FZ900R12KP4 [INFINEON]
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode; 62毫米C系列模块,带沟槽/场终止IGBT 4极和发射Controlled4二极管型号: | FZ900R12KP4 |
厂家: | Infineon |
描述: | 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KP4
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled4 Diode
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
I† ÒÓÑ
I†ç¢
PÚÓÚ
1200
900
V
A
Kollektor-Dauergleichstrom
T† = 95°C, TÝÎ = 175°C
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
t« = 1 ms
1800
4300
+/-20
A
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
total power dissipation
W
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 900 A, V•Š = 15 V
I† = 900 A, V•Š = 15 V
I† = 900 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,70 2,05
2,00
2,10
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 32,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,2
5,8
7,40
0,9
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
56,0
2,20
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 900 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,5 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,24
0,25
0,26
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 900 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,5 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,09
0,10
0,11
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 900 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,61
0,64
0,66
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 900 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,14
0,17
0,18
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 900 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
40,0
55,0
60,0
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
R•ÓÒ = 1,5 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 900 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
110
160
175
mJ
mJ
mJ
R•ÓËË = 0,9 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
3600
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,035 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,016
K/W
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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date of publication: 2009-02-13
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KP4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
900
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
1800
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
91000
88000
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 900 A, V•Š = 0 V
IŒ = 900 A, V•Š = 0 V
IŒ = 900 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,90 2,45
1,85
1,80
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 900 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
540
720
750
A
A
A
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 900 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
80,0
150
180
µC
µC
µC
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 900 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
40,0
75,0
85,0
mJ
mJ
mJ
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,06 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,027
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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revision: 2.0
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KP4
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
4,0
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
25,0
19,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
25,0
10,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
0,01
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
16
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
0,50
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
150
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
-
6,00 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note
1,1
2,5
-
-
2,0 Nm
5,0 Nm
terminal connection torque
screw M4 - mounting according to valid application note
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
Gewicht
weight
340
g
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3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KP4
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
1800
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
800
700
700
600
600
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5 2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.5 Â, R•ÓËË = 0.9 Â, V†Š = 600 V
1800
400
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
360
320
280
240
200
160
120
80
800
700
600
500
400
300
200
40
100
0
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
I† [A]
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revision: 2.0
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KP4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 900 A, V†Š = 600 V
500
0,1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0,01
i:
1
2
3
4
rÍ[K/W]: 0,0021 0,01155 0,0112 0,01015
0,01 0,02 0,05 0,1
τÍ[s]:
0
0,001
0,001
0
1
2
3
4 5
R• [Â]
6
7
8
9
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.9 Â, TÝÎ = 150°C
2200
1800
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
800
700
600
500
600
400
400
300
200
200
100
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
VŒ [V]
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date of publication: 2009-02-13
revision: 2.0
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KP4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 1.5 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 900 A, V†Š = 600 V
110
120
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
IŒ [A]
0
2
4
6
8
R• [Â]
10
12
14
16
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
0,1
ZÚÌœ† : Diode
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0036 0,0198 0,0192 0,0174
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
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revision: 2.0
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KP4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
j
j
i
i
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7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KP4
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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revision: 2.0
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8
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