FS45MR12W1M1_B11 [INFINEON]
PressFIT;型号: | FS45MR12W1M1_B11 |
厂家: | Infineon |
描述: | PressFIT |
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FS45MR12W1M1_B11
EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
VDSS = 1200V
ID nom = 25A / IDRM = 50A
PotentielleꢀAnwendungen
• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen
• DC/DCꢀWandler
PotentialꢀApplications
• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀapplication
• DC/DCꢀconverter
• Motorantriebe
• Motorꢀdrives
• USV-Systeme
• UPSꢀsystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiederinduktivesꢀDesign
• NiedrigeꢀSchaltverluste
ElectricalꢀFeatures
• Lowꢀinductiveꢀdesign
• Lowꢀswitchingꢀlosses
MechanischeꢀEigenschaften
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• PressFITꢀVerbindungstechnik
MechanicalꢀFeatures
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
• Robuste Montage durch integrierte
• Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern
clamps
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ2.1
www.infineon.com
2020-03-27
FS45MR12W1M1_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
MOSFETꢀ/ꢀMOSFET
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Drain-Source-Spannung
Drain-sourceꢀvoltage
Tvj = 25°C
TH = 75°C
VDSS
ID nom
ID pulse
VGSS
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
25
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Drain-Gleichstrom
Tvj = 175°C, VGS = 15 V
DCꢀdrainꢀcurrent
GepulsterꢀDrainstrom
Pulsedꢀdrainꢀcurrent
verifiziertꢀdurchꢀDesign,ꢀtpꢀlimitiertꢀdurchꢀTvjmax
verifiedꢀbyꢀdesign,ꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTvjmax
50,0
Gate-SourceꢀSpannung
Gate-sourceꢀvoltage
-10 / 20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Einschaltwiderstand
Drain-sourceꢀonꢀresistance
ID = 25 A
VGS = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45,0
59,0
66,0
RDS on
mΩ
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IDꢀ=ꢀ10,0ꢀmA,ꢀVDSꢀ=ꢀVGS,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
(testedꢀafterꢀ1msꢀpulseꢀatꢀVGSꢀ=ꢀ+20ꢀV)
VGS(th) 3,45 4,50 5,55
V
GesamtꢀGateladung
Totalꢀgateꢀcharge
VGS = -5 V / 15 V, VDS = 600 V
Tvj = 25°C
QG
RGint
Ciss
Coss
Crss
Eoss
IDSS
IGSS
0,062
4,0
µC
Ω
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
1,84
0,11
0,014
44,0
nF
nF
nF
µJ
Ausgangskapazität
Outputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
COSSꢀSpeicherenergie
COSSꢀstoredꢀenergy
Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V
Drain-Source-Reststrom
Zeroꢀgateꢀvoltageꢀdrainꢀcurrent
VDS = 1200 V, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
0,10 120 µA
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceꢀleakageꢀcurrent
VDS = 0 V
Tvj = 25°C
VGS = 20 V
VGS = -10 V
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turnꢀonꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 25 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
8,20
7,40
7,40
td on
ns
ns
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 25 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
6,30
6,70
6,70
tr
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turnꢀoffꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 25 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
35,2
38,9
38,9
td off
ns
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 25 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
16,4
16,4
16,4
tf
ns
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
ID = 25 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH
di/dt = 5,20 kA/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,30
0,37
0,37
Eon
Eoff
ISC
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
ID = 25 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH
du/dt = 41,6 kV/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,033
0,035
0,035
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V
VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt
RG = 10,0 Ω
tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C
210
205
A
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀMOSFETꢀ/ꢀperꢀMOSFET
RthJH
Tvj op
1,54
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
BodyꢀDiodeꢀ/ꢀBodyꢀdiode
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
BodyꢀDiode-Gleichstrom
DCꢀbodyꢀdiodeꢀforwardꢀcurrent
Tvj = 175°C, VGS = -5 V
TH = 75°C
ISD
ꢀ
8
ꢀ
A
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
ISD = 25 A, VGS = -5 V
ISD = 25 A, VGS = -5 V
ISD = 25 A, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
4,60 5,65
4,35
4,30
VSD
Datasheet
2
Vꢀ2.1
2020-03-27
FS45MR12W1M1_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
5,00
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
∆R/R
P25
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,0
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 200
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
18
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
Tstg
F
nH
°C
N
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
20
125
50
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
Weight
G
24
g
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design
guidlines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.
Datasheet
3
Vꢀ2.1
2020-03-27
FS45MR12W1M1_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VGS
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
)
VGSꢀ=ꢀ15ꢀV
VDSꢀ=ꢀ20ꢀV
50
50
TVj = 25 °C
TVj = 125 °C
TVj = 150 °C
Tvj = 25 °C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
3
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VDS [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VGS [V]
SchaltzeitenꢀMOSFETꢀ(typisch)
SchaltzeitenꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀMOSFETꢀ(typical)
switchingꢀtimesꢀMOSFETꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(ID),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(ID),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(ID),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(ID)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
1
1
tdon
tr
tdon
tr
tdoff
tf
tdoff
tf
0,1
0,1
0,01
0,01
0,001
0,001
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ID [A]
RG [Ohm]
Datasheet
4
Vꢀ2.1
2020-03-27
FS45MR12W1M1_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(ID),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(ID)
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
0,70
0,70
Eon, Tvj = 125°C, Eon, Tvj = 150°C,
Eoff, Tvj = 125°C, Eoff, Tvj = 150°C,
Eon, Tvj = 125°C, Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C, Eoff, Tvj = 150°C
0,60
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0,60
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ID [A]
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀMOSFETꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀMOSFETꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
VGSꢀ=ꢀ-ꢀ5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C,ꢀRGꢀ=ꢀ1ꢀΩ
55
10
ID, Modul
ID, Chip
Zth: MOSFET
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
1
0,1
0,01
i:
ri[K/W]: 0,076
τi[s]:
1
2
3
4
0,221
0,453 0,79
0,000603 0,00674 0,0363 0,161
0
0,001
0,001
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,01
0,1
t [s]
1
10
VDS [V]
Datasheet
5
Vꢀ2.1
2020-03-27
FS45MR12W1M1_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100000
Rtyp
10000
1000
100
0
20
40
60
80
TNTC [°C]
100 120 140 160
Datasheet
6
Vꢀ2.1
2020-03-27
FS45MR12W1M1_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
-
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
7
Vꢀ2.1
2020-03-27
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
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SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
WARNHINWEIS
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
Personenverletzungenꢀführen.
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IMPORTANTꢀNOTICE
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).
WARNINGS
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
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