LTC873-Q1 [INFINEON]
Visible LED, Clear;
| 型号： | LTC873-Q1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Visible LED, Clear 光电 |
| 文件： | 总10页 (文件大小：71K) |
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Hyper Mini SIDELED®
Hyper-Bright LED
LB C873, LV C873, LT C873
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
Features
• Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse
• Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform
mit extrem breiter Abstrahlcharakteristik; ideal
für Einkopplungen in Lichtleiter
• package: white SMT package
• feature of the device: small package with
extremely wide viewing angle; ideal for coupling
in light guides
• Wellenlänge: 470 nm (blau), 505 nm (verde),
528 nm (true green)
• wavelength: 470 nm (blue), 505 nm (verde),
528 nm (true green)
• Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)
• Technologie: InGaN
• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
• technology: InGaN
• optischer Wirkungsgrad: 2 lm/W (blau),
6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)
• Gruppierungsparameter: Lichtstärke
• Verarbeitungsmethode: für alle
SMT-Bestücktechniken geeignet
• optical efficiency: 2 lm/W (blue),
6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)
• grouping parameter: luminous intensity
• assembly methods: suitable for all
SMT assembly methods
• Lötmethode: IR Reflow Löten
• soldering methods: IR reflow soldering
• preconditioning: acc. to JEDEC Level 2
• taping: 8 mm tape with 2000/reel, ø180 mm
or 8000/reel, ø330 mm
• Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2
• Gurtung: 8 mm Gurt mit 2000/Rolle, ø180 mm
oder 8000/Rolle, ø330 mm
• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
MIL STD 883 D, Method 3015.7
• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
MIL STD 883 D, Method 3015.7
Anwendungen
Applications
• Signalindikatoren
• signaling applications
• Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter,
Tasten, Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung)
• backlighting (LCD, cellular phones, switches,
keys, displays, illuminated advertising,
general lighting)
• Einkopplung in Lichtleiter
• coupling into light guides
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OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Typ
Emissions-
farbe
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
LightEmitting Intensity
Lichtstärke
Luminous
Lichtstrom Bestellnummer
Type
Color of
Emission
Luminous
Flux
Ordering Code
Area
IF = 20 mA
IV (mcd)
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
LB C873-L1M1-1 blue
LB C873-M1N1-1
LB C873-L1
colorless clear 11.2 ... 22.4
18.0 ... 35.5
50.4 (typ.) on request
80.3 (typ.) on request
37.8 (typ.)
11.2 ... 14.0
LB C873-L2
14.0 ... 18.0
48.0 (typ.)
LB C873-M1
18.0 ... 22.4
60.6 (typ.)
LB C873-M2
22.4 ... 28.0
75.6 (typ.)
LB C873-N1
28.0 ... 35.5
95.3 (typ.)
LV C873-N1P1-1 verde
LV C873-P1Q1-1
LV C873-N1
colorless clear 28.0 ... 56.0
45.0 ... 90.0
126.0 (typ.) on request
202.5 (typ.) on request
95.3 (typ.)
28.0 ... 35.5
LV C873-N2
35.5 ... 45.0
120.8 (typ.)
LV C873-P1
45.0 ... 56.0
151.5 (typ.)
LV C873-P2
56.0 ... 71.0
190.5 (typ.)
LV C873-Q1
71.0 ... 90.0
241.5 (typ.)
LT C873-N2P2-1 true green
LT C873-P2Q2-1
LT C873-N2
colorless clear 35.5 ... 71.0
56.0 ... 112.0
159.8 (typ.) on request
252.0 (typ.) on request
120.8 (typ.)
35.5 ... 45.0
LT C873-P1
45.0 ... 56.0
151.5 (typ.)
LT C873-P2
56.0 ... 71.0
190.5 (typ.)
LT C873-Q1
71.0 ... 90.0
241.5 (typ.)
LT C873-Q2
90.0 ... 112.0
303.0 (typ.)
Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±11 %
ermittelt.
Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of ±11 %.
-1 Farbselektiert nach Wellenlängengruppen (siehe Seite 4).
-1 Color selection acc. to Wavelength groups (see page 4).
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OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 40 … + 100
– 40 … + 100
+ 125
°C
°C
°C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
20
Stoßstrom
IFM
t.b.d.
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Leistungsaufnahme
Power dissipation
TA ≤ 25 °C
Ptot
85
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht/Umgebung
Junction/ambient
Sperrschicht/Lötpad
Rth JA
Rth JS
530
250
K/W
K/W
Junction/solder point
Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board FR 4 (pad size ≥ 16 mm 2)
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OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LB
LV
LT
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge1)
Dominant wavelength1)
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
465
503
523
nm
nm
nm
(typ.) λdom
(typ.) ∆λ
(typ.) 2ϕ
470
± 7
505
± 8
528
± 10
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
25
30
33
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
3.5
4.2
3.3
4.2
3.3
4.2
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Temperaturkoeffizient von λpeak
Temperature coefficient of λpeak
IF = 20 mA
(typ.) TCλpeak
(typ.) TCλdom
(typ.) TCV
0.04
0.02
– 2.9
2
0.03
0.02
– 3.2
6
0.04
0.03
– 3.6
8
nm/K
nm/K
mV/K
lm/W
Temperaturkoeffizient von λdom
Temperature coefficient of λdom
IF = 20 mA
Temperaturkoeffizient von VF
Temperature coefficient of VF
IF = 20 mA
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
IF = 20 mA
(typ.) ηopt
1)
Wellenlängengruppen / Wavelength groups
Wellenlängengruppen werden mit einer
Stromeinprägedauer von 25 ms und einer
Genauigkeit von ±1 nm ermittelt.
Gruppe
Group
blue
verde
true green
min. max. min. max. min. max.
3
4
5
464 468 498 503 519 525
468 472 503 507 525 531
472 476 507 512 531 537
Wavelength groups are tested at a current
pulse duration of 25 ms and an accuracy of ±1
nm.
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4
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA
Relative Spectral Emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00492
100
%
Irel
80
V
λ
60
blue
verde
true green
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation Characteristic
OHL01660
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
ϕ
50˚
0.8
0.6
0.4
0.2
0
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
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5
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward Current
TA = 25 °C
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative Luminous Intensity
TA = 25 °C
OHL00494
10 1
OHL00495
10 2
mA
IV
IF
5
IV (20 mA)
10 0
5
10 1
5
blue
verde,
true green
10 -1
5
10 0
5
10 -2
10 -1
10 -1
10 0
10 1
mA 10 2
2
2.5
3
3.5
4
4.5 V 5
IF
VF
Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (T)
Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (T)
Max. Permissible Forward Current
Max. Permissible Forward Current
OHL01146
OHL01147
30
30
mA
Estimated average degradation
IV = -50%
Estimated average degradation
IV = -50%
mA
IF
IF
∆
∆
25
25
verde,
true green
20
15
10
5
20
15
10
5
blue
blue
verde,
true green
TA temp. ambient
TS temp. solder point
0
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
T
2000-03-01
6
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative Luminous Intensity
IF = 20 mA
Dominante Wellenlänge λdom = f (IF)
Dominant Wavelength
LV, TA = 25 °C
OHL00503
OHL00870
511
1.2
nm
dom 510
IV
λ
IV (25 ˚C)
509
508
0.8
0.6
0.4
0.2
0
507
verde
506
505
504
503
502
-10
10
30
50
70
˚C 100
0
10
20
30
40 mA 50
T
IF
A
Dominante Wellenlänge λdom = f (IF)
Dominant Wavelength
LB, TA = 25 °C
Dominante Wellenlänge λdom = f (IF)
Dominant Wavelength
LT, TA = 25 °C
OHL00500
OHL00882
472.5
nm
541
nm
λ dom
λ
dom 539
537
471.5
471.0
470.5
470.0
469.5
469.0
535
533
531
true green
529
blue
527
525
523
521
0
10
20
30
40 mA 50
0
10
20
30
40 mA 50
IF
IF
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7
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Maßzeichnung
Package Outlines
5.8 (0.228)
5.4 (0.213)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
Cathode
4.6 (0.181)
4.2 (0.165)
GPLY6930
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
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8
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Lötbedingungen
Vorbehandlung nach JEDEC Level 2
Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2
IR-Reflow Lötprofil
(nach IPC 9501)
IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 9501)
OHLY0597
300
˚C
250
200
150
100
50
T
240-245 ˚C
10-40 s
183 ˚C
120 to 180 s
Ramp-down rate up to 6 K/s
Defined for Preconditioning: up to 6 K/s
Ramp-up rate up to 6 K/s
Defined for Preconditioning: 2-3 K/s
0
0
50
100
150
200
s
250
t
2000-03-01
9
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Empfohlenes Lötpaddesign IR Reflow Löten
Recommended Solder Pad
IR Reflow Soldering
6.6
6.6
1.2
Padgeometrie
für verbesserte
Wärmeableitung
1.2
Paddesign
for improved
heat dissipation
Cu-Fläche > 16 mm2
Cu-area > 16 mm 2
Lötstopplack
Solder resist
OHLP0981
Gurtung / Polarität und Lage
Verpackungseinheit 2000/Rolle, ø180 mm
oder 8000/Rolle, ø330 mm
Method of Taping / Polarity and Orientation Packing unit 2000/reel, ø180 mm
or 8000/reel, ø330 mm
4
2
1.5
C
A
1.8
4
OHA00226
2000-03-01
10
OPTO SEMICONDUCTORS
相关型号：
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