PTF082001E [INFINEON]

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 30265, 2 PIN;
PTF082001E
元器件型号: PTF082001E
生产厂家: INFINEON TECHNOLOGIES AG    INFINEON TECHNOLOGIES AG
描述和应用:

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 30265, 2 PIN

局域网 放大器 CD 晶体管
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型号参数:PTF082001E参数
生命周期Obsolete
包装说明FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.81
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码S-CDFM-F2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)603 W
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1