P2000DL45X168 [INFINEON]
The Press Pack IGBT offers 2000 A with internal freewheeling diode using Infineon Trench 4.5 kV IGBT chips.;
| 型号： | P2000DL45X168 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | The Press Pack IGBT offers 2000 A with internal freewheeling diode using Infineon Trench 4.5 kV IGBT chips. 双极性晶体管 |
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
Key Parameters
IGBT
VCES
INOM
ICRM
Diode
VRRM
IF
4500 V
2000 A
4000 A
4500V
2000A
4000A
IFRM
Merkmale
Features
Druckkontaktierter IGBT mit integrierter
Freilaufdiode
Press Pack IGBT with integrated Freewheeling Diode
Stabiler Kurzschluss im Fehlerfall
Long term Short on Fail behavior
High dynamic robustness
High short-circuit capability
Low VCEsat
Hohe dynamische Robustheit
Hohe Kurzschlussrobustheit
Niedriges VCEsat
Trench IGBT 3
Trench IGBT 3
Typische Anwendungen
Typical Applications
Hochleistungsumrichter
Mittelspannungsantriebe
High power converters
Medium voltage converters
Modulare Multi- Level Umrichter MMC für HGÜ
und Kompensationsanlagen
Modular Multi Level Inverter MMC for HVDC and FACTS
DC Leistungsschalter
DC Breakers
4
5
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
serial number
1..7
8..16
7
9
2
2
2
4
4
2
1
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
QR class (optional)
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Date of Publication: 2021-09-21
Revision:3.0
Seite/page: 1/12
Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
IGBT, Wechselrichter / IGBT, Inverter
lektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitter voltage
VCES
4500
2000
V
A
TC = 105°C, Tvj max = 150°C
Kollektor-Dauergleichstrom
IC nom
Continuous DC collector current
tP = 1 ms
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
Repetitive peak collector current
ICRM
4000
A
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitter peak voltage
VGES
+/- 20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ.
max.
2,50
vCE sat
vCE sat
vCE sat
2,25
2,57
2,70
V
V
V
IC = 2000 A, VGE = 15 V;
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
IC = 2000 A, VGE = 15 V;
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
2,90
3,05
Collector-emitter saturation voltage
IC = 2000 A, VGE = 15 V;
Gate-Schwellenspannung
Gate threshold voltage
6,6
40
IC = 105 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGEth
QG
V
Gateladung
µC
VGE = -15 / 15 V
Gate charge
Interner Gatewiderstand
Internal gate resistor
Tvj = 25°C, vD = 12 V
rG
0,09
0,1
Ohm
nF
Eingangskapazität
Input capacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V,
VGE = 0 V
Cies
Cires
ICES
IGES
420
7,2
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V,
VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität
Reverse transfer capacitance
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitter cut-off current
VCE = 4500 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
150
0,23
200
0,8
µA
Gate-Emitter-Reststrom
µA
Gate-emitter leakage current
0,32
0,33
0,33
µs
µs
µs
IC = 2000 A, VCE = 2800 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 1,2
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
Einschaltverzögerungszeit, induktive Last
Turn-on delay time, inductive load
td on
0,26
0,28
0,28
µs
µs
µs
IC = 2000 A, VCE = 2800 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 1,2
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
Anstiegszeit, induktive Last
Rise time, inductive load
tr
td off
tf
6,9
7,6
7,7
µs
µs
µs
IC = 2000 A, VCE = 2800 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 4,8
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
Abschaltverzögerungszeit, induktive Last
Turn-off delay time, inductive load
2,2
4,2
4,5
µs
µs
µs
IC = 2000 A, VCE = 2800 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 4,8
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
Fallzeit, induktive Last
Fall time, inductive load
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revision:
prepared by: CD
approved by: JP
3.0
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ.
max.
J
J
J
8,0
8,8
9,5
IC = 2000 A, VCE = 2800 V, L= 150nH
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
Turn-on energy loss per pulse
Eon
Eoff
ISC
Thermische Eigenschaften
MeVcGEh=a-15n/ 1i5sVc, RhGoen = 1E,2 igenschaften
11,3
15,2
16,5
J
J
J
IC = 2000 A, VCE = 2800 V, L= 150nH
dv/dt = 1100 V/μs
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
Turn-off energy loss per pulse
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 4,8
VGE 15 V, VCC = 2800 V, tpsc ≤ 10 µs
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Tvj = 125°C
Kurzschlußverhalten
SC data
10,5
kA
Diode, Wechselrichter / Diode, Inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodisch Spitzensperrspannung
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
4500
V
A
TC = 95°C, Tvj max = 150°C
Dauergleichstrom
Continuous DC forward current
IF
2000
tP = 1 ms
Periodischer Spitzenstrom
Repetitive peak forward current
IFRM
IFSM
I2t
4000
17000
1445
A
A
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Stoßstrom
Surge current
Grenzlastintegral
I2t - value
kA2s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ.
max.
IF = 2000 A
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
2,80
2,73
2,70
V
V
V
Durchlassspannung
IF = 2000 A
VF
IRM
Qrr
Forward voltage
IF = 2000 A
IF = 2000 A, VR = 2800 V,
Rückstromspitze
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
A
A
1900
2460
2580
Rgon= 1,2 , VGE = +15V ; LS=150nH
Peak reverse recovery current
A
Sperrverzögerungsladung
Recovered charge
IF = 2000 A, VR = 2800 V,
Rgon= 1,2 , VGE = +15V ; LS=150nH
Tvj=25°C
vj=125°C
Tvj=150°C
1500
3350
3900
µAs
µAs
µAs
2,2
5,7
6,8
IF = 2000 A, VR = 2800 V,
Rgon= 1,2 , VGE = +15V ; LS=150nH
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
J
J
J
Abschaltenergie
Erec
Reverse recovery energy
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
IGBT, Innerer Wärmewiderstand
IGBT, thermal resistance, junction to case
Maßbild
max. 6,6
K/kW
K/kW
RthJC IGBT
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Diode, Innerer Wärmewiderstand
Diode, thermal resistance, junction to case
max. 13,2
RthJC Diode
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH IGBT
RthCH Diode
typ.
typ.
1,5
3,0
K/kW
K/kW
thermal resistance, case to heatsink
Tvj=25°C, 100 fit
Kollektor- Emitter- Gleichspannung
DC- stability
2800
150
V
VCE D
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
°C
°C
°C
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
-40…+150
Tvj
op
Lagertemperatur
storage temperature
-40…+150 )*
Tstg
)* Gate cable limitation max. 80°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 5
page 5
Anpresskraft
clamping force
F
50…80
kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244
Gate
Emitter
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
3000
35
g
Kriechstrecke
creepage distance
mm
mm
µm
Luftstrecke
12
Clearance distance
Ebenheit der Kontaktflächen
Flatness of contact areas
ISO 1101
f = 50 Hz
30
Schwingfestigkeit
vibration resistance
50
m/s²
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
4
5
1: Kollektor/colector
2: Emitter/emitter
4: Gate
2
1
5: Hilfsemitter/
emitter (control terminal)
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
/
Pos. n
1
2
3
3
2
4
0,5
0,005
1
5
6
7
Rthn
[K/kW]
IGBT
beidseitig
two-sided
1,1
7
τn [s]
0,2
6
0,06
4
Rthn
[K/kW]
2,2
Diode
beidseitig
two-sided
τn [s]
7
0,22
0,06
0,006
nmax
-t
n
Rthn 1 e
Analytische Funktion / analytical function:
ZthJC
n=1
14,0
12,0
10,0
8,0
Diode
IGBT
6,0
4,0
2,0
0,0
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC
transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
3000
Tvj=125°C
Tvj=25°C
Tvj=150°C
2000
1000
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
VCEsat [V]
Ausgangskennlinie IGBT,Wechselrichter (typisch)
output characteristic IGBT,Inverter (typical)
IC=f(VCE) , VGE=15V
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
VGE=20V
VGE=19V
VGE=18V
VGE=17V
VGE=16V
VGE=15V
VGE=14V
VGE=13V
VGE=12V
VGE=11V
VGE=10V
VGE=9V
VGE=8V
0
1
2
3
4
5
6
VCE [V]
Ausgangskennlinie IGBT, Wechselrichter (typisch)
output characteristic IGBT,Inverter (typical)
IC=f(VCE) , Tvj=150°C
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
5000
Tvj=25°C
4500
Tvj=125°C
4000
Tvj=150°C
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
8
9
10
11
12
13
14
VGE [V]
Übertragungscharakteristik IGBT, Wechselrichter (typisch)
transfer characteristic IGBT, Inverter (typical)
IC =f(VGE) VCE =12V
16
14
12
10
8
Eon, Tvj=150°C
Eon, Tvj=125°C
Eoff, Tvj=150°C
Eoff, Tvj=125°C
6
4
2
0
500
700
900
1100
1300
1500
1700
1900
IC [A]
Schaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch)
switching losses IGBT, Inverter (typical)
Eon =f(IC), Eoff=f(IC)
VGE= ±15V, RGon= 1,2Ω, RGoff=4,8Ω, VCE=2800V
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
30
Eon [J] @125°C
Eon [J] @150°C
Eoff [J] @125°C
Eoff [J] @150°C
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Rg [Ω]
Schaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch)
switching losses IGBT, Inverter (typical)
Eon=f(RG), Eoff=f(RG)
VGE= ±15V, IC= 2000A, VCE= 2800V
5000
4000
3000
2000
1000
0
Chip
Disc
0
1000
2000
3000
4000
5000
VCE [V]
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT, Wechselrichter (RBSOA)
Reverse bias safe operating area IGBT,Inverter (RBSOA)
IC=f(VCE)
VCC≤ 3600V, VGE=±15V, RGoff= 7Ω, Tvj=150°C
Date of Publication: 2021-09-21
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
4000
3000
2000
1000
0
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
VF [V]
Durchlasskennlinie der Diode, Wechselrichter (typisch)
Forward characteristic of Diode, Inverter (typical)
IF=f(VF)
7,00
6,00
5,00
4,00
3,00
2,00
1,00
0,00
Erec [J]@150°C
Erec [J]@125°C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
If (A)
Schaltverluste Diode, Wechselrichter (typisch)
switching losses Diode, Inverter (typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.8Ω, VCE=2800V
Date of Publication: 2021-09-21
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Technische Information /
technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
P2000DL45X168
7
Erec , Tvj=125°C
Erec , Tvj=150°C
6
5
4
3
2
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
Rgon [Ω]
Schaltverluste Diode, Wechselrichter (typisch)
Switching losses Diode, Inverter (typical)
Erec=f(RG)
IF=2000A, VCE=2800V
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
VR [V]
Sicherer Arbeitsbereich Diode, Wechselrichter (SOA)
Safe operation area Diode, Inverter (SOA)
IR=f(VR) Tvj=150°C
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technical information
Druckkontaktierter IGBT
Press Pack IGBT
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Nutzungsbedingungen
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