元器件型号: | IPB065N15N3GATMA1 |
生产厂家: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
描述和应用: | N-Channel, normal level |
PDF文件: | 总9页 (文件大小:639K) |
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型号参数:IPB065N15N3GATMA1参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
零件包装代码 | TO-263 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 1.62 |
Samacsys Confidence | 4 |
Samacsys Status | Released |
Schematic Symbol | |
PCB Footprint | |
Samacsys PartID | 885698 |
Samacsys Image | |
Samacsys Thumbnail Image | |
Samacsys Pin Count | 7 |
Samacsys Part Category | MOSFET (N-Channel) |
Samacsys Package Category | Other |
Samacsys Footprint Name | PG-TO263-7-3 |
Samacsys Released Date | 2019-06-25 05:55:53 |
Is Samacsys | N |
雪崩能效等级(Eas) | 780 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 150 V |
最大漏极电流 (ID) | 130 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0065 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G6 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 520 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
N-Channel, normal level
N型沟道,正常水平