KOM2125 [INFINEON]
NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT NEW: 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT; NEU ： 2fach - Silizium - PIN- Fotodiode在SMT新品： 2片硅PIN光电二极管在SMT
| 型号： | KOM2125 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT NEW: 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT |
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KOM 2125
NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT
NEW: 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
● geeignet für Vapor-Phase Löten und
IR-Reflow-Löten
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 25 ns)
● Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
● SMT-fähig
● Suitable for SMT
Anwendungen
Applications
● Nachlaufsteuerungen
● Kantenführung
● Follow-up controls
● Edge drives
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
KOM 2125
Q62702-K0047
01.97
Semiconductor Group
1
KOM 2125
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
– 40 ... + 80
°C
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
60
V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Ptot
150
mW
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V;
Spectral sensitivity
Diode A
Diode B
40 (≥ 30)
100 (≥ 75)
nA/Ix
S
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
λ
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
400 ... 1100
nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Diode A
Diode B
A
4
10
mm
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
L × B
2 × 2, 2 × 5
mm × mm
Dimensions of radiant sensitive area
L × W
Abstand Chipoberfläche zu Vergußoberfläche
Distance chip front to case seal
0.3
mm
H
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Diode A IR
Diode B
5 (≤ 30)
10 (≤ 30)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Sλ
0.62
0.90
A/W
Quantenausbeute
Quantum yield
η
Electrons
Photon
Semiconductor Group
2
KOM 2125
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
VO
350 (≥ 300)
mV
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Diode A ISC
Diode B
38
95
µA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
Diode A tr, tf
Diode B
18
25
ns
RL = 50 Ω; VR = 5 V;
λ = 850 nm; IP = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA; E = 0
VF
1.0
V
Forward voltage
Kapazität
Diode A C0
40
pF
Capacitance
Diode B
100
VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV
– 2.6
0.18
mV/K
%/K
Temperaturkoeffizient von IP
Temperature coefficient of IP
TCI
Rauschäquivalente
Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V
– 14
Diode A NEP
Diode B
6.4 × 10
9.1 × 10
W
√Hz
– 14
12
Nachweisgrenze, VR = 10 V
Detection limit
Diode A D*
Diode B
3.1 × 10
3.5 × 10
cm · √Hz
12
W
Semiconductor Group
3
KOM 2125
Relative spectral sensitivity
= f (λ)
Photocurrent I = f (E ), V = 5 V
Total power dissipation
P = f (T )
tot
P
v
R
S
Open-circuit voltage V = f (E )
rel
O
v
A
Dark current, I = f (V ), E = 0
Capacitance
Dark current I = f (T ),
R A
R
R
normalized to 10 V/25 oC
C = f (V ), f = 1 MHz, E = 0
V = 10 V, E = 0, normalized toT = 25 oC
R
R A
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
Semiconductor Group
4
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