LR3360-G [INFINEON]
3 mm (T1) LED, Diffused; 3毫米（ T1 ）的LED ，扩散
| 型号： | LR3360-G |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | 3 mm (T1) LED, Diffused |
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3 mm (T1) LED, Diffused
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● als optischer Indikator einsetzbar
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, diffused package
● for use as optical indicator
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Typ
Type
Emissionsfarbe Gehäusefarbe
Lichtstärke
Luminous
Intensity
Bestellnummer
Ordering Code
Color of
Color of
Package
Emission
IF = 10 mA
IV (mcd)
LR 3360-DG
LR 3360-F
LR 3360-G
LR 3360-FJ
red
red diffused
0.4 … 3.2
1.0 … 2.0
1.6 … 3.2
1.0 … 8.0
Q62703-Q1316
Q62703-Q1317
Q62703-Q1318
Q62703-Q1319
LS 3360-HL
LS 3360-K
LS 3360-L
LS 3360-KN
super-red
orange
yellow
green
red diffused
2.5 … 20.0
6.3 … 12.5
10.0 … 20.0
6.3 … 50.0
Q62703-Q1320
Q62703-Q1321
Q62703-Q1322
Q62703-Q1323
LO 3360-HL
LO 3360-K
LO 3360-L
LO 3360-JM
orange diffused
yellow diffused
green diffused
2.5 ... 20.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
4.0 ... 32.0
Q62703-Q1887
Q62703-Q2400
Q62703-Q2596
Q62703-Q2410
LY 3360-HL
LY 3360-K
LY 3360-L
LY 3360-KN
2.5 ... 20.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
6.3 ... 50.0
Q62703-Q1324
Q62703-Q1325
Q62703-Q1326
Q62703-Q1998
LG 3360-HL
2.5 ... 20.0
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
6.3 ... 50.0
Q62703-Q3818
Q62703-Q1865
Q62703-Q2008
Q62703-Q3507
Q62703-Q3819
LG 3360-
J
LG 3360-K
LG 3360-L
LG 3360-KN
LP 3360-GK
LP 3360-H
LP 3360-J
pure green
green diffused
1.6 ... 12.5
2.5 ... 5.0
4.0 ... 8.0
2.5 ... 20.0
Q62703-Q2467
Q62703-Q2914
Q62703-Q2915
Q62703-Q3213
LP 3360-HL
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LY, LG LR
LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 … + 100
°C
°C
°C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 … + 100
+ 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
40
45
0.5
30
Stoßstrom
IFM
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 °C
Ptot
140
100
100
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
400
K/W
Semiconductor Group
3
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR LS LO LY LG LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.) λpeak
Wavelength at peak emission(typ.)
IF = 20 mA
660 635 610 586 565 557 nm
645 628 605 590 570 560 nm
Dominantwellenlänge(typ.)
Dominant wavelength(typ.)
IF = 20 mA
λdom
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.)
IF = 20 mA
35
70
45
70
40
70
45
70
25
70
22
70
nm
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
Grad
deg.
Durchlaßspannung(typ.)
Forward voltage(max.)
IF = 10 mA
VF
VF
1.6 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
2.0 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6
V
V
Sperrstrom(typ.)
Reverse current(max.)
VR = 5 V
IR
IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
10
µA
Kapazität(typ.)
Capacitance
C0
25
12
8
10
15
15
pF
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %(typ.)
IV from 90 % to 10 %(typ.)
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
tr
tf
120 300 300 300 450 450 ns
50 150 150 150 200 200 ns
Semiconductor Group
4
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL01698
100
%
Ιrel
80
V
λ
60
40
20
0
400
450
500
550
600
650
700
nm
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
OHL02146
10 1
Ι V
Ι V (10 mA)
10 0
5
10 -1
5
green
red
10 -2
yellow
super-red
5
orange
pure-green
10 -3
10
-1
0
1
2
mA
5
10
5
10
10
Ι F
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
LS, LO, LY, LG
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
LR
Semiconductor Group
6
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
LP
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL01686
10 3
t P
Ι F
t P
T
ΙF
D
=
mA
T
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10 2
5
0.2
0.5
DC
10 1
10-5
10-4 10-3 10-2 10-1
100 s 101
t p
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
Semiconductor Group
7
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
IF = 10 mA
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
4.8
4.4
Area not flat
2.7
2.1
3.4
3.1
1.8
1.2
3.7
3.5
6.1
5.7
0.6
0.4
29.0
27.0
Chip position
Collector/
Cathode
GEX06710
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
Semiconductor Group
8
1998-07-13
相关型号：
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