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IQE006NE2LM5CGSC

更新时间：2025-07-05 05:40:14

品牌：INFINEON

描述：英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 25 V：IQE006NE2LM5CGSC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。

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概述
数据手册

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IQE006NE2LM5CGSC 概述

英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 25 V：IQE006NE2LM5CGSC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。

IQE006NE2LM5CGSC 数据手册

通过下载IQE006NE2LM5CGSC数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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IQE006NE2LM5CGSC

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

PG-WHTFN-9

Features

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Pin 1

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

Pin 5-8

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Gate

Pin 9

Parameter

Value

Unit

V_DS

Source

Pin 1-4

R_DS(on),max

I_D

0.58

310

mΩ

*1: Internal body diode

Q_oss

Q_G(0V...4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IQE006NE2LM5CGSC

PG-WHTFN-9

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

TableꢀofꢀContents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

1ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings

atꢀT_A=25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ2ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

310

196

173

V_GS=10ꢀV,ꢀT_C=25ꢀ°C

V_GS=10ꢀV,ꢀT_C=100ꢀ°C

Continuous drain current¹⁾

I_D

V_GS=4.5ꢀV,ꢀT_C=100ꢀ°C

V_GS=10ꢀV,ꢀT_A=25°C,ꢀR_thJA=60°C/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

Avalanche energy, single pulse⁴⁾

I_D,pulse

E_AS

1240

140

T_A=25ꢀ°C

I_D=20ꢀA,ꢀR_GS=25ꢀΩ

Gate source voltage

V_GS

-16

2.1

T_C=25ꢀ°C

Power dissipation

P_tot

T_A=25ꢀ°C,ꢀR_thJA=60ꢀ°C/W²⁾

IEC climatic category; DIN IEC 68-1:

55/150/56

Operating and storage temperature

T_j,ꢀT_stg

-55

150

°C

2ꢀꢀꢀꢀꢀThermalꢀcharacteristics

Tableꢀ3ꢀꢀꢀꢀꢀThermalꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Thermal resistance, junction - case,

bottom

R_thJC

R_thJA

1.4

°C/W -

Thermal resistance, junction - case,

top

0.7

Device on PCB,

6 cm² cooling area²⁾

¹⁾Rating refers to the product only with datasheet specified absolute maximum values, maintaining case temperature

as specified. For other case temperatures please refer to Diagram 2. De-rating will be required based on the actual

environmental conditions.

²⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm²(one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

³⁾See Diagram 3 for more detailed information

⁴⁾See Diagram 13 for more detailed information

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OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

3ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics

atꢀT_j=25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_(BR)DSS

V_GS(th)

V_GS=0ꢀV,ꢀI_D=1ꢀmA

1.2

1.6

2.0

V_DS=V_GS,ꢀI_D=250ꢀµA

0.1

1.0

100

V_DS=20ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV,ꢀT_j=25ꢀ°C

V_DS=20ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV,ꢀT_j=125ꢀ°C

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

Drain-source on-state resistance

I_DSS

µA

I_GSS

100

V_GS=16ꢀV,ꢀV_DS=0ꢀV

0.49

0.64

0.58

0.75

V_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA

V_GS=4.5ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA

R_DS(on)

mΩ

Gate resistance¹⁾

Transconductance

R_G

g_fs

0.8

1.2

Ω

260

|V_DS|≥2|I_D|R_DS(on)max,ꢀI_D=30ꢀA

Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Input capacitance¹⁾

Output capacitance¹⁾

Reverse transfer capacitance¹⁾

C_iss

C_oss

C_rss

4100 5453 pF

1700 2261 pF

V_GS=0ꢀV,ꢀV_DS=12ꢀV,ꢀf=1ꢀMHz

130

5.3

195

V_DD=12ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD=12ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

2.6

V_DD=12ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Turn-off delay time

Fall time

27.0

5.3

V_DD=12ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics²⁾ꢀ

Values

Typ.

9.2

6.6

5.6

8.2

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

12.2

Gate to source charge

Gate charge at threshold

Gate to drain charge¹⁾

Switching charge

Q_gs

V_DD=12ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV

V_DD=12ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ10ꢀV

V_DS=0.1ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ10ꢀV

Q_g(th)

Q_gd

8.4

Q_sw

Gate charge total¹⁾

Q_g

Gate plateau voltage

Gate charge total¹⁾

V_plateau

Q_g

2.2

Gate charge total, sync. FET

Output charge¹⁾

Q_g(sync)

Q_oss

V_DS=12ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV

¹⁾Defined by design. Not subject to production test.

²⁾See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition

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Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

Tableꢀ7ꢀꢀꢀꢀꢀReverseꢀdiode

Values

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Typ.

Max.

Diode continuous forward current

Diode pulse current

I_S

T_C=25ꢀ°C

I_S,pulse

V_SD

Q_rr

1240

1.0

T_C=25ꢀ°C

Diode forward voltage

0.75

V_GS=0ꢀV,ꢀI_F=20ꢀA,ꢀT_j=25ꢀ°C

V_R=12ꢀV,ꢀI_F=20ꢀA,ꢀdi_F/dt=100ꢀA/µs

Reverse recovery charge

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation

Diagramꢀ2:ꢀDrainꢀcurrent

100

320

280

240

200

160

120

100

125

150

175

100

125

150

175

T_Cꢀ[°C]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(T_C);ꢀV_GS≥10ꢀV

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance

10⁴

10²

single pulse

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1 µs

10³

10²

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

10¹

10 µs

100 µs

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

1 ms

10 ms

10^-1

10⁰

10¹

10²

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJC=f(t_p);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

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Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

Diagramꢀ5:ꢀTyp.ꢀoutputꢀcharacteristics

Diagramꢀ6:ꢀTyp.ꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance

1250

1.6

5 V

2.8 V

10 V

4 V

1.4

4.5 V

3.5 V

1000

750

500

250

3 V

1.2

3.5 V

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

4 V

4.5 V

5 V

3 V

10 V

2.8 V

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

100

200

300

400

500

600

700

V_DSꢀ[V]

I_Dꢀ[A]

I_D=f(V_DS),ꢀT_j=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_GS

R_DS(on)=f(I_D),ꢀT_j=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_GS

Diagramꢀ7:ꢀTyp.ꢀtransferꢀcharacteristics

Diagramꢀ8:ꢀTyp.ꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance

1250

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

1000

750

500

250

25 °C

150 °C

25 °C

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

V_GSꢀ[V]

I_D=f(V_GS),ꢀ|V_DS|>2|I_D|R_DS(on)max;ꢀparameter:ꢀT_j

R_DS(on)=f(V_GS),ꢀI_D=20ꢀA;ꢀparameter:ꢀT_j

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

Diagramꢀ9:ꢀNormalizedꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance

Diagramꢀ10:ꢀTyp.ꢀgateꢀthresholdꢀvoltage

1.6

2.0

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

1.6

2500 µA

1.2

250 µA

0.8

0.4

0.0

-75 -50 -25

75 100 125 150 175

-75 -50 -25

75 100 125 150 175

T_jꢀ[°C]

R_DS(on)=f(T_j),ꢀI_D=20ꢀA,ꢀV_GS=10ꢀV

V_GS(th)=f(T_j),ꢀV_GS=V_DS;ꢀparameter:ꢀI_D

Diagramꢀ11:ꢀTyp.ꢀcapacitances

Diagramꢀ12:ꢀForwardꢀcharacteristicsꢀofꢀreverseꢀdiode

10⁴

25 °C

25 °C, max

150 °C

150 °C, max

Ciss

10³

10²

10¹

10³

10²

10¹

Coss

Crss

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V_DSꢀ[V]

V_SDꢀ[V]

C=f(V_DS);ꢀV_GS=0ꢀV;ꢀf=1ꢀMHz

I_F=f(V_SD);ꢀparameter:ꢀT_j

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

Diagramꢀ13:ꢀAvalancheꢀcharacteristics

Diagramꢀ14:ꢀTyp.ꢀgateꢀcharge

10²

5 V

12 V

20 V

25 °C

10¹

100 °C

125 °C

10⁰

10¹

10²

10³

t_AVꢀ[µs]

Q_gateꢀ[nC]

I_AS=f(t_AV);ꢀR_GS=25ꢀΩ;ꢀparameter:ꢀT_j,start

V_GS=f(Q_gate),ꢀI_D=20ꢀAꢀpulsed,ꢀT_j=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_DD

Diagramꢀ15:ꢀDrain-sourceꢀbreakdownꢀvoltage

Diagram Gate charge waveforms

-75 -50 -25

75 100 125 150 175

T_jꢀ[°C]

V_BR(DSS)=f(T_j);ꢀI_D=1ꢀmA

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

5ꢀꢀꢀꢀꢀPackageꢀOutlines

PACKAGE - GROUP

NUMBER:

PG-WHTFN-9-U01

MILLIMETERS

DIMENSIONS

MIN.

---

MAX.

0.75

0.05

0.40

0.30

3.40

2.51

2.25

0.93

1.78

3.40

1.70

2.23

1.485

0.20

0.10

3.20

2.31

1.95

0.73

1.58

3.20

1.50

1.93

1.285

0.65

0.40

0.35

0.32

0.60

0.55

0.52

Figureꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀOutlineꢀPG-WHTFN-9,ꢀdimensionsꢀinꢀmm

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

1.629

1.059

0.15

0.35

0.595

1.1

0.3

0.975

0.3

1.06

1.6

0.42

0.65

0.3

0.475

0.65

1.1

Pin 1

0.365

0.055

1.35

1.15

0.975

0.615

copper

solder mask

All dimensions are in units mm

stencil apertures

Figureꢀ2ꢀꢀꢀꢀꢀOutlineꢀFootprintꢀ(PG-WHTFN-9-1),ꢀdimensionsꢀinꢀmm

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

3.6

Figureꢀ3ꢀꢀꢀꢀꢀOutlineꢀTapeꢀ(PG-WHTFN-9-1),ꢀdimensionsꢀinꢀmm

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

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IQE006NE2LM5CGSC

Revision:ꢀ2022-04-28,ꢀRev.ꢀ2.0

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2.0

2022-04-28

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Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristicsꢀ

(“Beschaffenheitsgarantie”)ꢀ.

Withꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀtheꢀapplicationꢀofꢀthe

product,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithoutꢀlimitation

warrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthis

documentꢀandꢀanyꢀapplicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀthe

productꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀcustomer’sꢀapplications.

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’s

technicalꢀdepartmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproduct

informationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.

Information

Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon

TechnologiesꢀOfficeꢀ(www.infineon.com).

Warnings

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirements,ꢀcomponentsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestion,

pleaseꢀcontactꢀtheꢀnearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀOffice.

TheꢀInfineonꢀTechnologiesꢀcomponentꢀdescribedꢀinꢀthisꢀDataꢀSheetꢀmayꢀbeꢀusedꢀinꢀlife-supportꢀdevicesꢀorꢀsystemsꢀand/or

automotive,ꢀaviationꢀandꢀaerospaceꢀapplicationsꢀorꢀsystemsꢀonlyꢀwithꢀtheꢀexpressꢀwrittenꢀapprovalꢀofꢀInfineonꢀTechnologies,ꢀifꢀa

failureꢀofꢀsuchꢀcomponentsꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀtheꢀfailureꢀofꢀthatꢀlife-support,ꢀautomotive,ꢀaviationꢀand

aerospaceꢀdeviceꢀorꢀsystemꢀorꢀtoꢀaffectꢀtheꢀsafetyꢀorꢀeffectivenessꢀofꢀthatꢀdeviceꢀorꢀsystem.ꢀLifeꢀsupportꢀdevicesꢀorꢀsystemsꢀare

intendedꢀtoꢀbeꢀimplantedꢀinꢀtheꢀhumanꢀbodyꢀorꢀtoꢀsupportꢀand/orꢀmaintainꢀandꢀsustainꢀand/orꢀprotectꢀhumanꢀlife.ꢀIfꢀtheyꢀfail,ꢀitꢀis

reasonableꢀtoꢀassumeꢀthatꢀtheꢀhealthꢀofꢀtheꢀuserꢀorꢀotherꢀpersonsꢀmayꢀbeꢀendangered.

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

IQE006NE2LM5CGSC 相关器件

型号	制造商	描述	价格	文档
IQE006NE2LM5SC	INFINEON	英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM?5 25 V：IQE006NE2LM5SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。	获取价格
IQE008N03LM5	INFINEON	IQE008N03LM5 是英飞凌对创新性源极底置技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使源极底置概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括电机驱动、电信、 SMPS 或服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。	获取价格
IQE008N03LM5CG	INFINEON	IQE008N03LM5CG 是英飞凌对创新性源极底置技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使源极底置概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括电机驱动、电信、 SMPS 或服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。	获取价格
IQE008N03LM5CGSC	INFINEON	The IQE008N03LM5CGSC is part of the Source-Down family with RDS(on) of 0.85 mOhm. The Source-Down technology introduces a flipped silicon die, which is positioned upside down inside the components.	获取价格
IQE008N03LM5SC	INFINEON	The IQE008N03LM5SC is part of the Source-Down family with RDS(on) of 0.85 mOhm. The Source-Down technology introduces a flipped silicon die, which is positioned upside down inside the components.	获取价格
IQE013N04LM6	INFINEON	IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 扩展了英飞凌的创新型 Source-Down 产品系列，采用 3.3x3.3 PQFN 封装。该功率 MOSFET 是同类中的佼佼者，突破业界目前的功率密度和形状因数，优化了终端用户的体验。	获取价格
IQE013N04LM6CG	INFINEON	IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 扩展了英飞凌的创新型 Source-Down 产品系列，采用 3.3x3.3 PQFN 封装。该功率 MOSFET 是同类中的佼佼者，突破业界目前的功率密度和形状因数，优化了终端用户的体验。	获取价格
IQE013N04LM6CGSC	INFINEON	英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V：IQE013N04LM6CGSC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。	获取价格
IQE013N04LM6SC	INFINEON	英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V：IQE013N04LM6SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。	获取价格
IQE022N06LM5	INFINEON	IQE022N06LM5 is Infineon’s new best-in-class OptiMOS™ 5 power MOSFET 60 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package, offering the industry’s lowest on-state resistance RDS(on) at 25˚C and superior thermal performance. The OptiMOS™ Source-Down is a revolutionary technology with a flipped silicon die inside, offering several advantages such as better thermal capability, higher power density and improved layout possibilities. Combined with industrial standard PQFN 3.3x3.3 package, IQE022N06LM	获取价格