LAT676 [INFINEON]
Hyper TOPLED Hyper-Bright LED; 超TOPLED超高亮LED
| 型号： | LAT676 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Hyper TOPLED Hyper-Bright LED |
| 文件： | 总7页 (文件大小：354K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Hyper TOPLED®
Hyper-Bright LED
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: P-LCC-2
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Features
● P-LCC-2 package
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
Semiconductor Group
1
11.96
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous
Luminous
Flux
Emission
Light Emitting Intensity
Area
I = 20 mA
F
I = 20 mA
F
IV (mcd)
ΦV (mlm)
LS T676-NR
LS T676-P
LS T676-Q
LS T676-R
LS T676-PS
super-red
amber
colorless clear
25 ... 200 -
Q62703-Q3135
Q62703-Q3136
Q62703-Q3137
Q62703-Q3138
Q62703-Q3139
40 ... 80 180 (typ.)
63 ... 125 300 (typ.)
100 ... 200 450 (typ.)
40 ... 320 -
LA T676-PS
LA T676-Q
LA T676-R
LA T676-S
LA T676-QT
colorless clear
colorless clear
colorless clear
40 ... 320 -
Q62703-Q3423
Q62703-Q3424
Q62703-Q3425
Q62703-Q3426
Q62703-Q3427
63 ... 125 300 (typ.)
100 ... 200 450 (typ.)
160 ... 320 700 (typ.)
63 ... 500 -
LO T676-PS
LO T676-Q
LO T676-R
LO T676-S
LO T676-QT
orange
yellow
40 ... 320 -
Q62703-Q3066
Q62703-Q3064
Q62703-Q3065
Q62703-Q3091
Q62703-Q3125
63 ... 125 300 (typ.)
100 ... 200 450 (typ.)
160 ... 320 600 (typ.)
63 ... 500 -
LY T676-PS
LY T676-Q
LY T676-R
LY T676-S
LY T676-QT
40 ... 320 -
Q62703-Q3855
Q62703-Q3159
Q62703-Q3160
Q62703-Q3404
Q62703-Q3161
63 ... 125 300 (typ.)
100 ... 200 450 (typ.)
160 ... 320 700 (typ.)
63 ... 500 -
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LA, LO LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 ... + 100
+ 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
1
20
Stoßstrom
IFM
0.2
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung1)
Reverse voltage1)
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
80
55
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Rth JA
500
K/W
2
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm )
2
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm )
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
)
*
PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
615
16
610
605
16
591
nm
nm
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
16
587
15
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
2ϕ
120
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01
10 10 10
0.01
10
µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TC
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
λ
λ
Temperaturkoeffizient von λpeak
,
TC
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
,
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TC
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
V
Semiconductor Group
4
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Relative spektrale Emission I = f (λ), TA = 25 ˚C, I = 10 mA
rel
F
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Durchlaßstrom I = f (VF)
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
F
Forward current
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
I = f (TA)
F
I = 10 mA
F
Semiconductor Group
6
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Zulässige Impulsbelastbarkeit If = f(tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Zulässige Impulsbelastbarkeit If = f(tp)
Permissible pulse handling capability
LO, LA, LS
D = Parameter; TA = 25 °C
D = Parameter; TA = 25 °C
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
Semiconductor Group
7
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明