LA3386-Q [INFINEON]
Hyper 3 mm T1 LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED; 超3毫米T1 LED,扩散超明亮,广角LED型号: | LA3386-Q |
厂家: | Infineon |
描述: | Hyper 3 mm T1 LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED |
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Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused
Hyper-Bright, Wide-Angle LED
LS 3386, LA 3386, LO 3386
LY 3386
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● zur Einkopplung in Lichtleiter
● als optischer Indikator einsetzbar
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, diffused package
● optical coupling into light pipes
● for use as optical indicator
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Typ
Type
Emissionsfarbe Gehäusefarbe
Lichtstärke
Luminous
Intensity
Bestellnummer
Ordering Code
Color of
Color of
Package
Emission
IF = 20 mA
IV (mcd)
LS 3386-LP
LS 3386-M
LS 3386-N
LS 3386-P
LS 3386-MQ
super-red
amber
red diffused
10 ...
16 ...
25 ...
40 …
80
32
50
80
Q62703-Q3579
Q62703-Q3581
Q62703-Q3582
Q62703-Q3709
Q62703-Q3580
16 … 125
LA 3386-MQ
LA 3386-N
LA 3386-P
LA 3386-Q
LA 3386-NR
orange diffused
orange diffused
yellow diffused
16 … 125
25 …
40 …
63 … 125
25 … 200
Q62703-Q3886
Q62703-Q3887
Q62703-Q3888
Q62703-Q3889
Q62703-Q3890
50
80
LO 3386-MQ
LO 3386-N
LO 3386-P
LO 3386-Q
LO 3386-NR
orange
yellow
16 … 125
25 …
40 …
63 … 125
25 … 200
Q62703-Q3891
Q62703-Q3892
Q62703-Q3893
Q62703-Q3894
Q62703-Q3895
50
80
LY 3386-MQ
LY 3386-N
LY 3386-P
LY 3386-Q
LY 3386-NR
16 … 125
25 …
40 …
63 … 125
25 … 200
Q62703-Q3896
Q62703-Q3897
Q62703-Q3898
Q62703-Q3899
Q62703-Q3900
50
80
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55... + 100
+ 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
1
20
Stoßstrom
IFM
0.2
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
1)
Sperrspanung
VR
3
V
1)
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
80
55
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Rth JA
500
K/W
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
Semiconductor Group
3
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
615
16
610
605
16
591
nm
nm
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
16
587
15
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
2ϕ
100
100
100
100
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01
10 10 10
0.01
10
µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TC
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
λ
λ
Temperaturkoeffizient von λpeak
,
TC
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
,
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TC
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
V
Semiconductor Group
4
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00235
100
%
Ιrel
80
60
40
20
0
V
λ
yellow
orange
amber
super-red
400
450
500
550
600
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40
30
20
10
0
OHL01681
φ
1.0
50
0.8
0.6
0.4
0.2
0
60
70
80
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Durchlaßstrom I = f (VF)
Forward current
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
F
TA = 25˚C
I = f (TA)
F
OHL00232
OHL00248
10 2
mA
5
35
mA
Ι F
Ι F
30
25
10 1
5
yellow
20
15
10
5
10 0
5
10 -1
0
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0 V 3.4
VF
0
20
40
60
80 C 100
ΤA
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
I = 20 mA
F
OHL00233
OHL00238
10 1
2.0
ΙV (25 C)
ΙV
Ι V
Ι V (20 mA)
1.6
orange
yellow
10 0
amber
5
super-red
1.2
0.8
0.4
0
10 -1
5
superred
yellow
orange/amber
orange
10 -2
5
yellow
amber
super-red
10 -3
10 -1
5
10 0
5
10 1
mA 10 2
-20
0
20
40
60
C
100
Ι F
TA
Semiconductor Group
6
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
OHL00322
10 1
OHL00316
10 0
tp
A
tp
A
tp
Ι F
Ι F
5
Ι F
tp
D =
Ι F
T
D =
5
T
T
T
D =
D =
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10 0
5
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
10 -1
0.2
0.5
10 -1
5
5
0.5
10 -2
10 -2
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
tp
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
tp
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
4.8
Area not flat
4.4
2.7
2.1
3.4
3.1
1.8
1.2
3.7
3.5
0.6
0.4
29.0
27.0
6.1
5.7
Chip position
Collector/
Cathode
GEX06710
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
Semiconductor Group
7
1998-09-18
相关型号:
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