Q62703-Q3859 [INFINEON]
Hyper Mini TOPLED RG Hyper-Bright LED; 超迷你TOPLED RG超高亮LED型号: | Q62703-Q3859 |
厂家: | Infineon |
描述: | Hyper Mini TOPLED RG Hyper-Bright LED |
文件: | 总7页 (文件大小:344K) |
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Hyper Mini TOPLED® RG
Hyper-Bright LED
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Besondere Merkmale
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Features
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
Semiconductor Group
1
11.96
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Typ
Emissions- Farbe der Licht- Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer
farbe
austrittsfläche
Type
Color of
Emission
Color of the Light Luminous
Luminous
Flux
I = 20 mA
F
Ordering Code
Emitting
Area
Intensity
I = 20 mA
F
IV (mcd)
ΦV (mlm)
LS M776-MQ super-red
LS M776-N
LS M776-P
LS M776-Q
LS M776-NR
colorless clear
colorless clear
colorless clear
colorless clear
16 … 125
25 … 50
40 … 80
63 … 125
25 … 200
-
Q62703-Q3859
Q62703-Q3860
Q62703-Q3861
Q62703-Q3862
Q62703-Q3863
100 (typ.)
180 (typ.)
300 (typ.)
-
LA M776-NR amber
LA M776-P
LA M776-Q
LA M776-R
LA M776-PS
25 … 200
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
-
Q62703-Q3864
Q62703-Q3865
Q62703-Q3866
Q62703-Q3867
Q62703-Q3868
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
LO M776-NR orange
LO M776-P
LO M776-Q
LO M776-R
LO M776-PS
25 … 200
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
-
Q62703-Q3869
Q62703-Q3870
Q62703-Q3871
Q62703-Q3872
Q62703-Q3873
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
LY M776-NR yellow
LY M776-P
LY M776-Q
LY M776-R
LY M776-PS
25 … 200
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
-
Q62703-Q3874
Q62703-Q3875
Q62703-Q3876
Q62703-Q3877
Q62703-Q3878
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 ... + 100
+ 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
20
Stoßstrom
IFM
to be defined
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung1)
Reverse voltage1)
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
802)
552)
500
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm )
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm )
Rth JA
6302)
2
2
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
2)
vorläufig/preliminary
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
615
16
610
605
16
591
nm
nm
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
16
587
15
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
2ϕ
120
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01
10 10 10
0.01
10
µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TC
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
λ
λ
Temperaturkoeffizient von λpeak
,
TC
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
,
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TC
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
V
Semiconductor Group
4
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Relative spektrale Emission I = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
rel
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung:
Cathode mark:
abgeschrägte Ecke
bevelled edge
Semiconductor Group
7
相关型号:
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