Q62703-Q1499 [INFINEON]
Array LED 2 mm LED, Diffused; 阵列LED 2毫米LED ，扩散
| 型号： | Q62703-Q1499 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Array LED 2 mm LED, Diffused |
| 文件： | 总7页 (文件大小：405K) |
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Array LED
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
2 mm LED, Diffused
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● als optischer Indikator einsetzbar
● als Mehrfachzeile verfügbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, diffused package
● for use as optical indicator
● available as multiple array (LED)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Anzahl der Emissionsfarbe Gehäusefarbe Lichtstärke Bestellnummer
Type
Lichtpunkte Color of
Number of Emission
Dots
Color of
Package
Luminous Ordering Code
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
LR Z181-CO 1
LR Z182-CO 2
LR Z183-CO 3
LR Z184-CO 4
LR Z185-CO 5
LR Z186-CO 6
LR Z187-CO 7
LR Z188-CO 8
LR Z189-CO 9
LR Z180-CO 10
red
red
red
red
red
red
red
red
red
red
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
Q62703-Q1495
Q62703-Q1496
Q62703-Q1497
Q62703-Q1498
Q62703-Q1499
Q62703-Q1500
Q62703-Q1501
Q62703-Q1502
Q62703-Q1503
Q62703-Q1504
LY Z181-CO 1
yellow
yellow diffused ≥ 0.25
Q62703-Q1505
LG Z181-CO 1
LG Z182-CO 2
LG Z183-CO 3
LG Z184-CO 4
LG Z185-CO 5
LG Z186-CO 6
LG Z188-CO 8
LG Z180-CO 10
green
green
green
green
green
green
green
green
green diffused ≥ 0.25
green diffused ≥ 0.25
green diffused ≥ 0.25
green diffused ≥ 0.25
green diffused ≥ 0.25
green diffused ≥ 0.25
green diffused ≥ 0.25
green diffused ≥ 0.25
Q62703-Q1506
Q62703-Q1507
Q62703-Q1508
Q62703-Q1509
Q62703-Q1510
Q62703-Q1511
Q62703-Q1513
Q62703-Q1515
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 40 … + 80
– 40 … + 80
+ 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
80
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
7501)
K/W
1)
Auf Platine gelötet: Lötfläche ≥ 16 cm2.
1)
Soldered on PC board: pad size ≥ 16 cm2.
Semiconductor Group
2
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR
LY
LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak
660
586
590
45
565
nm
nm
nm
Wavelength at peak emission
(typ.)
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
645
35
570
25
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
(typ.) VF
100
100
100
Grad
deg.
Durchlaßspannung
1.6
2.0
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Forward voltage
(max.) VF
IF = 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Kapazität
(typ.) C0
25
10
15
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
120
50
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
3
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
λdom = f (TA), IF = 20 mA
λ
peak = f (TA), IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Breiterer Lötspieß
Zeile mit 4 Dioden (z. B. LR Z184)
Row with 4 diodes (e. g. LR Z184)
Cathode mark:
Broad solder lead
Semiconductor Group
7
相关型号：
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