元器件型号: | PTF082001E |
生产厂家: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
描述和应用: | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 30265, 2 PIN 局域网 放大器 CD 晶体管 |
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型号参数:PTF082001E参数 | |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.81 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | S-CDFM-F2 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 603 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 30265, 2 PIN
局域网 放大器 CD 晶体管