Q62702-P33 [INFINEON]
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays; NPN - Silizium - Fototransistor Zeilen硅NPN晶体管阵列
| 型号： | Q62702-P33 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays |
| 文件： | 总5页 (文件大小：207K) |
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NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen
Silicon NPN Phototransistor Arrays
BPX 80
BPX 82 ... 89
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 440 nm bis 1070 nm
● Hohe Linearität
● Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
● High linearität
● Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem
Epoxy
● Multiple-digit array package of transparent
epoxy
● Gruppiert lieferbar
● Available in groups
Anwendungen
Applications
● Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Lochstreifenleser
● Miniature photointerrupters
● Punched tape reading
● Industrial electronics
● Industrieelektronik
● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”
03.96
Semiconductor Group
1
BPX 80
BPX 82 ... 89
Typ
Transistoren
pro Zeile
Maße “A”
Bestellnummer
Number of Transistors
per Array
Type
Dimensions “A”
Ordering Code
min
4.5
max
4.9
BPX 82
BPX 83
BPX 84
BPX 85
BPX 86
BPX 87
BPX 88
BPX 89
BPX 80
2
Q62702-P21
Q62702-P25
Q62702-P30
Q62702-P31
Q62702-P22
Q62702-P32
Q62702-P33
Q62702-P26
Q62702-P28
3
7.0
7.4
4
9.6
10
5
12.1
14.6
17.2
19.7
22.3
24.8
12.5
15
6
7
17.6
20.1
22.7
25.2
8
9
10
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 40 ... + 80
230
°C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
TS
°C
°C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
TS
300
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
VCE
IC
32
50
V
Kollektorstrom
mA
Collector current
Semiconductor Group
2
BPX 80
BPX 82 ... 89
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
ICS
200
90
mA
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Ptot
RthJA
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
750
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
λ
440 ... 1070
nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.17
mm
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L × B
L × W
0.6 × 0.6
1.3 ... 1.9
mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
mm
H
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 18
Grad
deg.
Kapazität
CCE
6
pF
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
ICEO
25 (≤ 200)
nA
Dark current
VCE = 25 V, E = 0
Semiconductor Group
3
BPX 80
BPX 82 ... 89
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Werte
Value
Einheit
Unit
-A
-B
-C
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm , VCE = 5 V
2
IPCE
0.32 ... 0.63 0.40 ... 0.80 ≥ 0.5
mA
mA
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IPCE
VCE = 5 V
1.7
2.2
2.7
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
tr, tf
5.5
6
8
µs
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter
saturation voltage
VCEsat
150
150
150
mV
1)
IC = IPCEmin × 0.3,
2
Ee = 0.5 mW/cm
Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die
Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht möglich.
For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite
group.
1)
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
4
BPX 80
BPX 82 ... 89
Relative spectral sensitivity
= f (λ)
Photocurrent
= f (E ), V = 5 V
Total power dissipation
P = f (T )
tot
S
I
rel
PCE
e
CE
A
Photocurrent
/I
o = f (T ), V = 5 V
Collector-emitter capacitance
I
C
= f (V ), f = 1 MHz, E = 0
PCE PCE25
A
CE
CE
CE
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
Semiconductor Group
5
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