FS75R07W2E3B11ABOMA1

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R07W2E3_B11A

EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC

EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC

ϑ

V†Š» = 650V

I† ÒÓÑ = 75A / I†ç¢ = 150A

Typische Anwendungen

Typical Applications

Hybrid-Elektrofahrzeuge (H)EV

Klimaanlagen

Hybrid Electrical Vehicles (H)EV

Air Conditioning

•

Motorantriebe

Motor Drives

Elektrische Eigenschaften

Electrical Features

Erhöhte Sperrspannungsfestigkeit auf 650V

Niedrige Schaltverluste

Niedriges V†ŠÙÈÚ

Increased blocking voltage capability to 650V

Low Switching Losses

Low V†ŠÙÈÚ

•

Trench IGBT 3

Mechanische Eigenschaften

Mechanical Features

AlèOé Substrat mit kleinem thermischen

Widerstand

AlèOé Substrate with Low Thermal Resistance

•

Hohe Leistungsdichte

High Power Density

•

Integrierter NTC Temperatur Sensor

Kompaktes Design

Integrated NTC temperature sensor

Compact design

PressFIT Verbindungstechnik

RoHS konform

PressFIT Contact Technology

RoHS compliant

Robuste Montage durch integrierte

Befestigungsklammern

Rugged mounting due to integrated mounting

clamps

Module Label Code

Barcode Code 128

Content of the Code

Digit

Module Serial Number

1 - 5

Module Material Number

Production Order Number

Datecode (Production Year)

Datecode (Production Week)

6 - 11

12 - 19

20 - 21

22 - 23

DMX - Code

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date of publication: 2012-01-27

revision: 3.0

material no: 35375

1

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R07W2E3_B11A

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

650

V

Kollektor-Dauergleichstrom

Continuous DC collector current

T† = 80°C, TÝÎ = 175°C

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

I† ÒÓÑ

I†

75

95

A

Periodischer Kollektor-Spitzenstrom

Repetitive peak collector current

t« = 1 ms

I†ç¢

PÚÓÚ

150

275

A

W

V

Gesamt-Verlustleistung

Total power dissipation

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitter peak voltage

V•Š»

+/-20

Charakteristische Werte / Characteristic Values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation voltage

I† = 75 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ

TÝÎ = 150°C

1,45 1,90

1,60

1,70

V

Gate-Schwellenspannung

Gate threshold voltage

I† = 1,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

V•ŠÚÌ

Q•

4,9

5,8

0,80

0,0

6,5

V

Gateladung

Gate charge

µC

Â

Interner Gatewiderstand

Internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

Input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 650 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

4,60

0,145

nF

Rückwirkungskapazität

Reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitter cut-off current

0,05 mA

400 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitter leakage current

Einschaltverzögerungszeit, induktive Last

Turn-on delay time, inductive load

I† = 75 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 4,3 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓÒ

0,022

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Anstiegszeit, induktive Last

Rise time, inductive load

I† = 75 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 4,3 Â

TÝÎ = 25°C

tØ

0,018

0,021

0,022

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit, induktive Last

Turn-off delay time, inductive load

I† = 75 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 4,3 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓËË

0,18

0,20

0,21

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Fallzeit, induktive Last

Fall time, inductive load

I† = 75 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 4,3 Â

TÝÎ = 25°C

tË

0,035

0,043

0,048

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Puls

Turn-on energy loss per pulse

I† = 75 A, V†Š = 300 V, L» = t.b.d. nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, di/dt = 3500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

0,90

1,20

1,30

mJ

EÓÒ

R•ÓÒ = 4,3 Â

TÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Puls

Turn-off energy loss per pulse

I† = 75 A, V†Š = 300 V, L» = t.b.d. nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

1,60

2,15

2,30

mJ

EÓËË

R•ÓËË = 4,3 Â

TÝÎ = 150°C

Kurzschlußverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 360 V

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C

t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C

530

380

A

I»†

Wärmewiderstand, Chip bis Gehäuse

Thermal resistance, junction to case

pro IGBT / per IGBT

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,50 0,55 K/W

0,60 K/W

Wärmewiderstand, Gehäuse bis Kühlkörper pro IGBT / per IGBT

Thermal resistance, case to heatsink

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

/

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

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2

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R07W2E3_B11A

Diode-Wechselrichter / Diode-inverter

Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values

Periodische Spitzensperrspannung

Repetitive peak reverse voltage

TÝÎ = 25°C

Vçç¢

IŒ

650

75

V

A

Dauergleichstrom

Continuous DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

t« = 1 ms

IŒç¢

I²t

150

Repetitive peak forward current

Grenzlastintegral

I²t - value

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C

660

610

A²s

Charakteristische Werte / Characteristic Values

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forward voltage

IŒ = 75 A, V•Š = 0 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

1,55 1,95

1,50

1,45

V

VŒ

Iç¢

QØ

Rückstromspitze

Peak reverse recovery current

IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 3500 A/µs (TÝÎ=150°C)

Vç = 300 V

V•Š = -15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

85,0

100

105

A

Sperrverzögerungsladung

Recovered charge

IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 3500 A/µs (TÝÎ=150°C)

Vç = 300 V

V•Š = -15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

3,20

5,90

6,80

µC

Abschaltenergie pro Puls

Reverse recovery energy

IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 3500 A/µs (TÝÎ=150°C)

Vç = 300 V

V•Š = -15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

0,80

1,40

1,65

mJ

EØþÊ

Wärmewiderstand, Chip bis Gehäuse

Thermal resistance, junction to case

pro Diode / per diode

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,70 0,80 K/W

Wärmewiderstand, Gehäuse bis Kühlkörper pro Diode / per diode

Thermal resistance, case to heatsink ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

0,65

K/W

/

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Charakteristische Werte / Characteristic Values

Nennwiderstand

Rated resistance

min. typ. max.

5,00

T† = 25°C

Rèë

ÆR/R

Pèë

kÂ

%

Abweichung von R100

Deviation of R100

T† = 100°C, Ræåå = 493 Â

-5

5

Verlustleistung

Power dissipation

T† = 25°C

20,0 mW

B-Wert

B-value

Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]

Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]

Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]

Bèëõëå

Bèëõîå

Bèëõæåå

3375

3411

3433

K

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

Angaben gemäß gültiger Application Note.

Specification according to the valid application note.

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3

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IGBT-Module

IGBT-modules

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Modul / Module

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolation test voltage

Vš»¥¡

2,5

kV

Innere Isolation

Internal isolation

impr.AlèOé

Kriechstrecke

Creepage distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

11,5

6,3

mm

Luftstrecke

Clearance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

10,0

5,0

Vergleichszahl der Kriechwegbildung

Comperative tracking index

CTI

> 200

min. typ. max.

35

Modulstreuinduktivität

Stray inductance module

LÙ†Š

R††óôŠŠó

TÝÎ ÑÈà

TÝÎ ÓÔ

TÙÚÃ

nH

mÂ

°C

N

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

Module lead resistance, terminals - chip

T† = 25°C, pro Schalter / per switch

3,00

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

Maximum junction temperature

Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper

175

Temperatur im Schaltbetrieb

Temperature under switching conditions

-40

40

150

125

80

Lagertemperatur

Storage temperature

Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder

mountig force per clamp

F

-

Gewicht

Weight

G

42

g

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4

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

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Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

TÝÎ = 150°C

V•Š = 15 V

150

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

V•Š = 19V

V•Š = 17V

V•Š = 15V

V•Š = 13V

V•Š = 11V

V•Š = 9V

135

120

105

90

75

60

45

30

15

0

105

90

75

60

45

30

15

0

0,0

0,4

0,8

1,2

V†Š [V]

1,6

2,0

2,4

2,8

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Š [V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)

transfer characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V•Š)

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-inverter (typical)

EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)

V†Š = 20 V

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 4.3 Â, R•ÓËË = 4.3 Â, V†Š = 300 V

150

4,0

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

EÓËË, TÝÎ = 150°C

135

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

120

105

90

75

60

45

30

15

0

5

6

7

8 9

V•Š [V]

10

11

12

0

15 30 45 60 75 90 105 120 135 150

I† [A]

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5

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R07W2E3_B11A

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-Inverter (typical)

EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)

Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.

transient thermal impedance IGBT-inverter

ZÚÌœ™ = f (t)

V•Š = ±15 V, I† = 75 A, V†Š = 300 V

8,5

10

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

EÓËË, TÝÎ = 150°C

ZÚÌœ™ : IGBT

8,0

7,5

7,0

6,5

6,0

5,5

5,0

4,5

4,0

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

1

0,1

i:

rÍ[K/W]: 0,06

1

2

3

0,14 0,38 0,52

4

τÍ[s]:

0,0005 0,005 0,05 0,2

0,01

0,001

0

5

10

15

20 25

R• [Â]

30

35

40

45

0,01

0,1

t [s]

1

10

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)

reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)

I† = f (V†Š)

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)

forward characteristic of diode-inverter (typical)

IŒ = f (VŒ)

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 4.3 Â, TÝÎ = 150°C

160

150

I†, Modul

I†, Chip

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

135

140

120

100

80

60

40

20

0

105

90

75

60

45

30

15

0

100

200

300 400

V†Š [V]

500

600

700

0,0

0,4

0,8

1,2

VŒ [V]

1,6

2,0

2,4

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6

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R07W2E3_B11A

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (IŒ)

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (R•)

IŒ = 75 A, V†Š = 300 V

R•ÓÒ = 4.3 Â, V†Š = 300 V

2,6

2,0

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

2,4

1,8

2,2

2,0

1,8

1,6

1,4

1,2

1,0

0,8

0,6

0,4

0,2

0,0

1,6

1,4

1,2

1,0

0,8

0,6

0,4

0,2

0,0

0

15 30 45 60 75 90 105 120 135 150

IŒ [A]

0

5

10

15

20 25

R• [Â]

30

35

40

45

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.

transient thermal impedance diode-inverter

ZÚÌœ™ = f (t)

NTC-Temperaturkennlinie (typisch)

NTC-temperature characteristic (typical)

R = f (T)

10

100000

ZÚÌœ™ : Diode

RÚáÔ

10000

1000

100

1

i:

rÍ[K/W]: 0,11

1

2

3

0,22 0,67 0,35

4

τÍ[s]:

0,0005 0,005 0,05 0,2

0,1

0,001

0,01

0,1

t [s]

1

10

0

20

40

60

80

T† [°C]

100 120 140 160

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7

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R07W2E3_B11A

Schaltplan / circuit diagram

ϑ

Gehäuseabmessungen / package outlines

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8

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R07W2E3_B11A

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere

eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen

Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu

den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und

gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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- the conclusion of Quality Agreements;

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and that we may make delivery depended on the realization

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9


型号：	FS75R07W2E3B11ABOMA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 95A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-35 栅
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FS75R07W2E3B11ABOMA1 [INFINEON]

相关型号：

FS75R07W2E3_B11A

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FS75R12KE3B9BDLA1

FS75R12KE3BOSA1

FS75R12KE3G

FS75R12KE3G_03

FS75R12KE3_B9

FS75R12KS4

FS75R12KS4BOSA1

FS75R12KT3

FS75R12KT3

FS75R12KT3BOSA1