LD242 [INFINEON]
GaAs Infrared Emitter; 砷化镓红外发射器
| 型号： | LD242 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | GaAs Infrared Emitter |
| 文件： | 总5页 (文件大小：42K) |
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 242
2.7
ø0.45
Chip position
1
14.5
12.5
ø5.5
ø5.2
3.6
3.0
GET06625
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
● Kathode galvanisch mit Gehäuseboden
verbunden
● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
● Cathode is electrically connected to the case
● High reliability
● Hohe Zuverlässigkeit
● Wide beam
● Großer Öffnungskegel
● Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
● Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
● DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
● Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Anwendungen
Applications
● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● IR remote control and sound transmission
● Photointerrupters
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
LD 242-2
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster
(1/10’’)
LD 242-3
LD 242 E7800
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(1/10’’)
Semiconductor Group
1
1998-07-15
LD 242
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
– 40 ... + 80
°C
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Durchlaßstrom, TC = 25 °C
Forward current
IF
300
3
mA
A
Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0
Surge current
IFSM
Ptot
Verlustleistung, TC = 25 °C
470
mW
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
RthJA
RthJC
450
160
K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak
950
nm
Spektraler Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 100 m A, tp = 20 ms
∆λ
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ
± 40
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
0.25
mm2
mm
mm
A
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L × B
L × W
0.5 × 0.5
0.3 ... 0.7
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
H
Semiconductor Group
2
1998-07-15
LD 242
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr, tf
1
µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V
Co
40
pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA
VF
VF
1.3 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5)
V
V
IF = 1 A, tp = 100 µs
Sperrstrom, VR = 5 V
IR
0.01 (≤ 1)
µA
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
Φe
16
mW
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
TCI
– 0.55
%/K
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
TCV
– 1.5
0.3
mV/K
nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA TCλ
Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA
Semiconductor Group
3
1998-07-15
LD 242
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
-2
-3
78001)
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie
Ie typ.
4 ... 8
50
> 6.3
75
1 ... 3.2
–
mW/sr
mW/sr
1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt,
daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken
störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich
für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den
Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Semiconductor Group
4
1998-07-15
LD 242
I
e
Relative spectral emission
Radiant intensity
Max. permissible forward current
I = f (T )
= f (I )
F
I 100 mA
e
I
= f (λ)
rel
F
A
Single pulse, tp = 20 µs
OHR00971
OHR01037
10 2
OHR01938
300
100
%
Ιe
Ι F mA
Ιe (100 mA)
Ι rel
250
80
RthJL = 160 K/W
10 1
200
150
100
50
60
40
20
RthJA = 450 K/W
10 0
10 -1
0
0
10 -2
10 -1
10 0
A
Ι F
10 1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T A, T L
880
920
960
1000
nm
1060
λ
Forward current
Permissible pulse handling capability
I = f (V )
I = f (τ), T = 25 °C,
F
E
F
C
duty cycle D = parameter
OHR01040
OHR01937
10 4
mA
10 1
A
tP
Ι F
Ι F
tP
T
ΙF
D =
5
T
typ.
max.
D =
10 0
10 -1
10 -2
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10 3
5
DC
10 2
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s
10 0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VF
V 4.5
τ
Radiation characteristics I = f (ϕ)
rel
40
30
20
10
0
OHR01877
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
60
70
80
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1998-07-15
相关型号：
LD242-2
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
OSRAM
LD242-3
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
OSRAM
LD2422F-S0
Telecom and Datacom Connector, 22 Contact(s), Female, Straight, Press Fit Terminal, Receptacle, ROHS COMPLIANT
FOXCONN
LD2422F-S01
Board Connector, 22 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, 0.05 inch Pitch, Press Fit Terminal, Guide Pin, Black Insulator, Receptacle
FOXCONN
LD2422H-S0
Telecom and Datacom Connector, 22 Contact(s), Female, Straight, Press Fit Terminal, Receptacle, ROHS COMPLIANT
FOXCONN
LD2422H-S01
Board Connector, 22 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, 0.05 inch Pitch, Press Fit Terminal, Guide Pin, Black Insulator, Receptacle
FOXCONN
LD2422V-S0
Telecom and Datacom Connector, 22 Contact(s), Female, Straight, Press Fit Terminal, Receptacle, ROHS COMPLIANT
FOXCONN
LD2422V-S01
Board Connector, 22 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, 0.05 inch Pitch, Press Fit Terminal, Guide Pin, Black Insulator, Receptacle
FOXCONN
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