HYB25D256400E-7.5 [INFINEON]

DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66;
HYB25D256400E-7.5
元器件型号: HYB25D256400E-7.5
生产厂家: INFINEON TECHNOLOGIES AG    INFINEON TECHNOLOGIES AG
描述和应用:

DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66

动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
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型号参数:HYB25D256400E-7.5参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数66
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.24
风险等级5.14
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G66
长度22.22 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1