HYB25D256800BC-6 概述
256 Mbit Double Data Rate SDRAM 256兆双倍数据速率SDRAM DRAM
HYB25D256800BC-6 规格参数
是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TBGA, BGA60,9X12,40/32 | 针数: | 60 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
长度: | 12 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TBGA |
封装等效代码: | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.009 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.27 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
HYB25D256800BC-6 数据手册
通过下载HYB25D256800BC-6数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。
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