LG3341-MQ [INFINEON]
3 mm T1 LED, Non Diffused Super-Bright LED; 3毫米T1 LED ，不扩散超高亮LED
| 型号： | LG3341-MQ |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | 3 mm T1 LED, Non Diffused Super-Bright LED |
| 文件： | 总7页 (文件大小：324K) |
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3 mm (T1) LED, Non Diffused
Super-Bright LED
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, klares Gehäuse
● hohe Lichtstärke
● zur Einkopplung in Lichtleiter
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, clear package
● high luminous intensity
● optical coupling into light pipes
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Typ
Type
Emissionsfarbe Gehäusefarbe
Lichtstärke
Luminous
Intensity
Bestellnummer
Ordering Code
Color of
Color of
Package
Emission
IF = 10 mA
IV (mcd)
LS 3341-LP
LS 3341-M
LS 3341-N
LS 3341-P
LS 3341-MQ
super-red
yellow
red clear
10.0… 80.0
16.0… 32.0
25.0… 50.0
40.0… 80.0
16.0… 125.0
Q62703-Q3911
Q62703-Q2146
Q62703-Q2147
Q62703-Q3445
Q62703-Q2148
LY 3341-LP
LY 3341-M
LY 3341-N
LY 3341-P
LY 3341-MQ
yellow clear
10.0 … 80.0
16.0 … 32.0
25.0 … 50.0
40.0… 80.0
16.0 … 125.0
Q62703-Q2152
Q62703-Q2151
Q62703-Q2398
Q62703-Q3234
Q62703-Q2149
LG 3341-KN
LG 3341-M
LG 3341-N
LG 3341-MQ
green
green clear
green clear
6.3… 50.0
16.0 … 32.0
25.0 … 50.0
16.0 … 125.0
Q62703-Q2153
Q62703-Q2155
Q62703-Q3187
Q62703-Q2156
LP 3341-JM
LP 3341-K
LP 3341-L
LP 3341-M
LP 3341-KN
pure green
4.0 … 32.0
6.3… 12.5
10.0 … 20.0
16.0 … 32.0
6.3… 50.0
Q62703-Q3815
Q62703-Q3816
Q62703-Q2986
Q62703-Q2919
Q62703-Q2750
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LY, LG
LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
op
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
Durchlaßstrom
Forward current
IF
40
30
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.5
5
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
P
tot
140
100
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
400
K/W
Semiconductor Group
3
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak
635
586
565
557
nm
nm
nm
Wavelength at peak emission
(typ.)
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
628
45
590
45
570
25
560
22
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
40
40
40
40
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Kapazität
(typ.) C0
12
10
15
15
pF
Capacitance
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
300
150
300
150
450
200
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
4
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark:
Short solder lead
Semiconductor Group
7
相关型号：
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