Q62703-Q2405 [INFINEON]
5 mm T1 3/4 LED, Non Diffused Super-Bright LED; 5毫米T1 3/4 LED ，不扩散超高亮LED
| 型号： | Q62703-Q2405 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | 5 mm T1 3/4 LED, Non Diffused Super-Bright LED |
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5 mm (T1 3/4) LED, Non Diffused
Super-Bright LED
LS 5421, LO 5411, LY 5421
LG 5411
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, klares Gehäuse
● als optischer Indikator bei hohem Umgebungslicht
● Lötspieße ohne Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, clear package
● for use as optical indicator in bright ambient light
● solder leads without stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Typ
Type
Emissionsfarbe Gehäusefarbe
Lichtstärke
Luminous
Intensity
Bestellnummer
Ordering Code
Color of
Color of
Package
Emission
IF = 10 mA
IV (mcd)
LS 5421-NR
LS 5421-Q
LS 5421-R
LS 5421-S
LS 5421-QT
super-red
orange
yellow
red clear
25 … 200
63 … 125
100 … 200
160 … 320
63 … 500
Q62703-Q1994
Q62703-Q1442
Q62703-Q1738
Q62703-Q2405
Q62703-Q1995
LO 5411-QT
LO 5411-R
LO 5411-S
LO 5411-T
LO 5411-RU
colorless clear
yellow clear
colorless clear
63 … 500
100 … 200
160 … 320
250 … 500
100 … 800
Q62703-Q3928
Q62703-Q3929
Q62703-Q3930
Q62703-Q3931
Q62703-Q3932
LY 5421-NR
LY 5421-Q
LY 5421-R
LY 5421-S
LY 5421-QT
25 … 200
63 … 125
100 … 200
160 … 320
63 … 500
Q62703-Q1444
Q62703-Q1446
Q62703-Q2005
Q62703-Q2632
Q62703-Q1447
LG 5411-NR
LG 5411-Q
LG 5411-R
LG 5411-S
LG 5411-QT
green
25 … 200
63 … 125
100 … 200
160 … 320
63 … 500
Q62703-Q2023
Q62703-Q1739
Q62703-Q1451
Q62703-Q2321
Q62703-Q2024
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
op
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
Durchlaßstrom
Forward current
IF
40
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
P
tot
140
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
400
K/W
Semiconductor Group
3
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LY
LG
LO
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak
635
586
565
610
nm
nm
nm
Wavelength at peak emission
(typ.)
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
628
45
590
45
570
25
605
40
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
20
20
20
20
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Kapazität
(typ.) C0
12
10
15
8
pF
Capacitance
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
300
150
300
150
450
200
300
150
ns
ns
Semiconductor Group
4
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
6
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
7
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
Semiconductor Group
8
相关型号：
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