元器件型号: | IPP80N06S2LH5AKSA2 |
生产厂家: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
描述和应用: | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN 局域网 脉冲 晶体管 |
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型号参数:IPP80N06S2LH5AKSA2参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
风险等级 | 5.82 |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | 700 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 55 V |
最大漏极电流 (ID) | 80 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0065 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
局域网 脉冲 晶体管