元器件型号: | HYR163200G-840 |
生产厂家: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
描述和应用: | Rambus DRAM Module, 32MX16, 40ns, CMOS, RIMM-184 时钟 动态存储器 内存集成电路 |
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型号参数:HYR163200G-840参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
零件包装代码 | DMA |
包装说明 | DIMM, DIMM184,40 |
针数 | 84 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.28 |
风险等级 | 5.84 |
访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
最长访问时间 | 40 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 |
内存密度 | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 84 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
组织 | 32MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM184,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
Rambus DRAM Module, 32MX16, 40ns, CMOS, RIMM-184
时钟 动态存储器 内存集成电路