LHK376 [INFINEON]
Hyper ARGUS LED Hyper-Bright, 3 mm T1, TS GaAIAs LED, Non Diffused; 超ARGUS LED超高亮， 3毫米T1 ， TS GaAIAs LED，不扩散
| 型号： | LHK376 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Hyper ARGUS LED Hyper-Bright, 3 mm T1, TS GaAIAs LED, Non Diffused |
| 文件： | 总6页 (文件大小：249K) |
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Hyper ARGUS® LED
LH K376
Hyper-Bright, 3 mm (T1), TS GaAIAs LED,
Non Diffused
Besondere Merkmale
● farbloses, klares Gehäuse
● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie,
transparentes Substrat
● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
● bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
● zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet
● gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weiß-
druck) vor dem äußeren Reflektor
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
● Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale
Transmission an die von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.
Features
● colorless, clear package
● double heterojunction in GaAIAs technology, transparent
substrate
● plasic package with a special design
● in connection with an additional, custom
built reflector suitable for backlighting of display panels
● for optical coupling into light pipes
● uniform illumination of a diffuser screen in front of the
custom built reflector
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral
transmission must be adjusted to the wavelength emitted
by the LED.
Semiconductor Group
1
11.96
LH K376
Typ
Type
Emissionsfarbe Gehäusefarbe
Lichtstrom
Luminous Flux
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
Color of
Color of
Package
Emission
LH K376-QS
LH K376-R
LH K376-S
LH K376-RT
hyper-red
colorless clear
63 ... 200
100 ... 200
160 ... 320
100 ... 500
Q62703-Q3492
Q62703-Q3304
Q62703-Q3305
Q62703-Q3493
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
50
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
130
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
500
K/W
Semiconductor Group
2
LH K376
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
660
645
22
nm
nm
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
1.85
2.3
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
µA
µA
Kapazität
(typ.) C0
30
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
100
100
ns
ns
Temperaturkoeffizient von I bzw. Φ ,
TC
– 0.4
%/K
v
v
I
IF = 50 mA
Temperature coefficient of I or Φ ,
IF = 50 mA
(typ.)
(typ.)
v
v
Temperaturkoeffizient von V , I = 50 mA
(typ.) TC
(typ.)
– 3
mV/K
nm/K
F
F
V
Temperature coefficient of V , I = 50 mA
F
F
Temperaturkoeffizient von λ
, I = 50 mA
(typ.) TC
+ 0.16
peak
F
λ
Temperature coefficient of λ
, I = 50 mA
(typ.)
peak
F
Semiconductor Group
3
LH K376
Relative spektrale Emission Φrel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Φrel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LH K376
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relativer Lichtstrom ΦV/ΦV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous flux
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Semiconductor Group
5
LH K376
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
Semiconductor Group
6
相关型号：
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