IGBT模块-英飞凌(Infineon)官网 [INFINEON]
我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列,它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于几乎所有应用。市场知名的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK™和XHP™系列功率模块都采用了最新的IGBT技术。它们有斩波器、DUAL、PIM、四单元、六单元、十二单元、三电平、升压器或单开关配置,电流等级从6 A到3600 A不等。IGBT模块的适用功率小至几百瓦,高至数兆瓦。这些产品可用于通用驱动器、牵引、伺服装置和可再生能源发电(如光伏逆变器或风电应用)等应用,具有高可靠性、出色性能、高效率和使用寿命长的优势。;型号: | IGBT模块-英飞凌(Infineon)官网 |
厂家: | Infineon |
描述: | 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列,它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于几乎所有应用。市场知名的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK™和XHP™系列功率模块都采用了最新的IGBT技术。它们有斩波器、DUAL、PIM、四单元、六单元、十二单元、三电平、升压器或单开关配置,电流等级从6 A到3600 A不等。IGBT模块的适用功率小至几百瓦,高至数兆瓦。这些产品可用于通用驱动器、牵引、伺服装置和可再生能源发电(如光伏逆变器或风电应用)等应用,具有高可靠性、出色性能、高效率和使用寿命长的优势。 开关 驱动 斩波器 双极性晶体管 装置 驱动器 |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R12KE3
62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiode
62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiode
VCES = 1200V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A
TypischeꢀAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
TypicalꢀApplications
• HighꢀPowerꢀConverters
• MotorꢀDrives
• USV-Systeme
• UPSꢀSystems
• Windgeneratoren
• WindꢀTurbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiedrigeꢀSchaltverluste
ElectricalꢀFeatures
• LowꢀSwitchingꢀLosses
• UnbeatableꢀRobustness
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient
• LowꢀVCEsat
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• NiedrigesꢀVCEsat
MechanischeꢀEigenschaften
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLeistungsdichte
MechanicalꢀFeatures
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances
• HighꢀPowerꢀDensity
• IsolierteꢀBodenplatte
• IsolatedꢀBaseꢀPlate
• Standardgehäuse
• StandardꢀHousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
ꢀDigit
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀWR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ3.0
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R12KE3
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
IC nom
ICRM
Ptot
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
800
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
1600
3550
+/-20
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 150
Totalꢀpowerꢀdissipation
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
VGES
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 800 A, VGE = 15 V
IC = 800 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1,70 2,15
2,00
V
V
VCE sat
VGEth
QG
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 32,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
5,0
5,8
7,40
0,94
56,0
2,30
ꢀ
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Cres
ICES
IGES
td on
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
400 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 800 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,24
0,25
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 800 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,18
0,19
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 800 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,91 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,79
0,80
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 800 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,91 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,12
0,20
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 85 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 5000 A/µs
RGon = 3,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
57,0
85,0
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 85 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs
RGoff = 0,91 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
83,0
125
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ꢀ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
3200
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,035 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,016
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
125
°C
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀWR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ3.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R12KE3
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
800
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
1600
75000
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
I²tꢀ-ꢀvalue
ꢀ A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 800 A, VGE = 0 V
IF = 800 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2,20 2,75
1,90
V
V
VF
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 800 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
300
450
A
A
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
IRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 800 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
35,0
95,0
µC
µC
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Qr
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 800 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
13,0
38,0
mJ
mJ
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,06 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,027
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
125
°C
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀWR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ3.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R12KE3
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
ꢀ
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
25,0
19,0
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm
ꢀ mm
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
25,0
10,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 400
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule
RthCH
LsCE
ꢀ
ꢀ
0,01
16
K/W
nH
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
ꢀ
RCC'+EE'
ꢀ
0,50
mΩ
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
ꢀ
125 °C
6,00 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
3,00
-
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,1
2,5
-
-
2,0 Nm
5,0 Nm
M
G
Gewicht
Weight
ꢀ
ꢀ
340
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀWR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ3.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R12KE3
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ125°C
1600
1600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
1400
1200
1000
800
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3.6ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.91ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
1600
280
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 125°C
260
Eoff, Tvj = 125°C
1400
1200
1000
800
240
220
200
180
160
140
120
100
80
600
400
60
40
200
20
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
VGE [V]
IC [A]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀWR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ3.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R12KE3
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichter
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
1000
0,1
Eon, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,00067
τi[s]:
0,002
0,01763 0,0147
0,00001187 0,002364 0,02601 0,06499
0,001
0,001
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.91ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C
1800
1600
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1600
1400
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
1200
1000
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
VF [V]
2,0
2,4
2,8
3,2
VCE [V]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀWR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ3.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R12KE3
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ3.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
IFꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
50
45
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
IF [A]
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichter
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
0,1
ZthJC : Diode
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0011
0,0034
0,0303 0,0252
τi[s]:
0,00001187 0,002364 0,02601 0,06499
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀWR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ3.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R12KE3
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
Infineon
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀWR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ3.0
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R12KE3
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.
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revision:ꢀ3.0
9
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.21 X 2.19 MM, DIE-2
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.47 X 2.44 MM, DIE-2
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