LSGT770-K [INFINEON]
Multi TOPLEDRG; 多TOPLEDRG
| 型号： | LSGT770-K |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Multi TOPLEDRG |
| 文件： | 总8页 (文件大小：505K) |
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Multi TOPLED® RG
LSG T770
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: P-LCC-4
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
● hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
● bei geeigneter Ansteuerung, Farbwechsel von grün über
gelb und orange bis super-rot möglich
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (12-mm-Filmgurt)
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● P-LCC-4 package
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● both chips can be controlled separately
● high signal efficiency possible by color change of the LED
● with appropriate controlling it is possible to change color
from green to yellow and orange to super-red
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (12 mm tape)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LSG T770
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous
Luminous
Flux
Emission
Light Emitting Intensity
Area
IF = 10 mA
IV(mcd)
IF = 10 mA
ΦV (mlm)
LSG T770-HK super-red /
colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
-
Q62703-Q2567
Q62703-Q2893
Q62703-Q2894
Q62703-Q2895
LSG T770-J
LSG T770-K
LSG T770-JL
green
18 (typ.)
30 (typ.)
-
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.1)
Streuung der Lichtstärke in einer LED IV max / IV min ≤ 3.0.
1)
Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.1)
Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min ≤ 3.0.
1)
In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Semiconductor Group
2
LSG T770
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol Wert
Symbol Value
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 ... + 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
+ 100
30
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Ptot
100
mW
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
1)
2)
Montage auf PC-Board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) Rth JA
480
650
K/W
K/W
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) Rth JA
*) PC-board: FR4
1)
1)
2)
nur ein Chip betrieben
one system only
both systems on simultaneously
2)
beide Chips betrieben
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
3
LSG T770
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LS
LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
λpeak
λdom
∆λ
635
565
570
25
nm
nm
nm
Wavelength at peak emission
(typ.)
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
628
45
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.)
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
(typ.)
(max.)
VF
VF
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
IF = 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
IR
IR
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Kapazität
(typ.)
C0
12
15
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.)
(typ.)
tr
tf
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
4
LSG T770
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LSG T770
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA)
Max. permissible forward current
Semiconductor Group
6
LSG T770
Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
7
LSG T770
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
L
S
G
T770
Emission color 1 Emission color 2 Package
cathode: pin 1 cathode: pin 3
LED
Semiconductor Group
8
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