
16
14
1
12
10
8
0,1
6
0,01
0,001
4
2
0
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
IC [A]
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
dv/dtꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
dv/dtꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
dv/dtꢀ=ꢀf(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
10
13
tdon
tr
tdoff
tf
dv/dt-on at 1/10 × IC
dv/dt-off at IC
12
11
10
9
1
8
7
6
5
0,1
4
3
2
1
0,01
0
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
Datasheet
6
Vꢀ2.0
2019-10-30
FS35R12W1T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
10
80
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
70
60
50
40
30
20
10
0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,05
τi[s]:
1
2
0,15
3
0,32
4
0,75
0,0006 0,0081 0,0459 0,182
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
VCE [V]
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
Cꢀ=ꢀf(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz
ICꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
1000
15
Cies
Coes
Cres
VCE = 600 V
100
10
10
5
1
0
0,1
-5
0,01
0,001
-10
-15
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0,00
0,10
0,20
0,30
QG [µC]
0,40
0,50
0,60
VCE [V]
Datasheet
7
Vꢀ2.0
2019-10-30
FS35R12W1T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ5.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
70
3,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
VF [V]
IF [A]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJHꢀꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
3,0
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
ZthJH : Diode
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,09
τi[s]:
1
2
0,29
3
0,71
4
0,72
0,000655 0,0096 0,0598 0,195
0,01
0,001
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
0,01
0,1
t [s]
1
10
Datasheet
8
Vꢀ2.0
2019-10-30
FS35R12W1T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(TNTC
)
100000
Rtyp
10000
1000
100
10
0
25
50
75
100
125
150
175
TNTC [°C]
Datasheet
9
Vꢀ2.0
2019-10-30
FS35R12W1T7_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
10
Vꢀ2.0
2019-10-30
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2019-10-30
©ꢀ2019ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
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ꢀ
ꢀ
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einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
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Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
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