LGQ971-KO [INFINEON]
CHIPLED; CHIPLED
Infineon 
CHIPLED
LG Q971
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: 0603
● Industriestandard bzgl. Lötpadraster
● geringe Bauteilhöhe
● für IR-Lötung geeignet
● für Hinterleuchtungen und als opt. Indikator einsetzbar
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
VEO06989
Features
● 0603 package
● Industry standard footprint
● low profile
● suitable for IR reflow soldering process
● for use as optical indicator and backlighting
● available taped on reel (8 mm tape)
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke
Luminous
Lichtstrom Bestellnummer
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous Ordering Code
Emission
Light Emitting Intensity
Flux
Area
I = 20 mA
IV (mcd)
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
F
LG Q971-KO green
colorless clear ≥ 6.30 (15 typ.) 120 (typ.)
Q62702-P5098
Semiconductor Group
1
1998-08-28
LG Q971
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 30 ... + 85
– 40 ... + 85
+ 95
°C
°C
°C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
20
Stoßstrom
IFM
0.1
Surge current
tp ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung
VR
5
V
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
55
800
mW
K/W
Wärmewiderstand
Sperrschicht / Umgebung
Thermal resistance
Junction / air
Rth JA
Semiconductor Group
2
1998-08-28
LG Q971
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
λpeak
λdom
∆λ
565
570
28
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
nm
nm
Spektrale Bandbreite
Spectral bandwidth
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
2ϕ
160
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.)
(max.)
VF
VF
2.2
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
IR
IR
0.01
10
µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
TCλ
0.06
0.10
nm/K
nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak
,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
,
Temperaturkoeffizient von ∆λ (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of ∆λ (IF = 20 mA)
TCλ
TCV
TCIv
0.02
– 1.2
– 0.6
nm/K
mV/K
%/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Temperaturkoeffizient von IV, IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of IV, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
3
1998-08-28
LG Q971
Relative spektrale Emission I = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA
rel
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00406
1.0
%
Ιrel
0.8
Vλ
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
400
450
500
550
600
650
700
nm 750
λ
Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
OHL00408
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
ϕ
50˚
0.8
0.6
0.4
0.2
0
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
Semiconductor Group
4
1998-08-28
LG Q971
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
OHL00427
10 2
OHL00426
10 1
mA
ΙF
ΙV
ΙV (20 mA)
10 1
10 0
10 0
5
10 -1
5
10 -1
10 -2
10 -3
10 -2
5
10 -3
10 -1
5
10 0
5
10 1
10 2
mA
1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
3.2
V
VF
ΙF
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL00428
30
mA
25
20
15
10
5
ΙF
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 C 100
TA
Semiconductor Group
5
1998-08-28
LG Q971
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
0.8±0.05
0.3±0.05
0.8±0.05
Soldering terminal
Cathode mark
LED die
Polarity
Soldering terminal
(0.4)
P.C. board Resin
GEO06989
Semiconductor Group
6
1998-08-28
相关型号：
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