HYB25D256800BC-6

更新时间:2024-09-18 01:50:17
品牌:INFINEON
描述:256 Mbit Double Data Rate SDRAM

HYB25D256800BC-6 概述

256 Mbit Double Data Rate SDRAM 256兆双倍数据速率SDRAM DRAM

HYB25D256800BC-6 规格参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA, BGA60,9X12,40/32针数:60
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.76
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):166 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B60
长度:12 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装等效代码:BGA60,9X12,40/32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.009 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.27 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HYB25D256800BC-6 数据手册

通过下载HYB25D256800BC-6数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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