FT150R12KE3_B4 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-39;
| 型号： | FT150R12KE3_B4 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-39 局域网 栅 晶体管 |
| 文件： | 总8页 (文件大小：390K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C
T† = 25°C
I† ÒÓÑ
I†
150
200
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms, T† = 80°C
T† = 25°C
I†ç¢
PÚÓÚ
300
700
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 150 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 25°C
I† = 150 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 125°C
V†Š ÙÈÚ
1,70 2,15
2,00
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 6,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•ŠÚÌ
Q•
5,0
5,8
1,40
5,0
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
V•Š = -15 V ... +15 V
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
10,5
0,40
nF
nF
mA
nA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
400
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2,4 Â, TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2,4 Â, TÝÎ = 125°C
tÁ ÓÒ
tØ
0,28
0,30
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2,4 Â, TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2,4 Â, TÝÎ = 125°C
0,04
0,05
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,4 Â, TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,4 Â, TÝÎ = 125°C
tÁ ÓËË
tË
0,50
0,65
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,4 Â, TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,4 Â, TÝÎ = 125°C
0,10
0,20
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 70 nH
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2,4 Â, TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2,4 Â, TÝÎ = 125°C
EÓÒ
EÓËË
6,50
10,0
mJ
mJ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 70 nH
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,4 Â, TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,4 Â, TÝÎ = 125°C
14,0
22,0
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SC data
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V
TÝÎù125°C, V†† = 900 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
600
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT
per IGBT
RÚÌœ†
0,18 K/W
prepared by: Christian Wolf
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-31
revision: 2.0
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒ
1200
150
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
300
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
4550
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 150 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
IŒ = 150 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 125°C
VŒ
Iç¢
QØ
1,65 2,15
1,65
V
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 4000 A/µs
Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C
Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C
190
210
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 150 A, -diŒ/dt = 4000 A/µs
Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C
Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C
17,0
30,0
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 150 A, -diŒ/dt = 4000 A/µs
Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C
Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C
EØþÊ
7,00
13,0
mJ
mJ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
0,34 K/W
Strommesswiderstand / shunt
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
TÊ = 20°C
Rèå
2,40
< 30
mÂ
ÔÔÑõŸ
W
Temperaturkoeffizient
temperature coefficient (tcr)
20°C - 60°C
TÊ = 80°C
Belastbarkeit pro Shunt-Widerstand
load capacity per shunt-resistor
P
20
Betriebstemperatur Shunt-Widerstand
operation temperatur shunt-resistor
TÚÝÎÓÔ
RÚÌœ†
140
°C
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance; junktion to case
2,9 K/W
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approved by: Robert Severin
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revision: 2.0
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
kV
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AIè0é
10,0
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
7,50
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min. typ. max.
0,009
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
23
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
2,40
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
M
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M5
3,00
-
6,00 Nm
g
Gewicht
weight
G
300
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
prepared by: Christian Wolf
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-31
revision: 2.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
V•Š = 15 V
TÝÎ = 125°C
300
300
270
240
210
180
150
120
90
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
270
240
210
180
150
120
90
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
60
60
30
30
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5 2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2,4 Â, R•ÓËË = 2,4 Â, V†Š = 600 V,
TÝÎ = 125°C
300
40
270
240
210
180
150
120
90
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ
EÓËË
35
30
25
20
15
10
5
60
30
0
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
50
100
150
I† [A]
200
250
300
prepared by: Christian Wolf
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-31
revision: 2.0
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 150 A, V†Š = 600 V, TÝÎ = 125°C
35
1
EÓÒ
EÓËË
ZÚÌœ† : IGBT
30
25
20
15
10
5
0,1
i:
rÍ[K/W]: 0,00341
1
2
3
4
0,01039 0,09061 0,07559
0,0000119 0,02364 0,02601 0,06499
τÍ[s]:
0
0,01
0,001
0
3
6
9
12
R• [Â]
15
18
21
24
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,4 Â, TÝÎ = 125°C
350
300
250
200
150
100
300
270
240
210
180
150
120
90
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
60
50
0
I†, Modul
I†, Chip
30
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VΠ[V]
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revision: 2.0
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 2,4 Â, V†Š = 600 V, TÝÎ = 125°C
IŒ = 150 A, V†Š = 600 V, TÝÎ = 125°C
20
20
18
16
14
12
10
8
EØþÊ
18
16
14
12
10
8
EØþÊ
6
6
4
4
2
2
0
0
0
50
100
150
IΠ[A]
200
250
300
0
3
6
9
12
R• [Â]
15
18
21
24
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
1
ZÚÌœ† : Diode
0,1
i:
rÍ[K/W]: 0,00643
τÍ[s]:
1
2
3
4
0,01931 0,17143 0,14283
0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
prepared by: Christian Wolf
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-31
revision: 2.0
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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revision: 2.0
7
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D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Male, Solder Terminal, Plug, ROHS COMPLIANT
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D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Male, Solder Terminal, Plug, ROHS COMPLIANT
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