Q62702-P928 [INFINEON]
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode; Silizium - Fotodiode硅光电二极管
| 型号： | Q62702-P928 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode |
| 文件： | 总5页 (文件大小：244K) |
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Silizium-Fotodiode
Silicon Photodiode
BPX 90
BPX 90 F
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 90)
und bei 950 nm (BPX 90 F)
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (BPX 90) and of 950 nm
(BPX 90 F)
● Hohe Fotoempfindlichkeit
● High photosensitivity
● DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
● DIL plastic package with high packing
density
Anwendungen
Applications
● Industrieelektronik
● Industrial electronics
● “Messen/Steuern/Regeln”
● For control and drive circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 90
Q62702-P47
Q62702-P928
BPX 90 F
01.97
Semiconductor Group
1
BPX 90
BPX 90 F
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 40 ... + 80
230
°C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
TS
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
32
V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Ptot
100
mW
Total power dissipation
Kennwerte TA = 25 °C
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 90
BPX 90 F
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm
S
45 (≥ 32)
–
nA/Ix
2
S
–
26 (≥ 16)
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
830
950
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
λ
400 ... 1150 800 ... 1150 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
5.5
5.5
mm
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
L × B
1.75 × 3.15 1.75 × 3.15 mm × mm
Dimensions of radiant sensitive area
L × W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
0.5
0.5
mm
H
Distance chip front to case surface
Semiconductor Group
2
BPX 90
BPX 90 F
Kennwerte TA = 25 °C
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 90
BPX 90 F
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 60
± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
IR
Sλ
η
5 (≤ 180)
0.48
5 (≤ 180)
0.48
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 950 nm
Spectral sensitivity
A/W
Quantenausbeute, λ = 950 nm
Quantum yield
0.62
0.62
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm , λ = 950 nm
VO
VO
450 (≥ 380) –
mV
2
–
400 (≥ 340) mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm , λ = 950 nm
ISC
45
–
µA
2
ISC
–
13
µA
µs
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 30 µA
tr, tf
1.3
1.3
Durchlaßspannung, IF = 80 mA, E = 0
Forward voltage
VF
C0
1.3
1.3
V
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
430
430
pF
Capacitance
Semiconductor Group
3
BPX 90
BPX 90 F
Kennwerte TA = 25 °C
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 90
BPX 90 F
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV
– 2.6
– 2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
TCI
0.18
–
–
0.2
%/K
%/K
– 14
– 14
12
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V, λ = 950 nm
8 × 10
8 × 10
W
√Hz
NEP
12
Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 950 nm
D*
2.9 × 10
2.9 × 10
cm · √Hz
Detection limit
W
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
Semiconductor Group
4
BPX 90
BPX 90 F
Relative spectral sensitivity BPX 90
= f (λ)
Relative spectral sensitivity BPX 90 F
= f (λ)
Photocurrent I = f (E ), V = 5 V
P v R
Open-circuit volt. BPX 90 V = f (E )
O v
S
S
rel
rel
Photocurrent I = f (E ), V = 5 V
Total power dissipation
= f (T )
Dark current
I = f (V ), E = 0
R
P
e
R
Open-circuit-volt. BPX 90 F V = f (E )
P
O
e
tot
A
R
Capacitance
Dark current
I = f (T ), V = 10 V, E = 0
R
C = f (V ), f = 1 MHz, E = 0
R
A
R
Semiconductor Group
5
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