IPP16CN10NG_10 [INFINEON]
OptiMOS2 Power-Transistor; OptiMOS2功率三极管
| 型号： | IPP16CN10NG_10 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | OptiMOS2 Power-Transistor |
| 文件： | 总12页 (文件大小：907K) |
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相关型号：
IPP180N10N3 G
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。
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IPP180N10N3GXKSA1
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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IPP200N15N3 G
与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性，如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。
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IPP200N15N3G
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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IPP200N25N3 G
英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直流-直流转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动逆变器中用于异步整流。
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IPP200N25N3GXKSA1
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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