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FS3L40R07W2H5F_B11 [INFINEON]

PressFIT;
FS3L40R07W2H5F_B11
型号： FS3L40R07W2H5F_B11
厂家： Infineon    Infineon
描述：

PressFIT
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FS3L40R07W2H5F_B11  
EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀ5ꢀH5ꢀundꢀCoolSiC™ꢀSchottkyꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™ꢀ5ꢀH5ꢀandꢀCoolSiC™ꢀSchottkyꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
VCES = 650V  
IC nom = 40A / ICRM = 80A  
PotentielleꢀAnwendungen  
• 3-Level-Applikationen  
• Motorantriebe  
PotentialꢀApplications  
• 3-level-applications  
• Motorꢀdrives  
• SolarꢀAnwendungen  
• USV-Systeme  
• Solarꢀapplications  
• UPSꢀsystems  
ElektrischeꢀEigenschaften  
ElectricalꢀFeatures  
• CoolSiCTMꢀSchottkyꢀDiodeꢀGenꢀ5  
• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
• CoolSiCTMꢀSchottkyꢀdiodeꢀgenꢀ5  
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀupꢀtoꢀ650V  
• Lowꢀswitchingꢀlosses  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen  
• Al2O3ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance  
Widerstand  
• KompaktesꢀDesign  
• Compactꢀdesign  
• PressFITꢀVerbindungstechnik  
• PressFITꢀcontactꢀtechnology  
• Robuste Montage durch integrierte  
• Rugged mounting due to integrated mounting  
Befestigungsklammern  
clamps  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.0  
www.infineon.com  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
ICN  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650  
40  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom  
Implementedꢀcollectorꢀcurrent  
Kollektor-Dauergleichstrom  
TH = 65°C, Tvj max = 175°C  
ICDC  
ICRM  
VGES  
20  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
tP = 1 ms  
80  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
+/-20  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 20 A  
VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,40 1,81  
1,46  
1,50  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 / 15 V, VCE = 300 V  
Tvj = 25°C  
VGEth  
QG  
3,25 4,00 4,75  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
0,165  
0,0  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
2,00  
0,008  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
0,018 mA  
100 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 20 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGon = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,019  
0,02  
0,02  
µs  
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 20 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGon = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,008  
0,008  
0,008  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 20 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGoff = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,09  
0,11  
0,11  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 20 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGoff = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,014  
0,022  
0,024  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH  
di/dt = 1000 A/µs (Tvj = 150°C)  
VGE = -15 / 15 V, RGon = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,32  
0,44  
0,47  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH  
du/dt = 5600 V/µs (Tvj = 150°C)  
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,10  
0,15  
0,16  
mJ  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C  
180  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJH  
Tvj op  
2,12  
K/W  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
Datasheet  
2
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IFN  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650  
25  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom  
Implementedꢀforwardꢀcurrent  
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
IF  
20  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
IFRM  
I²t  
50  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
50,0  
40,0  
A²s  
A²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 20 A, VGE = 0 V  
IF = 20 A, VGE = 0 V  
IF = 20 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,65 2,15  
1,55  
1,50  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 300 V  
VGE = -15 V  
12,0  
19,0  
21,0  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 300 V  
VGE = -15 V  
1,25  
1,76  
1,99  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
0,28  
0,38  
0,42  
mJ  
mJ  
mJ  
VR = 300 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJH  
Tvj op  
2,78  
K/W  
°C  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
Datasheet  
3
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
IGBT,3-Levelꢀ/ꢀIGBT,3-Level  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
ICN  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650  
40  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom  
Implementedꢀcollectorꢀcurrent  
Kollektor-Dauergleichstrom  
TH = 65°C, Tvj max = 175°C  
ICDC  
ICRM  
VGES  
20  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
tP = 1 ms  
80  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
+/-20  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 20 A  
VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,40 1,81  
1,46  
1,50  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 / 15 V, VCE = 300 V  
Tvj = 25°C  
VGEth  
QG  
3,25 4,00 4,75  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
0,165  
0,0  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
2,00  
0,008  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
0,018 mA  
100 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 20 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGon = 3,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,012  
0,014  
0,014  
µs  
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 20 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGon = 3,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,004  
0,004  
0,004  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 20 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGoff = 3,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,09  
0,11  
0,11  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 20 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGoff = 3,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,014  
0,022  
0,024  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH  
di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C)  
VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,13  
0,16  
0,17  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH  
du/dt = 5500 V/µs (Tvj = 150°C)  
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,10  
0,15  
0,16  
mJ  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C  
180  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJH  
Tvj op  
2,12  
K/W  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
Datasheet  
4
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
Diode,ꢀ3-Levelꢀ/ꢀDiode,ꢀ3-Level  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650  
20  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
40  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
65,0  
60,0  
A²s  
A²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 20 A, VGE = 0 V  
IF = 20 A, VGE = 0 V  
IF = 20 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,45 1,85  
1,60  
1,65  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 300 V  
VGE = 15 V  
26,0  
23,0  
22,0  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 300 V  
VGE = 15 V  
0,29  
0,29  
0,29  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
0,08  
0,08  
0,08  
mJ  
mJ  
mJ  
VR = 300 V  
VGE = 15 V  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJH  
Tvj op  
2,60  
K/W  
°C  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
5,00  
Nennwiderstand  
Ratedꢀresistance  
TNTC = 25°C  
R25  
∆R/R  
P25  
kΩ  
AbweichungꢀvonꢀR100  
DeviationꢀofꢀR100  
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω  
-5  
5
%
Verlustleistung  
Powerꢀdissipation  
TNTC = 25°C  
20,0 mW  
B-Wert  
B-value  
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
B25/50  
B25/80  
B25/100  
3375  
3411  
3433  
K
K
K
B-Wert  
B-value  
B-Wert  
B-value  
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.  
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.  
Datasheet  
5
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5  
ꢀ kV  
ꢀ
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Al2O3  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
11,5  
6,3  
ꢀ mm  
ꢀ mm  
ꢀ
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
10,0  
5,0  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
RTI  
> 200  
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)  
RTIꢀElec.  
Gehäuse  
housing  
140  
ꢀ °C  
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
LsCE  
Tstg  
F
45  
nH  
°C  
N
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
-40  
40  
125  
80  
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder  
mountig force per clamp  
-
Gewicht  
Weight  
G
39  
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.  
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin  
Datasheet  
6
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
40  
40  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 19V  
VGE = 17V  
VGE = 15V  
VGE = 13V  
VGE = 11V  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
VGE  
= 9V  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
VCE [V]  
1,5  
2,0  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ7,5ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ7,5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
40  
1,0  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
0,8  
0,6  
0,4  
0,2  
0,0  
0
4
5
6
7
8
0
10  
20  
30  
40  
VGE [V]  
IC [A]  
Datasheet  
7
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ20ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ7.5ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ7.5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
1,50  
1
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
tdon  
tr  
tdoff  
tf  
1,00  
0,50  
0,00  
0,1  
0,01  
0,001  
0
20  
40  
RG [Ω]  
60  
80  
0
10  
20  
IC [A]  
30  
40  
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ20ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)  
1
10  
tdon  
tr  
ZthJH : IGBT  
tdoff  
tf  
0,1  
1
0,01  
0,1  
i:  
ri[K/W]: 0,144 0,488 1,15 0,338  
τi[s]: 0,0017 0,0198 0,139 1,12  
1
2
3
4
0,001  
0,01  
0,001  
0
20  
40  
RG [Ω]  
60  
80  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Datasheet  
8
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
Cꢀ=ꢀf(VCE)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1MHz  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ7.5ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
100  
100  
IC, Modul  
IC, Chip  
Cies  
Coes  
Cres  
80  
60  
40  
20  
0
10  
1
0,1  
0,01  
0,001  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
700  
0
5
10  
15  
VCE [V]  
20  
25  
30  
VCE [V]  
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
VGEꢀ=ꢀf(QG)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀ20ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C  
15  
40  
VCC = 300V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
12  
9
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
6
3
0
-3  
-6  
-9  
-12  
-15  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
QG [nC]  
VF [V]  
Datasheet  
9
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ7,5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
IFꢀ=ꢀ20ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
0,6  
0,5  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
0,4  
0,3  
0,2  
0,1  
0,0  
0,4  
0,2  
0,0  
0
10  
20  
IF [A]  
30  
40  
0
10  
20  
30  
40  
RG [Ω]  
50  
60  
70  
80  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)  
AusgangskennlinieꢀIGBT,3-Levelꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,3-Levelꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
10  
40  
ZthJH : Diode  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
30  
20  
10  
1
i:  
ri[K/W]: 0,155  
τi[s]:  
1
2
3
4
0,438 1,28  
0,907  
0,00104 0,0077 0,0517 0,166  
0,1  
0,001  
0
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0,0  
0,5  
1,0  
VCE [V]  
1,5  
2,0  
Datasheet  
10  
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,3-Levelꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,3-Levelꢀ(typical)  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,3-Levelꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,3-Levelꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE)  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
40  
40  
VGE = 19V  
VGE = 17V  
VGE = 15V  
VGE = 13V  
VGE = 11V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
VGE  
= 9V  
30  
20  
10  
0
0
4
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
5
6
7
8
VCE [V]  
VGE [V]  
SchaltverlusteꢀIGBT,3-Levelꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,3-Levelꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
SchaltverlusteꢀIGBT,3-Levelꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,3-Levelꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ20ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
0,5  
0,5  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
0,4  
0,3  
0,2  
0,1  
0,0  
0,4  
0,3  
0,2  
0,1  
0,0  
0
10  
20  
IC [A]  
30  
40  
0
10  
20  
RG [Ω]  
30  
40  
Datasheet  
11  
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
SchaltzeitenꢀIGBT,3-Levelꢀ(typisch)  
SchaltzeitenꢀIGBT,3-Levelꢀ(typisch)  
switchingꢀtimesꢀIGBT,3-Levelꢀ(typical)  
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3.9ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3.9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
switchingꢀtimesꢀIGBT,3-Levelꢀ(typical)  
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ20ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
1
1
tdon  
tr  
tdon  
tr  
tdoff  
tf  
tdoff  
tf  
0,1  
0,1  
0,01  
0,01  
0,001  
0,0001  
0,001  
0
10  
20  
IC [A]  
30  
40  
0
10  
20  
RG [Ω]  
30  
40  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,3-Levelꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,3-Levelꢀ  
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,3-Levelꢀ(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,3-Levelꢀ(RBSOA)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3.9ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
10  
100  
ZthJH : IGBT  
IC, Modul  
IC, Chip  
80  
60  
40  
20  
0
1
0,1  
0,01  
i:  
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,144 0,488 1,15 0,338  
τi[s]: 0,0017 0,0198 0,139 1,12  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
700  
t [s]  
Datasheet  
12  
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,3-Levelꢀ(typisch)  
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,3-Levelꢀ(typical)  
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,3-Levelꢀ(typisch)  
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,3-Levelꢀ(typical)  
VGEꢀ=ꢀf(QG)  
Cꢀ=ꢀf(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1MHz  
ICꢀ=ꢀ20ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C  
100  
15  
Cies  
Coes  
Cres  
Vcc = 300V  
12  
9
10  
1
6
3
0
0,1  
-3  
-6  
-9  
-12  
-15  
0,01  
0,001  
0
5
10  
15  
VCE [V]  
20  
25  
30  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
QG [nC]  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
RGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
40  
0,100  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
0,080  
0,060  
0,040  
0,020  
0,000  
30  
20  
10  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
0
10  
20  
IF [A]  
30  
40  
VF [V]  
Datasheet  
13  
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ  
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)  
IFꢀ=ꢀ20ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
0,10  
10  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
ZthJH : Diode  
0,08  
0,06  
0,04  
0,02  
0,00  
1
i:  
ri[K/W]: 0,211  
τi[s]:  
1
2
3
4
0,471  
0,658 1,26  
0,000993 0,00561 0,0281 0,109  
0,1  
0,001  
0
10  
20  
RG [Ω]  
30  
40  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)  
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)  
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)  
100000  
Rtyp  
10000  
1000  
100  
0
20  
40  
60  
80  
TNTC [°C]  
100 120 140 160  
Datasheet  
14  
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
FS3L40R07W2H5F_B11  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
-
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
Infineon  
Datasheet  
15  
Vꢀ3.0  
2019-02-05  
Trademarks  
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2019-02-05  
©ꢀ2019ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.  
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ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes  
(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,  
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,  
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.  
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem  
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon  
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder  
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen  
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen  
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).  
WARNHINWEIS  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem  
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.  
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten  
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen  
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu  
Personenverletzungenꢀführen.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
IMPORTANTꢀNOTICE  
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics  
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe  
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout  
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.  
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany  
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies  
inꢀcustomer’sꢀapplications.  
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical  
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin  
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.  
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Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).  
WARNINGS  
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nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.  
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon  
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof  
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.  

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FS3SM-16A

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 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
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FS3SM14A

 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247VAR
ETC
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