LPM770-G [INFINEON]
Mini TOPLED RG; 迷你TOPLED RG型号: | LPM770-G |
厂家: | Infineon |
描述: | Mini TOPLED RG |
文件: | 总8页 (文件大小:492K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
Mini TOPLED® RG
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Besondere Merkmale
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (12-mm-Filmgurt)
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (12 mm tape)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous
Luminous
Flux
Emission
Light Emitting Intensity
Area
I = 10 mA
F
I = 10 mA
F
IV (mcd)
ΦV (mlm)
LS M770-HK
LS M770-J
LS M770-K
LS M770-JM
super-red
orange
colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
-
Q62703-Q3326
Q62703-Q3327
Q62703-Q3328
Q62703-Q3329
18 (typ.)
30 (typ.)
-
6.3 ... 12.5
4.0 ... 32.0
LO M770-HK
LO M770-J
LO M770-K
LO M770-JM
colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
-
Q62703-Q3330
Q62703-Q3331
Q62703-Q3332
Q62703-Q3333
18 (typ.)
30 (typ.)
-
6.3 ... 12.5
4.0 ... 32.0
LY M770-HK
LY M770-J
LY M770-K
LY M770-JM
yellow
colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
-
Q62703-Q3334
Q62703-Q3336
Q62703-Q3335
Q62703-Q3337
18 (typ.)
30 (typ.)
-
6.3 ... 12.5
4.0 ... 32.0
LG M770-HK
LG M770-J
LG M770-K
LG M770-JM
green
colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
-
Q62703-Q3338
Q62703-Q3339
Q62703-Q3340
Q62703-Q3341
18 (typ.)
30 (typ.)
-
6.3 ... 12.5
4.0 ... 32.0
LP M770-FJ
LP M770-G
LP M770-H
LP M770-GK
pure green
colorless clear 1.0 ... 8.0
1.6 ... 3.2
-
Q62703-Q3342
Q62703-Q3343
Q62703-Q3344
Q62703-Q3345
8 (typ.)
12 (typ.)
-
2.5 ... 5.0
1.6 ... 12.5
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung
VR
5
V
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
100
530
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm )
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm )
Rth JA
2
2
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LO LY LG LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
635 610 586 565 557 nm
628 605 590 570 560 nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.) λdom
(typ.)
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
45
40
45
25
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
2ϕ
120 120 120 120 120 Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
2.6 2.6 2.6 2.6 2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
Kapazität
(typ.) C0
12
8
10
15
15
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
300 300 300 450 450 ns
150 150 150 200 200 ns
Semiconductor Group
4
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Relative spektrale Emission I = f (λ), TA = 25 ˚C, I = 10 mA
rel
F
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Durchlaßstrom I = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
F
Zulässige ImpulsbelastbarkeitI = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
F
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
I = f (TA)
F
Semiconductor Group
6
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Wavelength at peak emission
Dominant wavelength
I = 10 mA
F
I = 10 mA
F
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA)
Forward voltage
Relative luminous intensity
I = 10 mA
F
I = 10 mA
F
Semiconductor Group
7
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
Semiconductor Group
8
相关型号:
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明