LPT80A [INFINEON]
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor; NPN - Silizium - Fototransistor NPN硅光电晶体管
| 型号： | LPT80A |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| 文件： | 总4页 (文件大小：39K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
LPT 80 A
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
16.51
16.00
5.84
5.59
1.29
1.14
1.52
1.52
2.54
2.03
1.70
1.45
1.52
Collector
Plastic marking
GEO06391
R = 0.76
Approx. weight 0.2 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 470 nm bis 1080 nm
● Sidelooker im Kunststoffgehäuse
● Hohe Empfindlichkeit
● Especially suitable for applications from
470 nm to 1080 nm
● Sidelooker in plastic package
● High sensitivity
● Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
● Matches IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A
Anwendungen
Applications
● Fertigungs- und Kontrollanwendungen der
Industrie
● A variety of manufacturing and monitoring
applications
● Lichtschranken
● Photointerrupters
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
LPT 80 A
Q68000-A7852
Klares Kunststoffgehäuse, Lötspieße im 2.54-mm-Raster
1
( / ”), Kollektorkennzeichnung: Längerer Lötspieß
10
1
Clear plastic miniature package, 2.54 mm ( / ”) lead spacing,
10
collector marking: long solder lead
Semiconductor Group
1
1998-11-16
LPT 80 A
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
VCE
IC
– 40 ... + 100
°C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
30
V
Kollektorstrom
Collector current
50
mA
mA
V
Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs
Collector surge current
ICS
100
7
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
VEC
Ptot
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
100
750
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
RthJA
Semiconductor Group
2
1998-11-16
LPT 80 A
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S=10% von Smax
λ
430 ... 1070
nm
Spectral range of sensitivity
S=10% of Smax
Abmessung der Chip-Fläche
Dimensions of chip area
0.55 x 0.55
mm x mm
L x B
L x W
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 35
Grad
deg.
Kapaziät, VCE = 5 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
CCE
IR
3.3
pF
Dunkelstrom, VCE = 5 V
3 (< 50)
nA
Dark current
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotostrom
mA
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm , VCE = 5 V,
2
IPCE
> 0.25
λ = 950 nm
Ev = 1000 lx, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V IPCE
3.2
10
Anstiegs- und Abfallzeit
tr, tf
µs
Rise and fall time
RL = 1 kΩ, V = 5 V, λ=950 nm, IC = 1 mA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCE min x 0.8,
VCEsat
150
mV
2
Ee = 0.5 mW/cm
Semiconductor Group
3
1998-11-16
LPT 80 A
Relative spectral sensitivity
Photocurrent
Total power dissipation
S
= f (λ)
I
= f (E ) , V = 5 V
101
P
= f (T )
rel
PCE
e
CE
tot
A
OHF01420
OHFD1422
OHR01425
100
125
mA
100
mA
Srel
Ι PCE
Ι F
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
10-1
10-2
10-3
L
K
J
75
50
25
H
0
0
10-3
10-2
10-1 mW/cm2 100
Ee
400 500 600 700 800 900 nm 1100
20
40
60
80 C 100
TA
λ
Photocurrent
Dark current
= f (T ), V = 5 V, E = 0
Capacitance
C = f (V ), f = 1 MHz, E = 0
CE
I
/ IPCE25°= f (T ), V = 5 V
I
PCE
A
CE
CE0
A
CE
CE
OHF00344
OHF00343
OHF01524
104
nA
8
pF
7
1.6
Ι PCE
CCE
Ι PCE25
Ι CE0
1.4
1.2
103
6
5
4
3
2
1
0
102
101
100
10-1
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10-2
10-1
100
101
V
102
0
25
50
75 ˚C 100
-25
0
25
50
75
C 100
TA
TA
VCE
Dark current
Directional characteristics
I
= f (V ), E = 0
101
S
= f (ϕ)
CE0
CE
rel
OHF00342
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHF00345
nA
Ι R
1.0
50˚
0.8
0.6
0.4
100
10-1
10-2
60˚
70˚
0.2
0
80˚
90˚
0
10
20
V
30
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
VCE
Semiconductor Group
4
1998-11-16
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明