FZ600R65KE3NOSA1 [INFINEON]

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9;
FZ600R65KE3NOSA1
元器件型号: FZ600R65KE3NOSA1
生产厂家: INFINEON TECHNOLOGIES AG    INFINEON TECHNOLOGIES AG
描述和应用:

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

局域网 栅 功率控制 晶体管
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型号参数:FZ600R65KE3NOSA1参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Active
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数9
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
风险等级5.06
外壳连接ISOLATED
集电极-发射极最大电压6500 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-XUFM-X9
元件数量3
端子数量9
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)8100 ns
标称接通时间 (ton)1200 ns
Base Number Matches1