LOGT671 [INFINEON]
Multi TOPLED Bright Green Die; 多TOPLED明亮的绿色模具
| 型号： | LOGT671 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Multi TOPLED Bright Green Die |
| 文件： | 总7页 (文件大小：490K) |
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Multi TOPLED®
LOG T671, LSG T671
Bright Green Die
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: P-LCC-4
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● P-LCC-4 package
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous
Luminous
Flux
Emission
Light Emitting Intensity
Area
I = 10 mA
F
I = 10 mA
F
IV (mcd)
ΦV (mlm)
LOG T671-HO orange/
green
LOG T671-LO
colorless clear ≥ 2.5
(8.0 typ.)
24 (typ.)
Q62703-Q3632
Q62703-Q3633
≥ 10.0
45 (typ.)
(15.0 typ.)
LSG T671-HK super-red/
colorless clear
2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0 18 (typ.)
6.3 ... 12.5 30 (typ.)
-
Q62703-Q3154
Q62703-Q3156
Q62703-Q3157
Q62703-Q3155
LSG T671-J
LSG T671-K
LSG T671-JL
green
6.3 ... 20.0
-
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LOG T671, LSG T671
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung
VR
5
V
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
100
400
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm )
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm )
Rth JA
2
2
)
*
PC-board: FR4
Semiconductor Group
2
LOG T671, LSG T671
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LO LY LG LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
635 610 586 565 557 nm
628 605 590 570 560 nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.) λdom
(typ.)
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
45
40
45
25
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
2ϕ
120 120 120 120 120 Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
2.6 2.6 2.6 2.6 2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
Kapazität
(typ.) C0
12
8
10
15
15
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
300 300 300 450 450 ns
150 150 150 200 200 ns
Semiconductor Group
3
LOG T671, LSG T671
Relative spektrale Emission I = f (λ), TA = 25 ˚C, I = 10 mA
rel
F
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LOG T671, LSG T671
Durchlaßstrom I = f (VF)
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
F
Forward current
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
TA = 25 ˚C
Zulässige ImpulsbelastbarkeitI = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
F
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
I = f (TA)
F
Semiconductor Group
5
LOG T671, LSG T671
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Wavelength at peak emission
Dominant wavelength
I = 10 mA
F
I = 10 mA
F
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA)
Forward voltage
Relative luminous intensity
I = 10 mA
F
I = 10 mA
F
Semiconductor Group
6
LOG T671, LSG T671
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
L
S
G
T671
Emission color 1 Emission color 2 Package
cathode: pin 1 cathode: pin 3
LED
Kathodenkennung:
Cathode mark:
abgeschrägte Ecke
bevelled edge
Semiconductor Group
7
相关型号：
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